「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 32 33 34 35 36 37 38 39 40 .... 130 131 次へ＞- The rotary target assembly comprises a hollow rotary roller, a sputtering target part formed on an outer circumference of the rotary roller, and a cool-insert member which is interposed between the rotary roller and the sputtering target part and has the heat conductivity higher than that of the sputtering target part.
中空状の回転ローラと、回転ローラの外周に形成されたスパッタリングターゲット部と、回転ローラとスパッタリングターゲット部との間に介在され、熱伝導率がスパッタリングターゲット部より大きい冷却挿入部材とを備える回転式ターゲットアセンブリ。 - 特許庁 - Thereby, impurity incorporation due to sputtering of the negative electrode can be prevented while using a simple sputtering device, and the negative electrode excelling in an electron emission characteristic can be manufactured.
これにより、簡便なスパッタリング装置を用いながら、陰極のスパッタリングによる不純物混入を防止でき、電子放出特性に優れた陰極を製造できる。 - 特許庁 - INSPECTION METHOD, INSPECTION FRAME BODY AND INSPECTION ASSEMBLY OF SPUTTERING TARGET
スパッタリングターゲットの検査方法および検査用枠体ならびに検査用組み立て体 - 特許庁 - The thickness of the mixed sputtering film is 8 nm or more and 80 nm or less.
この混合スパッタ膜の厚みを８ｎｍ以上であって、８０ｎｍ以下とした。 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE
磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲットおよび磁気記録再生装置 - 特許庁 - To enhance the electric characteristics of an amorphous silicon film deposited by sputtering.
スパッタリングによって堆積されたアモルファスシリコン膜の電気的特性を改善すること。 - 特許庁 - A liner material such as tantalum or tantalum nitride is sputtering-deposited in the inside of the hole in this method.
タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which can easily control the composition ratio of an alloy and has stable quality, to provide a manufacturing method therefor, to provide a sputtering apparatus using it, and to provide a semiconductor device.
合金としての組成比が容易にコントロールでき、安定した品質のスパッタリングターゲット及びその製造方法これを用いたスパッタ装置、半導体装置を提供する。 - 特許庁 - In a rotary magnet cathode (RMC) type sputtering system 10 of low pressure discharge, as a sputtering gas, gaseous Xe is introduced into a chamber 11, and pressure is set to about 0.08 Pa.
低圧放電の回転マグネットカソード（ＲＭＣ）式スパッタ装置１０において、スパッタガスとしてＸｅガスをチャンバ１１内に導入し、圧力を約０．０８Ｐａに設定する。 - 特許庁 - The capacitive insulating film 55 is formed on the Pt film 91 by the sputtering method.
次に、Ｐｔ膜９１上に、スパッタ法により容量絶縁膜５５を形成する。 - 特許庁 - Metal layers 2, 3 are closely bonded to a base material 1 by a sputtering method.
基材（１）に、金属（２）、（３）をスパッタリング法で密着させたことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering film deposition system capable of performing the sputtering at low temperatures by shifting to a low-voltage side, a saturated zone of substrate current to be shifted to a high-voltage side when electron current is increased.
電子電流が増加した際に高電圧側にシフトする基板電流の飽和領域を、低電圧側へシフトさせ、低温でスパッタリングできるようにする。 - 特許庁 - P CONAINING W POWDER, AND SINTERED TARGET FOR SPUTTERING MANUFACTURED BY USING THE SAME
Ｐ含有Ｗ粉末およびこれを用いて製造されたスパッタリング焼結ターゲット - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING CoCrPt-SiO2 SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING MAGNETIC RECORDING FILM
磁気記録膜形成用ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING FLAT DISPLAY DEVICE USING THE SAME
スパッタリング装置及びスパッタリング装置を使用した平板表示装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering system in which sputtering is carried out not only on 3 targets or more simultaneously but on an optional one target to form a prescribed thin film.
３つ以上のターゲットを同時にスパッタ可能とするのみならず、任意の１つのターゲットのみをスパッタして所望の薄膜を形成することが可能なスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - A method in one embodiment includes conducting reactive sputtering while adjusting a flow rate of a reactive gas according to the temperature of a structural member which faces to a sputtering space.
本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET USED FOR PRODUCING REFLECTION TYPE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY
ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する際に使用されるスパッタリングターゲット - 特許庁 - TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜およびこの透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - To prevent the peel-off and flying of a deposit occurring from the sides of a sputtering target.
スパッタリングターゲットの側面から発生する堆積物の剥離・飛散を防止する。 - 特許庁 - To provide a cylindrical sputtering target using a ceramic sintered compact as a target material, which does not cause cracking in the target material while the sputtering target is sputtered.
セラミックス焼結体をターゲット材とする円筒形スパッタリングターゲットであって、スパッタ中にターゲット材に割れが発生することのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide an Al-based alloy sputtering target capable of increasing a deposition rate (sputter rate) when a sputtering target is used, and preferably capable of preventing the occurrence of splashes.
スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target with which the adhesion of particles to a substrate can be suppressed in the case where a sputtering target made of easily oxidizable copper is used, and also to provide a manufacturing method therefor.
容易に酸化される銅製のスパッタリングターゲットを用いる場合に、基板へのパーティクルの付着を抑制しうるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Sputtering power of nickel sputtering is specified to ≥1.2 KW, the flow rate of argon to <0.5 Pa and the film thickness of a conductive film 6 to be formed to a range from 50 to 150 nm.
ニッケルスパッタのスパッタパワーを１.２ＫＷ以上、アルゴン流量を０．５Ｐａ未満とし、形成される導電皮膜６の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲とする。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND THIN FILM PRODUCED WITH THE USE OF THE METHOD
スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにそれを用いて作製した薄膜 - 特許庁 - The target 2 for sputtering has a diameter equal to or below the diameter of a wafer.
スパッタリング用ターゲット２として、ウエハの直径以下の直径を有するものである。 - 特許庁 - ALTERNATE STEPS OF IMP AND SPUTTERING PROCESS TO IMPROVE SIDEWALL COVERAGE
側壁被覆性を改善するためのＩＭＰ及びスパッタリング処理の交互するステップ - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜製造用スパッタリングターゲット及び透明導電膜形成方法 - 特許庁 - The sputtering gas is compressed to the range of 0.66-0.67 Pa and the amount of flow is increased.
スパッタガスは、０．６６〜０．６７Ｐａの範囲に高圧化し、流量を増加させる。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which improves the productivity of a metallic compound thin film.
金属化合物薄膜の生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To improve the working ratio of a sputtering system by timely performing presputtering.
スパッタリング装置において、プリスパッタを適時に行い装置の稼働率を向上させる。 - 特許庁 - METHOD AND EQUIPMENT FOR FORMING WIRING BY SPUTTERING, AND TARGET MATERIAL USED THEREFOR
スパッタリングによる配線形成方法、配線形成装置及びそのターゲット材料 - 特許庁 - MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLATING DEVICE AND SPUTTERING DEVICE THEREFOR
半導体装置の製造方法およびそれに用いるめっき処理装置、スパッタ装置 - 特許庁 - The sputtering method and the PLD method are used to deposit the fluorescent film fabricating a target of such as a sputtering process using a substance in which a fluorescent material is mixed with SiO2 or SiO.
スパッタリング法やPLD法はSiO2またはSiOに蛍光体が混ざり合った物質を使用してスパッタリング工程などのターゲットを作って蛍光膜を蒸着するのに使用する。 - 特許庁 - To provide a film deposition method which forms a high-quality film in a low-temperature process and which can freely control a nature of the film in a sputtering method and a sputtering apparatus.
スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of depositing high-quality thin films containing no impurities, and a method of forming the high-quality thin films using the sputtering apparatus.
不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film which can obtain high leakage flux density and can achieve the improvement of sputtering efficiency, and a method for producing the same.
高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide an indium-oxide-based sputtering target with which a transparent electroconductive oxide film having low resistance and a high refractive index can be industrially produced by a direct-current sputtering technique.
低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which can perform removal of an impurity layer generated at a target entire surface adequately and efficiently, and to provide a sputtering method thereof.
ターゲット全表面に生成される不純物層の除去を的確かつ効率よく行なうことを可能とするスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering system and a method of thin film deposition by magnetron sputtering by which film deposition rate can be increased and a thin film having excellent characteristics can be deposited.
成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することのできるマグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering device improved in the film forming rate and the uniformity of the film forming rate and excellent in mass-producibility in a sputtering device provided with plural cylindrical targets.
複数の円筒形ターゲットを備えたスパッタリング装置において、成膜速度および成膜速度均一性を向上させ、量産性に優れたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material which can securely reduces the occurrence of arcing, and which can be restrained from being broken and cracked, and to provide a sputtering target obtained therefrom.
アーキングの発生を確実に低減し、かつ割れおよびクラックの発生を抑制できるスパッタリングターゲット材、およびこれから得られるスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, ITS MANUFACTURE METHOD, SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE
磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリングターゲット、および磁気記録再生装置 - 特許庁 - To provide a Zr-Cr-Ti-O-based sputtering target for forming an oxide film of an optical recording medium which can perform DC sputtering more efficiently than the conventional case.
従来よりも効率よくＤＣスパッタすることができる光記録媒体の酸化物膜成膜用Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｏ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - In this sputtering target with less particle generation, a side surface of the sputtering target has the center line average height (Ra) of 0.05 μm-0.5 μm.
スパッタリングターゲットの側面が中心線平均粗さ（Ｒａ）０．０５μｍ〜０．５μｍの表面粗さを備えていることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus having a plurality of cathodes disposed therein, in which abnormal discharge due to a partial sneak path of sputtering particles, formation of an insulator film etc., is prevented.
複数のカソードを配置したスパッタリング装置において、部分的な回りこみ、絶縁体膜の形成等による異常放電を防止したスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target while surely improving quality from the viewpoint of the stable formation or the like of a transparent electrode film by sputtering.
スパッタリングによる透明電極膜の安定な形成等の観点から品質の確実な向上を図りながらスパッタリングターゲットを製造する方法等を提供する。 - 特許庁 - The perpendicular magnetic recording medium is obtained by film-depositing the magnetic recording layer by a sputtering method using the sputtering target for manufacturing the magnetic recording medium.
また、このような磁気記録媒体製造用スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により上記磁気記録層を成膜することにより垂直磁気記録媒体を得る。 - 特許庁 - To provide a film forming method by sputtering, which can stably form a uniform and homogeneous film on a substrate even in a long sputtering time.
長時間に渡ってスパッタリングを実施しても、基板上に均一で均質な成膜を安定的に行うことができるスパッタリングによる成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a ZnS-SiO2 target material capable of applying DC sputtering and provided with high-speed and stable sputtering properties thereby and to provide its production method.
ＤＣスパッタの適用が可能であり、これにより高速で安定したスパッタ性を備えたＺｎＳ−ＳｉＯ_2 系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
