「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 .... 130 131 次へ＞- An orientation control film 3 is formed on an alumina film 2 by a sputtering method.
スパッタリング法によりアルミナ膜２上に配向制御膜３を形成する。 - 特許庁 - Subsequently, a multilayer 30 is formed on the strippable layer 20 according to sputtering.
次に、剥離層２０の上にスパッタリングによって多層膜３０を形成する。 - 特許庁 - PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND W MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM
半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ｗ材 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SPUTTERING APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置 - 特許庁 - SPUTTERING FILM DEPOSITION EQUIMENT, AND FABRICATION OF PHOTOMASK BLANK USING THE SAME
スパッタリング成膜装置及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 - 特許庁 - THIN-FILM ALUMINUM ALLOY AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN-FILM ALUMINUM ALLOY
薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - Ti-Al ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING BARRIER FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE
半導体装置のバリア膜形成用Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - PROCESSING METHOD OF COPPER OR COPPER ALLOY AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
銅または銅合金の加工方法およびスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND Ta MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ｔａ材 - 特許庁 - The sputtering target material is formed by solidification of the powder of the alloy composition.
また、上記合金組成の粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材。 - 特許庁 - This magnetron 32 perfectly covers a target 14 though its area is made small but particularly advantageous for low pressure plasma sputtering or persistent self-sputtering.
低圧プラズマ・スパッタリングまたは持続型セルフスパッタリングに対して特に有利な、面積が小さくされているがターゲット１４を完全にカバーするマグネトロン３２。 - 特許庁 - The oxide sputtering target is a sintered compound target used when forming a film by sputtering the amorphous oxide film containing at least In, Zn, and Ga.
酸化物スパッタリングターゲットは、少なくともＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含むアモルファス酸化物膜をスパッタリング成膜する際に用いられる焼結体ターゲットである。 - 特許庁 - BACKING PLATE FOR COPPER OR COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET AND TREATMENT PROCESS OF THE SAME
銅又は銅合金製スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびその処理法 - 特許庁 - HOLDING APPARATUS, ASSEMBLING SYSTEM, SPUTTERING APPARATUS, MACHINING METHOD AND MACHINING APPARATUS
保持装置、組立てシステム、スパッタリング装置、並びに加工方法及び加工装置 - 特許庁 - As the means for reducing inflow of plasma electrons to the semiconductor substrate 1, a collimation sputtering system or a long throw sputtering system is employed.
プラズマ電子の半導体基板１への流入を低減する手法として、たとえばコリメーションスパッタリング装置またはロングスロースパッタリング装置を用いる。 - 特許庁 - Further, the magnetron sputtering cathode includes a first magnet 5 and a second magnet 6 having a polarity different from that of the first magnet 5 on the side of the non-sputtering surface 10b.
また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 - 特許庁 - TRANSPARENT ELECTRODE FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIS ELECTRODE FILM
透明電極膜及び同電極膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - To obtain a magnetron sputtering apparatus and a magnetron sputtering method for improving the use efficiency of a hollow target of a cylindrical shape, etc.
円筒状等の中空状ターゲットの利用効率の向上を図ることができるマグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - To considerably improve the efficiency of utilizing a sputtering target, and to reduce material losses in the sputtering used in the forming of a thin film.
薄膜形成に用いられるスパッタリングにおいて、スパッタリングターゲットの利用効率を大幅に向上し、材料ロスを削減することを目的とする。 - 特許庁 - PULSED DIRECT-CURRENT SPUTTERING FILM DEPOSITION METHOD AND FILM DEPOSITION APPARATUS FOR THE METHOD
パルス状直流スパッタ成膜方法及び該方法のための成膜装置 - 特許庁 - The cathode rotary body and the substrate rotary body are respectively rotated to make the cathode and the substrate to be confronted, and sputtering film formation is allowed to be executed in the sputtering chamber.
カソード回転体と基板回転体をそれぞれ回転させてカソードと基板を対向させ、スパッタチャンバでスパッタ成膜が行えるようにする。 - 特許庁 - The Al-based alloy sputtering target includes Ta.
本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｔａを含有するものである。 - 特許庁 - In this deposition device, the particle of the substance to be deposited comes flying from not only the first sputtering target 34 but also the second sputtering target 36.
この成膜装置によれば、膜となる物質の粒子は、第１のスパッタリングターゲット３４だけではなく第２のスパッタリングターゲット３６からも飛来する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target with fine crystal grains.
微細な結晶粒を有するスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, a sputtering level is made ≥18 nm and ≤22 nm in the RF sputtering of a barrier metal layer, thereby a TiO_n film being removed (step 16).
さらに、バリアメタル層の高周波スパッタリングを行う際のスパッタ量を１８ｎｍ以上２２ｎｍ以下としてＴｉＯ_ｎ膜を除去する（ステップ１６）。 - 特許庁 - As to this device, film formation is executed by sputtering in a vacuum chamber 1.
真空チャンバー１内においてスパッタリングにより成膜する装置である。 - 特許庁 - To provide a ceramic sputtering target by which cracking in a sintered body occurring during a manufacturing process (particularly bonding step) of the ceramic sputtering target and when attaching the target to a film deposition system and using it for sputtering can be reduced with higher certainty.
セラミクス材ターゲットの製造工程（特にボンディング工程）やターゲットを成膜装置に取り付けスパッタリングに供した時に発生する焼結体の割れをより確実に低減できるセラミクス材スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a sputtering target where, in a sputtering film deposition stage using an Nb sputtering target, the frequency in the generation of abnormal discharge causing the trouble in a device, the defect in a product or the like can be reduced.
Ｎｂスパッタリングターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、装置トラブルや製品不良等の原因となる異常放電の発生回数を減少させることを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Then, when the number Na of films between dummies reaches the target number Np of films between dummies, only the sputtering gas is introduced into a film deposition chamber, to make dummy sputtering processing for sputtering the target executed, before carrying a subsequent substrate into the film deposition chamber.
そして、ダミー間枚数Ｎａが目標ダミー間枚数Ｎｐに到達するとき、後続する基板を成膜室に搬入する前に、成膜室にスパッタガスのみを導入してターゲットをスパッタさせるダミースパッタ処理を実行させた。 - 特許庁 - To provide a sputtering target capable of providing high moisture barrier properties and high flexibility to a sputtering film, ensuring the high film deposition rate in the sputtering, and reducing damages on an object for film deposition as much as possible.
スパッタリング膜に高い水分バリア性と高い柔軟性を付与でき、合わせて、スパッタリングにおいて高い成膜レートを確保できると共に、成膜対象物へのダメージを可及的に軽減できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the transparent thin film with sputtering is characterized by performing sputtering so as to make the content of sputtering-gas-composing atoms in the thin film to be 0.05 atom.% or less.
スパッタリング法により透明薄膜を製造するにあたり、上記薄膜中に含有されるスパッタリングガスの構成原子が０．０５原子％以下となるようにスパッタリングを行うことを特徴とする透明薄膜の製造方法。 - 特許庁 - At the step for forming the metal film 24, a first film 26 is formed by first sputtering, and a second film 28 is formed on the first film 26 by second sputtering of the same kind of film as that of the first sputtering.
金属膜２４を形成する工程は、第１のスパッタリングによって第１の膜２６を形成することと、第１のスパッタリングと同一膜種の第２のスパッタリングによって第１の膜２６の上に第２の膜２８を形成する。 - 特許庁 - A thermally sprayed coating 53 preliminarily formed in the lower shield 5 of the sputtering device for the purpose of preventing separation of a sputtering coating 52 is made to coincide with the sputtering coating 52 in the area of its formation, thereby eliminating the discharge of the gas from the thermally sprayed coating 53.
スパッタリング装置のロワーシールド５にスパッタリング膜５２の剥離防止のため、予め形成する溶射膜５３をスパッタリング膜５２の形成領域と一致させることで、溶射膜５１からのガスの放出をなくすことができる。 - 特許庁 - To provide a sputtering device in which the structure of a sputtering chamber is realized with the simple one, a space to be required is made small as possible, and capable of easily corresponding even to the request of the increase of the number of sputtering chambers by a simple structure and a low cost.
スパッタチャンバの構造を簡単な構造で実現し、必要なスペースをできるだけ小さくし、スパッタチャンバの数の増大の要請に対しても簡素な構造および低コストで簡単に対応できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a low-resistance amorphous conductive film by the use of a sputtering target without generating nodules on the surface of the sputtering target and enabled to lower a resistance value of the amorphous conductive film obtained by sputtering film-forming.
スパッタリングターゲット表面にノジュールが発生せず、スパッタリング成膜によって得られた非晶質導電膜の抵抗値を小さくできるようなスパッタリングターゲットを用いて低抵抗の非晶質導電膜を提供することである。 - 特許庁 - When the ITO film of the pixel electrode 9a is formed, the target is not changed between in a first sputtering step ST1 and in a second sputtering step ST2 but the oxygen gas flow rate ratio in the second sputtering step ST2 is set high.
かかる画素電極９ａは、ＩＴＯ膜を成膜する際、第１スパッタ工程ＳＴ１と第２スパッタ工程ＳＴ２との間でターゲットを変えず、第２スパッタ工程ＳＴ２での酸素ガス流量比を大に設定する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material of strontium ruthenate for stably forming a sputtering film of a lower part electrode of a high quality, by densifying the sputtering target material for forming a film of the lower part electrode of a dielectric capacitor.
誘電体キャパシタの下部電極膜形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の下部電極膜を安定してスパッタリング成膜できるルテニウム酸ストロンチウムスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering method and a sputtering system by which sputtering particles are less liable to be diffused to the region other than a substrate, thus a film deposition rate can be improved, and further, the utilization efficiency of a target material can be improved.
スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a titanium target for sputtering having high quality capable of reducing the amount of impurities causing particles or abnormal discharge phenomenon, preventing occurrence of any crack even during the high-power sputtering (the high-speed sputtering), stabilizing the sputtering characteristic, and effectively suppressing generation of particles during the film deposition.
パーティクルや異常放電現象の原因となる不純物を低減させると同時に、ハイパワースパッタリング（高速スパッタリング）時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させ、成膜時のパーティクルの発生を効果的に抑えることのできる高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供する。 - 特許庁 - A sputtering chamber in a vacuum chamber 11 is provided with: a plurality of targets 31a to 31d arranged in parallel at prescribed intervals; sputtering power sources E1, E2 making the application of electric power to each target possible; and gas introduction means 6a, 6b making the introduction of a sputtering gas and a reaction gas to the sputtering chamber possible.
真空チャンバ１１内のスパッタ室に、所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット３１ａ乃至３１ｄと、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Ｅ１、Ｅ２と、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段６ａ、６ｂとを設ける。 - 特許庁 - ZINC OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE SAME, AND ZINC OXIDE THIN FILM
酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
スパッタリング用ターゲット、および前記ターゲットを用いた磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁 - COMPOSITE TARGET FOR SPUTTERING AND MANUFACTURING METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME
スパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - Further, the sputtering target material for depositing the Ag alloy film with the above composition is also provided.
また、上記組成のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, THIN FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
スパッタリングターゲット、光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法 - 特許庁 - RELEASING TREATMENT OF DIE BY MEANS OF REACTIVE SPUTTERING USING ECR PLASMA
ＥＣＲプラズマを用いた反応性スパッタリングによる金型の離型処理方法 - 特許庁 - The metal film 19 of, for instance, TiN is deposited through a sputtering method.
金属膜１９は例えばＴｉＮであり、スパッタ法を利用して堆積する。 - 特許庁 - Average grain size of the obtained sputtering target is not more than 20 μm in diameter.
得られたスパッタリングターゲットの結晶粒の平均粒径は２０μｍ以下である。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR OXIDE FILM FORMATION AND PRODUCTION METHOD OF OXIDE FILM USING THE SAME
酸化膜形成用スパッタリングターゲットとそれを用いた酸化膜の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING OXIDE FILM, AND OXIDE FILM MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
酸化膜形成用スパッタリングターゲットとそれを用いた酸化膜の製造方法 - 特許庁
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