「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 130 131 次へ＞- The diffused barrier layer of cuprous is also formed by the sputtering or vacuum deposition process.
該第１銅拡散バリア層もスパッタリング又は蒸着で形成する。 - 特許庁 - (1) In the manufacturing method of the optical information recording medium, the time (sputtering starting time) directly after the substrate is molded until sputtering is started is managed and only the substrate whose sputtering starting time is set in a predetermined fixed time is sputtered.
（１）基板成形直後からスパッタ開始までの時間（スパッタ開始時間）を管理し、スパッタ開始時間が予め設定した一定時間内に収まる基板のみをスパッタする光情報記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTER ELECTRODE AND SPUTTERING APPARATUS USING MAGNETRON SPUTTER ELECTRODE
マグネトロンスパッタ電極及びマグネトロンスパッタ電極を用いたスパッタリング装置 - 特許庁 - TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM DEPOSITION METHOD, AND SPUTTERING SYSTEM FOR USE IN THE METHOD
透明導電膜形成方法及び該方法に用いるスパッタリング装置 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁 - To provide an ITO sputtering target material having high usage efficiency, a long life, and a small aging change of a sputtering condition, and to provide an ITO sputtering target and an ITO sintered compact that is suited for using to obtain them.
使用効率が高く、長寿命で、スパッタリング条件の経時変化の小さいＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに用いるのに好適なＩＴＯ焼結体を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL DISK, AND ITS MANUFACTURE
光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-STRENGTH SPUTTERING TARGET FOR FORMING PHASE-CHANGE MEMORY FILM
相変化メモリ膜形成用高強度スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM FILM FORMATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - The Ag-Bi-based alloy sputtering target contains Bi dissolved in Ag.
Ａｇ−Ｂｉ系合金スパッタリングターゲットは、ＢｉがＡｇに固溶している。 - 特許庁 - To provide an Al-based sputtering target capable of dissolving problems (increase of the number of splashes, rise of electric resistance of deposited thin film) occurring on the initial stage of sputtering and shortening pre-sputtering time.
スパッタリングの初期段階で発生する問題（スプラッシュの個数の増加や、成膜された薄膜の電気抵抗の上昇）を解消でき、プリスパッタ時間を短縮可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - COOLING PLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, SPUTTERING TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁 - By the sputtering method using the sputtering target, a Cu-Ga film containing Na effective for improving the power generation efficiency can be formed.
このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なＮａを含有したＣｕ−Ｇａ膜を成膜することができる。 - 特許庁 - In that case, deposition of an Al layer 143 is attained in a short time by sputtering power which gave priority to sputtering rate over coverage of the hole 13 (fig (a)).
ここではＡｌ層１４３の成膜は、ホール１３のカバレッジよりもスパッタレートを優先したスパッタパワーで短時間に達成する（図１（ａ））。 - 特許庁 - Nickel conductive film of 20 nm is formed in a master disk by a sputtering method.
原盤に２０ｎｍのＮｉ導電膜をスパッタリング法で形成した。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a recording layer exhibiting satisfactory characteristics by DC sputtering and a high-density optical recording medium using the sputtering target and a manufacturing for the same.
良好な特性を示す記録層を直流スパッタリングで形成するのに適したスパッタリングターゲットとその製造方法、並びに、該スパッタリングターゲットを用いた高密度光記録媒体とその製造方法の提供。 - 特許庁 - The primer layer 9 is formed by sputtering using an SiC target.
この下地層９は、ＳｉＣターゲットによるスパッタリング等で形成される。 - 特許庁 - SPUTTERING OF COMPOSITE TARGET FOR FORMING DOPED PHASE CHANGE MATERIAL
ドープされた相変化材料を形成するための複合ターゲットのスパッタリング - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering device capable of enhancing the target utilization efficiency.
マグネトロンスパッタリング装置においてターゲット利用効率を向上させる。 - 特許庁 - The sputtering is carried out on conditions that the kind of sputtering gas is mixed gas containing hydrogen gas and inert gas of 5:95 to 20:80 mixing ratio (%) and that the temperature of the substrate is 0 to -20°C.
スパッタリングガス種：水素ガスと不活性ガスの混合比率（％）が５：９５〜２０：８０である混合ガス、基板温度：０〜−２０℃。 - 特許庁 - At least one layer of the laminated film is a gas barrier sputtering film 4A.
積層膜の少なくとも一層は、ガスバリア性スパッタ膜４Ａである。 - 特許庁 - Mo SPUTTERING TARGET HARDLY CAUSING PARTICLE GENERATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD
パーティクル発生の少ないＭｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR Sn ALLOY FILM DEPOSITION ON OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM
光情報記録媒体のＳｎ合金膜成膜用スパッタリングターゲット - 特許庁 - SOLID PHASE DIFFUSION-JOINED SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND ITS PRODUCING METHOD
固相拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering system and a sputtering method capable of forming a ferroelectric film having satisfactory orientation properties for a long period of time.
良好な配向性の強誘電体膜を長期にわたり形成することができるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, SPUTTERING TARGET THEREFOR
薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット - 特許庁 - This method can be used for both the conventional sputtering target (29) and the newly-developed hollow cathode magnetron sputtering target (10).
本発明の方法は従来のスパッタターゲット（２０）並びに新規開発した中空のカソードマグネトロンスパッタターゲット（１０）に対しても使用可能である。 - 特許庁 - And a chrome thin film 6 is deposited on the resist 2 by sputtering (i).
そして、その上にスパッタリングによりクロム薄膜６を成膜する（ｉ）。 - 特許庁 - To provide a method which can effectively produce a sputtering target having a bulk resistance value to a degree that a DC sputtering process can be used.
直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING FILM DEPOSITION APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF SEALING FILM, AND ORGANIC EL ELEMENT
スパッタリング成膜装置、封止膜の製造方法及び有機ＥＬ素子 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF CNT-CONTAINING WIRING MATERIAL AND TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING
ＣＮＴ入り配線材の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR METAL SILICIDE WIRING AND ITS MANUFACTURING METHOD
金属シリサイド配線用スパッタターゲットおよびこのスパッタターゲットの製造方法 - 特許庁 - On sputtering, the preliminarily heated target material 5 is further heated by plasma, so that the sputtering efficiency improves, and the film deposition rate improves.
スパッタリング時には、予備加熱されたターゲット材料５がプラズマによって、さらに加熱され、スパッタ効率が向上し、成膜レートが向上する。 - 特許庁 - METHOD FOR SEPARATING SPUTTERING TARGET ASSEMBLED BODY SUBJECTED TO SOLID PHASE DIFFUSION JOINING
固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の分離方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target which provides a transparent electroconductive film with low electric resistance even though containing a reduced amount of indium, and to provide a method for manufacturing the sputtering target.
インジウムを削減しても低抵抗な透明導電膜が得られるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING THE SAME
スパッタリング装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁 - TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, SPUTTERING TARGET AND BASIC BODY WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜付き基体 - 特許庁 - FINE PATTERN FORMING MATERIAL, STACKED STRUCTURE AND SPUTTERING TARGET
微細パターン形成材料、および積層構造体、ならびにスパッタリングターゲット - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET FOR USE IN FORMING CHALCOPYRITE TYPE SEMICONDUCTOR FILM
カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - PRODUCTION OF HIGH DENSITY SPUTTERING TARGET COMPOSED OF TWO OR MORE KINDS OF METALS
２種以上の金属から成る高密度スパッタ・ターゲットの製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target for optical media capable of producing an interference layer, which has a high refractive index and can ensure a sufficient shelf life of an optical medium, of the optical medium by DC sputtering, and to provide a method for producing the sputtering target.
高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をＤＣスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of preventing degradation of the film deposition rate even when a target is continuously used, a PDP (plasma display panel) manufacturing device using the sputtering apparatus, a sputtering method, and a method for manufacturing a plasma display panel.
ターゲットを継続して使用しても、成膜速度が低下することがないスパッタリング装置、このスパッタリング装置を利用したＰＤＰの製造装置、スパッタリング方法及びＰＤＰの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering system and a thin film production method where, when an LaB_6 thin film is deposited by sputtering, the single crystal properties in the wide region domain direction of the obtained LaB_6 thin film is improved.
ＬａＢ_6薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ_6薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。 - 特許庁 - SUPERCONDUCTIVE MAGNETIC FIELD GENERATOR AND FILM SPUTTERING DEVICE USING THE SAME
超電導磁場発生装置及びそれを用いたスパッタリング成膜装置 - 特許庁 - To provide a sputtering target for the deposition of a protective film for optical recording medium, free from cracking even if high electric power sputtering is performed and having excellent strength.
大電力スパッタリングを行っても割れ発生がなく、強度の優れた光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - HIGH FREQUENCY SPUTTERING DEVICE AND THIN FILM FORMING METHOD USING THE SAME
高周波スパッタリング装置及びそれを利用した薄膜形成方法 - 特許庁 - To provide an oblique sputtering deposition system for thin film deposition.
薄膜を作製するために傾斜スパッタリング堆積装置を提供する。 - 特許庁 - OPTICAL RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND TARGET FOR SPUTTERING
光学記録媒体およびその製造方法、並びにスパッタリング用ターゲット - 特許庁 - The target material for sputtering is expressed by the composition of (Zr_x, Hf_1-x)Si_yO_2(1+y) (0≤x≤1, and 0.5≤y≤1.2).
(Zr_x，Hf_1-x)Si_yO_2(1+y)(0≦x≦1、0.5≦y≦1.2)の組成で表されるスパッタリング用ターゲット。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING HIGH-PURITY METAL, HIGH-PURITY METAL, SPUTTERING TARGET CONSISTING OF THIS HIGH-PURITY METAL AND THIN FILM FORMED BY THIS SPUTTERING TARGET
高純度金属の製造方法、高純度金属、同高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜 - 特許庁
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