「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .... 130 131 次へ＞- A second disk substrate L1 is manufactured by sequentially performing first sputtering (2-3), dye coating (2-5) and second sputtering (2-8) after the injection molding of a substrate (2-1).
また、第２のディスク基板Ｌ１を、基板の射出成形後（２−１）、第１のスパッタ（２−３）、色素塗布（２−５）、第２のスパッタ（２−８）の処理を順次行って製作する。 - 特許庁 - The sputtering power source 3 supplies electric power of ≥5 W/cm^2 to the target 2, and the sputtering particles are ionized in a plasma P formed only by the electric power.
スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。 - 特許庁 - To provide a surface treatment device where the application of bias voltage upon sputtering treatment to the substrate to be treated and power supply upon etching treatment by a sputtering process can be satisfactorily performed.
被処理基板へのスパッタ処理の際のバイアス電圧の印加や、スパッタ法によるエッチング処理の際の給電を良好に行える表面処理装置を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET IN WHICH OCCUPANCY RATIO OF PINHOLE IS ADJUSTED, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ピンホールの占有割合を調整したスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - When forming the protective film which protects the main magnetic pole, the film is deposited by a sputtering system with a bias or by a carousel type sputtering system or a chemical vapor deposition (CVD) method.
主磁極を保護する保護膜の形成時に、スパッタ装置でバイアスをかけて成膜するか、あるいは、カルーセル型スパッタ装置やケミカルベーパーデポジション（CVD）法で成膜する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the optical recording medium described in (1), a shielding plate for improving directivity of sputtering particles is provided between the sputtering target and the supporting substrate.
（２）スパッタリングターゲットと支持基板の間に、スパッタ粒子の指向性を高めるための遮蔽板を設けたことを特徴とする（１）記載の光記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - The plasma treatment by the magnetron sputtering electrode 25 is executed at a speed corresponding to the thin film deposition rates of the magnetron sputtering electrodes 31 to 33 to deposit the thin film at a high speed.
マグネトロンスパッタ電極３１〜３３の薄膜形成速度に見合う速度でマグネトロンスパッタ電極２５によるプラズマ処理を行って薄膜を高速に形成する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET OF SnO2O2-Sb2O3 SINTERED COMPACT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET
ＳｎＯ２−Ｓｂ２Ｏ３焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 - 特許庁 - To provide a facing target sputtering system where the damage of a substrate and a film deposited on the substrate caused by charged particles during plasma generated in sputtering can be suppressed.
スパッタで生じたプラズマ中の荷電粒子による基板及び基板上に成膜された皮膜の損傷を抑制できる対向ターゲット式スパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - FORMATION OF FLUORIDE THIN FILM, OPTICAL MEMBER HAVING THE THIN FILM AND SPUTTERING DEVICE
フッ化物薄膜の形成方法、該薄膜を有する光学部材及びスパッタ装置 - 特許庁 - To provide a sputtering target for the formation of an optical logging protection film made of sintered bodies composed of zinc sulfide-silicic and titanic compound oxide-indium oxide, and capable of DC sputtering.
直流スパッタリング可能な硫化亜鉛−ケイ素とチタンの複合酸化物−酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - At the time of deposition, oxygen is added to the sputtering gas of argon, and an amorphous film is produced.
デポジッションの際、アルゴンのスパッタリング・ガスに酸素を添加し、アモルファス膜を作る。 - 特許庁 - The sputtering target used in manufacture of a mask blank by a sputtering method comprises a metal silicide and silicon.
本発明のマスクブランクは、スパッタリング法でマスクブランクを製作する際に使用されるスパッタリングターゲットであって、該ターゲットが金属シリサイドとシリコンからなることを特徴としている。 - 特許庁 - Then, an insulation film 32, a source metallic film 34 and a drain metallic film 36 are deposited by vacuum deposition or sputtering and a source and a drain are formed by sputtering.
次に絶縁膜３２、ソース金属膜３４およびドレイン金属膜３６を真空蒸着あるいはスパッタ法により堆積し、パターニングによってソース、ドレインを形成する。 - 特許庁 - REFLECTIVE FILM OF OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTIVE FILM
光記録媒体の反射膜および反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - SUBSTRATE TREATER AND CLEANING OF ELECTROSTATIC ATTRACTION STAGE OF SPUTTERING DEVICE
基板処理装置及びスパッタリング装置における静電吸着ステージのクリーニング方法 - 特許庁 - To provide a magnet set which can easily change the configuration of a cathode magnet in a magnetron sputtering method.
マグネトロンスパッタリング法において、カソードマグネットの構成の変更を容易にする。 - 特許庁 - To provide a sputtering system capable of depositing high-quality thin films containing no impurities, and a method of manufacturing the high-quality thin films using the sputtering system.
不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供を課題とする。 - 特許庁 - To suppress the generation of nodules and prevent abnormal discharge and the reduction of the film forming rate caused by sputtering and to realize carbon sputtering for a long time.
ノジュールの発生を抑制してカーボン系材料のスパッタリングに伴う異常放電や成膜速度の低下を防止し、長時間のカーボンスパッタリングを可能にすること。 - 特許庁 - Further, the Mo target material has the area of the sputtering face of ≥1 m^2.
また、スパッタ面の面積が１ｍ^２以上である上記のＭｏターゲット材である。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Co-TYPE SPUTTERING TARGET MATERIAL WITH LOW MAGNETIC PERMEABILITY FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 - 特許庁 - To obtain an apparatus for manufacturing semiconductor, in which the thicknesses of sputtering films deposited on shielding plates are suppressed and the sputtering films do not fall off onto a substrate, even if the films are separated from the shielding plates.
遮蔽板に付着するスパッタリング膜が厚くなりにくく、たとえこの膜が剥がれても基板の上に落ちない半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a laser beam welding method and its apparatus capable of preventing any damage of an optical component due to sputtering, and preventing the adhesion of sputtering to a workpiece to be welded.
スパッタによる光学部品損傷の防止、および被溶接材へのスパッタの付着を防止することができるレーザ溶接方法およびその装置を提供する。 - 特許庁 - TE-BASED SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH REDUCED PARTICLE PRODUCTION
パーティクル発生の少ない光記録媒体膜形成用Ｔｅ系スパッタリングターゲット - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD FOR PRODUCING DISPLAY, AND SPUTTERING SYSTEM
透明導電膜の製造方法、表示装置の製造方法及びスパッタリング装置 - 特許庁 - To prevent a deposit generated from a side surface of a sputtering target from being peeled or scattered.
スパッタリングターゲットの側面から発生する堆積物の剥離・飛散を防止する。 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING UNIT AND SPUTTERING TARGET
磁気記録媒体、その製造方法、磁気記録再生装置、およびスパッタリングターゲット - 特許庁 - The Ti film and the Pd film are formed by a sputtering method which is one of deposition methods.
Ｔｉ膜及びＰｄ膜は、堆積法の１つであるスパッタ法で成膜する。 - 特許庁 - A seed Cu film is formed in a recess to be filled by sputtering, or the like.
埋め込み対象となる凹部に、スパッタ法等によりシードＣｕ膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering device which shortens the downtime of the device and improves productivity.
装置のダウンタイムを低減し生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF HIGH-DENSITY MAGNETIC RECORDING MEDIUM WHILE CAUSING FEW PARTICLES
パーティクル発生の少ない高密度磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - The frequency of abnormal electric discharge in a sputtering method using a direct current power source 8 and in a sputtering method using only a pulse power source 7 is measured in advance.
予め、直流電源８のみを使用したスパッタ方法と、パルス電源７のみを使用したスパッタ方法の、異常放電発生回数をそれぞれ測定する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL OR VAPOR DEPOSITION MATERIAL MADE OF Ag-BASED ALLOY, AND THIN FILM
Ａｇ基合金からなるスパッタリングターゲット材または蒸着材料および薄膜 - 特許庁 - To provide a sputtering system, with which efficiency of target utilization can be improved.
ターゲットの利用効率の向上を図ることができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - Al-Ni-La SYSTEM Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法 - 特許庁 - By providing the sputtering system capable of common use of deposition of a collimation method and a sputtering method in a single chamber, reduction of maintenance and improvement of productivity become possible.
コリメーション方式と通常スパッタリング方式の成膜が単一チャンバーでも共用可能なスパッタリング装置とすることでメンテナンスの減少や生産性向上が可能となる。 - 特許庁 - The vacuum process is performed by a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method or the like.
真空プロセスは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等である。 - 特許庁 - To provide a sputtering target suppressing the occurrence of abnormal discharge, nodule and crack during sputtering in the film deposition of a gallium oxide-based thin film.
酸化ガリウム系薄膜の成膜において、スパッタリング中における、異常放電の発生、ノジュールの発生、クラックの発生を抑制しうるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - The first and second films 26 and 28 are formed, respectively, by first sputtering and second sputtering through two-dimensional nucleus growth and three-dimensional nucleus growth following thereto.
第１及び第２のスパッタリングは、二次元核成長及び二次元核成長後の三次元核成長によって、それぞれ第１及び第２の膜２８を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR FORMING PHASE CHANGE FILM HAVING REDUCED GENERATION OF PARTICLE
パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁 - One sides of the facing sputtering units 129, 132 at both ends are formed by single-sided film deposition.
両端の対向スパッタリングユニット１２９、１３２の片側は片面成膜である。 - 特許庁 - To provide a sputtering system by which the magnetic field is formed on the surface of a target, the electric field is applied on the target, and sputtering is performed to an object.
ターゲットの表面上に磁場を形成し、このターゲットに対して電界を印加して対象物に対してスパッタリングを行うスパッタリング装置を提供するにある。 - 特許庁 - Consequently, the insulating film which has superior insulation characteristics can be obtained by sputtering.
これによって、絶縁特性の優れた絶縁膜をスパッタにより得ることができる。 - 特許庁 - ITO MOLDED PRODUCT, ITO SPUTTERING TARGET USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＩＴＯ成型体、これを用いたＩＴＯスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - INDIUM OXIDE-ZINC OXIDE-MAGNESIUM OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING HIGH PURITY Cu SPUTTERING TARGET WITH BACKING PLATE MADE OF Al ALLOY
Ａｌ合金製バッキングプレート付き高純度Ｃｕスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY POWDER, Cu-Ga ALLOY POWDER, METHOD FOR PRODUCING Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-Ga ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｃｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - The base material layer 16 is formed by sputtering in argon gas atmosphere, while the thermistor thin-film 13 is formed by the sputtering in the mixed gas atmosphere comprising argon and oxygen.
下地層１６は、アルゴンガス雰囲気中でスパッタリングによって形成され、サーミスタ薄膜１３は、アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中でスパッタリングによって形成される。 - 特許庁 - The Al2O3 film is formed particularly by an electron cyclotron resonance plasma sputtering method.
特にこのＡl_2Ｏ_3膜を、例えば電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタ法で成膜する。 - 特許庁 - Secondly, a nickel film 24 for covering the barrier metal film 23 is formed by the sputtering method.
次に、バリアメタル膜２３を覆うニッケル膜２４をスパッタリング法により形成する。 - 特許庁
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