「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 130 131 次へ＞- ALLOY FOR SEED LAYER OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL
磁気記録媒体のシード層用合金およびスパッタリングターゲット材 - 特許庁 - ITO SINTERED COMPACT, ITO SPUTTERING TARGET AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＩＴＯ燒結体、ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - Mn-CONTAINED COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET WITH LESS OCCURRENCE OF PARTICLE
パーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - PROCESS FOR PRODUCING HIGH PURITY Ti MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
マグネトロンスパッタリング装置用高純度Ｔｉ材の製造方法 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
マグネトロン型スパッタリング装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The titanium metal layer is formed by sputtering or vacuum deposition.
該チタン金属層はスパッタリング又は蒸着によって形成する。 - 特許庁 - Each film, which constitutes the multilayer film, is formed by the sputtering method.
多層膜を構成する各膜はスパッタ法により成膜する。 - 特許庁 - SOLAR CELL, SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL
太陽電池、スパッタリングターゲット及び太陽電池の製造方法 - 特許庁 - MANUFACTURE OF THIN-FILM GAS SENSOR USING DOUBLE ION BEAM SPUTTERING
二重イオンビームスパッタリングを用いる薄膜ガスセンサの製造方法 - 特許庁 - To provide a gallium nitride molded article having a low resistance and a high density, and to provide a gallium nitride sputtering target which allows direct current sputtering.
低抵抗、高密度窒化ガリウム系成形物、直流スパッタリングを可能とする窒化ガリウム系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To manufacture a high-quality Cu-Ga alloy sputtering target.
高品質なＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING WIRING FILM FOR FLAT PANEL DISPLAY
フラットパネルディスプレイ用配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - Co-Ta ALLOY SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION
Ｃｏ−Ｔａ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - To improve sputtering resistivity of an electrode for a cold cathode discharge tube.
冷陰極放電管用電極の耐スパッタリング性を向上る。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET CONSISTING OF HIGH PURITY ALUMINUM OR ITS ALLOY
高純度アルミニウムあるいはその合金からなるスパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET AND PHOTOMASK BLANK MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
スパッタリングターゲット及びこれを用いたフォトマスクブランクの製造方法 - 特許庁 - THIN-FILM TRANSISTOR USING BARRIER LAYER AS STRUCTURE LAYER, AND Cu ALLOY SPUTTERING TARGET USED FOR SPUTTERING DEPOSITION OF THE BARRIER LAYER
バリア層を構成層とする薄膜トランジスターおよび前記バリア層のスパッタ成膜に用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a target and a sputtering target member with which generation of an unstable period where the sputtering amount is unstable can be suppressed.
スパッタリング量が不安定な不安定期間の発生を抑制できるターゲットおよびスパッタリング用ターゲット部材を提供する。 - 特許庁 - As the result, it is possible to perform a stable sputtering operation.
その結果、安定したスパッタ運転を可能にすることができる。 - 特許庁 - The sputtering target hardly causing generation of particles has a sprayed deposit at least on the sides of the sputtering target.
スパッタリングターゲットの少なくとも側面に、溶射皮膜を備えていることを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - HIGH-REFLECTION AND LOW-RESISTANCE THIN FILM AND SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITION OF THE SAME
高反射低抵抗薄膜とその成膜用スパッタリングターゲット - 特許庁 - Then, a thin film wiring 6 is linearly formed by sputtering.
次に、スパッタにより薄膜配線６を直線状に形成する。 - 特許庁 - PRODUCTION OF ITO SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM
ＩＴＯスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - The sputtering yield of the target coating 32 due to the accelerated particles is smaller than the sputtering yield of the target body 31 due to the accelerated particles.
ターゲット被膜３２の加速粒子によるスパッタ率は、ターゲット本体３１の加速粒子によるスパッタ率よりも小さい。 - 特許庁 - When the sputtering gas is introduced, the ratio of a flow rate of a reactive gas introduced through the first sputtering gas introduction pipe 2a with respect to the total sputtering gas is controlled higher than that introduced through the second sputtering gas introduction pipe 2b.
第１のスパッタガス導入管２ａから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合を、第２のスパッタガス導入管２ｂから導入するスパッタガス全体に占める反応性ガスの流量の割合よりも多くしてスパッタガスを導入する。 - 特許庁 - To provide a Cu-Ga alloy sputtering target which enables the formation of a Cu-Ga sputtering film having excellent uniformity in film component composition (film uniformity), enables the reduction of occurrence of arcing during sputtering, has high strength, and rarely undergoes cracking during sputtering.
膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming an optical disk protecting film, which can be used for DC sputtering, whose characteristics hardly deteriorate, when data are rewritten and which is suitable for an optical disk coping with high recording density, and to provide the optical disk protecting film formed by using the sputtering target.
ＤＣスパッタリングが可能で、かつデータ書換え時の特性劣化が小さい、高記録密度対応の光ディスクに好適な保護膜用スパッタリング・ターゲット及び光ディスク保護膜の提供。 - 特許庁 - To provide a sputtering target and a method for producing a sputtering target, the sputtering target having high power-resistant characteristics, and enabling a recording layer of an optical medium containing as a principal component magnesium oxide or germanium oxide with bismuth oxide to be deposited at high speed.
酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムと酸化ビスマスとを主成分とする光メディアの記録層を高速成膜できる、耐電力特性の高いスパッタリングターゲット及び製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide: a sputtering method that evacuates the inside of a chamber in a short time by a simple manner to perform a sputtering of a substrate; a sputter target; a sputtering device; and a method for manufacturing a target.
簡易な手法を用いて短時間でチャンバ内を真空排気してから基板へのスパッタリングを行なうことができるスパッタリング方法、スパッタターゲット、スパッタリング装置およびターゲット作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a dense Mo-based sputtering target containing Na of high strength which prevents any abnormal discharge during the sputtering, or is prevented from cracking or chipping during the manufacture of the target or during the sputtering.
スパッタリング時の異常放電の防止、あるいはターゲットの製造中やスパッタリング中の割れや欠けを防止できる緻密で高強度のＮａを含有するＭｏ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material for forming a thin film, which improves manufacturing easiness in a step of manufacturing an alloy, and stability and simplicity in a sputtering step when using it for a sputtering target.
合金作製にあたっての製造容易さ、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性、簡易性を向上させた薄膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - The sputtering chamber has a sputtering target 136 comprising a backing plate 141 having thermal conductivity of at least about 200 W/mK and electric resistivity of about 2-5 μΩcm and a sputtering plate 137.
スパッタリングチャンバは、熱伝導率が少なくとも約２００Ｗ／ｍＫで、電気抵抗率が約２〜５μΩｃｍのバッキングプレート１４１及びスパッタリングプレート１３７で構成されるスパッタリングターゲット１３６を有する。 - 特許庁 - The zinc oxide based sputtering target is manufactured by using γ-Al_2O_3 as a dopant material, and a zinc oxide based transparent conductive film is formed by using the zinc oxide based sputtering target according to a sputtering method.
ドーパント材料としてγ−Ａｌ_2 Ｏ_3 を用いて酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを製造し、この酸化亜鉛系スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を成膜する。 - 特許庁 - In the disk-shaped optical recording medium having at least one sputtering layer formed by a sputtering method, the inner periphery of the sputtering layer is positioned inside a stack ring.
スパッタ法によって形成されたスパッタ層を少なくとも１層有するディスク状の光記録媒体において、前記スパッタ層の内周が、スタックリングよりも内側に位置している光記録媒体である。 - 特許庁 - The sputtering target is used for a dual cathode sputtering apparatus, and has a chamfered portion in a side end of a face opposing a substrate to be sputtered when mounted on the sputtering apparatus.
デュアルカソードスパッタリング装置に使用するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリング装置に装着した時に、処理対象である基板と対向する面の側端部に面取り部を有するスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which realizes an adequate sputtering by enhancing a cooling effect around the outer peripheral part of the sputtering target without decreasing the durability of the target and by realizing effects of dust prevention the like.
ターゲットの寿命を短くすることなくスパッタリングターゲットの外周部における冷却効果を高めて、ダスト防止等の効果を得て、適正なスパッタリングが実現できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - In one version, the sputtering surface of the sputtering target is lapped to remove a thickness of at least about 25 microns to obtain a sputtering surface having a surface roughness average of from about 4 to about 32 microinches.
一態様において、スパッタリングターゲットのスパッタリング表面をラッピングし、少なくとも約２５ミクロンの厚みを除去し、約４から約３２ミクロインチの表面粗さ平均を有するスパッタリング表面を得る。 - 特許庁 - To provide a rotary sputtering cathode capable of removing deposits on a target surface while suppressing consumption of a target by the sputtering, and to provide a film deposition apparatus having the rotary sputtering cathode.
スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a target assembly for a rotary cylinder type magnetron sputtering cathode which can be inexpensively and efficiently produced, and a sputtering cathode assembly and a rotary cylinder type magnetron sputtering system using the same.
安価で且つ効率良く製作し得る、回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体、それを用いたスパッタリングカソード組立体、及び回転円筒型マグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for producing an optical disk-protective film of low reflectivity with high light transmittance through diminishing particle generation during sputtering operation, thereby reducing the frequency of suspending or stopping the sputtering operation to effect raising film production efficiency.
スパッタリング時のパーティクルの発生を減少させ、スパッタリングの中断または中止の回数を減らして生産効率を上げ、かつ透過率が大きく、低反射率の光ディスク用保護膜を得る。 - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 - 特許庁 - During sputtering the ITO, the glass substrate 22 is kept at room temperature.
ＩＴＯのスパッタリングの間、ガラス基板２２は室温状態とする。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which can attain the prolongation of a service life, and the improvement of uniformity in a sputtering composition and a film thickness distribution.
ターゲット寿命の延長とスパッタ組成及び膜厚分布の均一性向上とを達成できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide an ITO (indium-tin oxide) sputtering target having a length four or more times the width thereof and free from cracking during vacuum evacuation or at the initiation of sputtering.
真空排気時あるいはスパッタリング開始時での割れの発生のない、長さが幅の４倍以上のＩＴＯターゲットを提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET FOR FORMING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE FILM
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC DISK AND SPUTTERING DEVICE USED FOR THE SAME
磁気ディスクの製造方法及びそれに使用するスパッタリング装置 - 特許庁 - OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SPUTTERING TARGET
光情報記録媒体及びその製造方法とスパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a target assembly capable of improving operations for stabilizing characteristics of a sputtering target by reducing a burn-in time of the sputtering target.
スパッタリングターゲットの特性を安定させるための動作、いわゆるバーンイン（burn-in）に要する時間を短縮するターゲットアセンブリを提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR EL LIGHT EMITTING LAYER FORMATION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
ＥＬ発光層形成用スパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁 - Ti is formed on a drift layer 20 by a sputtering film-forming method.
ドリフト層２０上にスパッタ成膜法によりＴｉを形成する。 - 特許庁
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