「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 130 131 次へ＞- -Sputtering high growth in emerging economies because of monetary tightening.
・新興国の金融引締め等による高成長の陰り、 - 経済産業省 - Pd-W BASED SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｐｄ−Ｗ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - FePt-C-BASED SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
ＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - Since a plurality of types of sputtering materials are supplied separately to the respective bell caps 12A, 12B, it is not probable that the sputtering materials are mixed with one another to form sputtering particles with different colors.
複数種類の塗料は１種類ずつ個別のベルカップ１２Ａ，１２Ｂに供給されるので、塗料が互いに混合して別の色の塗料粒を形成する虞はない。 - 特許庁 - To provide a sputtering method and the like which can efficiently deposit a sputtering film having a desired composition by the sputtering method using elements in group-IB, group-IIIB, and group-VIB of the periodic table.
周期表ＩＢ族、ＩＩＩＢ族、ＶＩＢ族の元素を用いるスパッタリング法により、所望の組成のスパッタリング膜が効率よく形成可能なスパッタリング方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which suppresses the generation of nodules when a transparent conductive film is formed by sputtering method thereby attaining the stable deposition of the film, and to provide a process for producing the sputtering target.
スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the alloy film including the first material and the second material, comprises a step of rotating the sputtering target 10, and a step of sputtering while rotating the sputtering target 10.
スパッタターゲット１０を回転させるステップと、スパッタターゲット１０を回転させながら、スパッタリングするステップとにより第１の材料と第２の材料とを含む合金膜を製造する。 - 特許庁 - A sputtering device is composed of a sputtering mechanism 10 and a control mechanism 20, where the sputtering mechanism 10 is provided with a grain check chamber 16, which measures the grain size of a film formed on a wafer.
スパッタ装置は、スパッタ機構１０と操作機構２０とから構成され、スパッタ機構１０はウェーハに成膜された膜のグレインサイズを測定するグレイン検査室１６を備える。 - 特許庁 - A target 2, which is placed inside the sputtering chamber 1 equipped with an exhaust system 11, is sputtered using a sputtering power source 3 so that sputtering particles emitted therefrom reach a substrate 50 to form a film.
排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of uniformly etching a surface of a substrate in the sputtering apparatus to clean the substrate and deposit a film on the substrate by using the sputtering.
スパッタリングを用いて基板のクリーニングおよび基板への成膜を行うスパッタリング装置において、基板表面を均一にスパッタエッチングすることができるスパッタリング装置の提供。 - 特許庁 - To provide a sputtering target capable of effectively preventing cracking of the sputtering target itself while reducing arcing caused during sputtering even when high input electric power is introduced.
高い投入電力を導入してもスパッタリング時に発生するアーキングを低減しつつ、かつスパッタリングターゲット自体の割れが発生するのを有効に防止するスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which can be used for forming a multilayer film having no mutual diffusion or a mutual reaction in an interface between films formed from two different materials through an ion beam sputtering or magnetron sputtering technique.
イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁 - Substrate film of a transition metal is formed on a quartz glass substrate by sputtering with a high frequency sputtering device and vanadium dioxide film is formed on the substrate film by reactive sputtering.
高周波スパッタリング装置を用いて、石英ガラス基板の上にスパッタリングによって遷移金属の下地膜を成膜し、その上に反応性スパッタリングによって二酸化バナジウムを成膜する。 - 特許庁 - A mixed sputtering film 3 containing nichrome sputtering particles and copper sputtering particles as main components is formed on at least one surface of a polyimide film W1 to provide a copper-plated material W2.
ポリイミドフィルムＷ１の少なくとも片面に、主成分としてニクロムスパッタ粒子と銅スパッタ粒子とを含有する混合スパッタ膜３を形成した被銅メッキ処理材Ｗ２とした。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a Cu-Ga film of a Ga additive concentration of 1-40 atom% to which Na is preferably added by a sputtering method, and to provide a method for producing the sputtering target.
スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering target by which a large-sized sputtering target can easily and safely be attached and detached to and from a system and the utilization efficiency of the sputtering target can be increased and further the cracking of tiles during sputtering can be prevented.
大型スパッタリングターゲットの装置への装脱着が、安全かつ容易に行うことが可能で、スパッタリングターゲットの利用効率を上げることができて、更に，スパッタリング中にタイルの割れを防止することができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - In the method wherein an electrode is formed on the piezoelectric component composed of piezoelectric ceramic by a sputtering method, a Ni-Cr alloy is made to be a target material, Ar gas is used as sputtering gas, a sputtering pressure is set in a range of 0.2-0.5 Pa, and sputtering is performed.
圧電セラミックスよりなる圧電部品に電極をスパッタリング法により形成する方法において、Ｎｉ−Ｃｒ合金をターゲット材料とし、スパッタガスにＡｒガスを使用し、スパッタガス圧を０．２〜０．５Ｐａの範囲に設定してスパッタリングを行う。 - 特許庁 - In the sputtering target, a surface on a side of a sputtering surface to which the target atoms are sputtered, is thickened concentrically according to a distance from the center of the sputtering surface so that the sputtering surface is curved, and also a plurality of recessed and projected parts are formed in the surface of the curved sputtering surface.
また、スパッタリング用ターゲットは、前記ターゲット原子がスパッタされるスパッタ面側の表面にスパッタ面の中心からの距離に応じた同心円状の厚みを持たせることによって前記スパッタ面が湾曲させられるとともに、湾曲させられた前記スパッタ面の表面に複数の凹凸形状部が形成されている。 - 特許庁 - Further, the sputtering cathode group preferably includes a second sputtering cathode array which is disposed apart prescribed intervals from the first sputtering cathode array in the above moving direction and is disposed in the positions not overlapping on the respective sputtering cathodes of the first sputtering cathode array in the moving direction.
さらに、前記スパッタカソード群が、前記第１のスパッタカソード列と前記移動方向に所定の間隔を配して設けられると共に、前記移動方向に対して前記第１のスパッタカソード列の各々のスパッタカソードと重複しない位置に配された複数のスパッタカソードからなる第２のスパッタカソード列を具備することが望ましい。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SOLID PHASE DIFFUSION-JOINED SPUTTERING TARGET ASSEMBLY
固相拡散接合スパッタリングターゲット組立て体の製造方法 - 特許庁 - A target is demarcated into a plurality of areas, and the power used for each sputtering is obtained every time when each sputtering is completed.
ターゲットを複数の領域に区画し、各回のスパッタリングの終了毎にその回のスパッタリングに使用された電力を求める。 - 特許庁 - PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL DISK, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE FILM
光ディスク用保護膜及び保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR DEPOSITION OF OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE LAYER, SHOWING EXCELLENT RESISTANCE TO LOSS BY FRACTURE UNDER HIGH OUTPUT SPUTTERING CONDITION
高出力スパッタ条件ですぐれた耐割損性を発揮する光記録媒体保護層形成用スパッタリングターゲット焼結材 - 特許庁 - To provide an apparatus sputtering a material on a working piece.
加工片上に材料をスパッタリングする装置を提供する。 - 特許庁 - METALLIC MATERIAL, SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR THIN FILM DEPOSITION AND THIN FILM
金属材料、薄膜形成用スパッタリングターゲット材及び薄膜 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND SPUTTERING DEPOSITION EQUIPMENT
半導体発光素子の製造方法およびスパッタ成膜装置 - 特許庁 - Both sources are arranged, so that a plasma region of the Si sputtering source 3 and a plasma region of the Co sputtering source 4 overlap each other.
そして、Ｓｉスパッタ源３のプラズマ領域とＣｏスパッタ源４のプラズマ領域とが重なるように配置されている。 - 特許庁 - To provide a sputtering method which can form a film on a product by sputtering as promptly as possible after a target has been replaced.
ターゲット交換後、可及的速やかに製品へのスパッタリングによる成膜処理が行い得るスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING RECORDING LAYER OF MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM EXHIBITING EXCELLENT CRACKING RESISTANCE UNDER HIGH SPUTTERING POWER
高スパッタ電力ですぐれた耐割損性を発揮する光磁気記録媒体の記録層形成用焼結スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET OF HIGH MELTING POINT METAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
高融点金属スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - METAL MOLD RELEASING TREATMENT METHOD BY RF BIAS ECR SPUTTERING
ＲＦバイアス式ＥＣＲスパッタリング金型離型処理方法 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering apparatus, and a magnetron sputtering method by which the distribution of film thickness can easily be controlled by using a blocking body.
遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁 - OPTICAL RECORDING MEDIUM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET
光記録媒体およびその製造方法ならびにスパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION METHOD AND REGENERATION METHOD THEREFOR
スパッタリング用ターゲット、並びに、その製造方法及び再生方法 - 特許庁 - when the thin film is formed using a magnetron sputtering device, a prescribed magnetic field is kept applied, while sputtering is being carried out.
薄膜がマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜される場合、スパッタが行われる間、所定の磁場が常に保持され続ける。 - 特許庁 - METHOD AND SYSTEM FOR MANUFACTURING OPTICAL THIN FILM BY SPUTTERING
スパッタリングによる光学薄膜の製造方法及び製造装置 - 特許庁 - The sputtering target is composed of the obtained composite oxide-sintered compact.
得られた複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, THIN-FILM-FORMING APPARATUS AND THIN-FILM-FORMING METHOD
スパッタ用ターゲット，薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF PRODUCING OXIDE FILM USING THE SAME
スパッタリングターゲットおよびそれを用いた酸化膜の製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which detects any abnormal sputtering of a metal other than a target material, and prevents a large volume of defective production.
ターゲット材以外の金属の異常スパッタリングを検出し、大量の不良生産を防止するスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR JOINING SPUTTERING TARGET AND SUPPORTING BOARD THEREFOR
スパッタリング用ターゲットとその支持板との接合方法及び装置 - 特許庁 - DIFFUSION-JOINED SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND ITS PRODUCING METHOD
拡散接合スパッタリングターゲット組立て体及びその製造方法 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING SOURCE, SPUTTER-COATING SYSTEM AND METHOD FOR COATING SUBSTRATE
マグネトロンスパッタリング源、スパッタコーティング装置、及び基板コーティング方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING THE TARGET
スパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた薄膜の形成方法 - 特許庁 - The sputtering target is comprised of the silver alloy.
また、本発明に係るスパッタリングターゲットは前記銀合金からなる。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM, AND ITS PRODUCTION METHOD
磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - MAGNET UNIT FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM, AND MAGNET ATTACHING/DETACHING METHOD
マグネトロンスパッタ装置用磁石ユニット及び磁石着脱方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE FILM FORMATION WITH LESS PARTICLE GENERATION
パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - SINTERED COMPOSITE OXIDE, AND SPUTTERING TARGET COMPRISING THE SAME
複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット - 特許庁
