To provide a magnetron unit of a sputtering apparatus, which can effectively cool a target, and provide the sputtering apparatus. ターゲットを効果的に冷却することができるスパッタリング装置のマグネトロンユニット及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus for efficiently performing sputtering deposition, and a method for manufacturing a liquid crystal device. 効率よくスパッタ成膜を行うことのできる、スパッタリング装置、及び液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING Co-Fe BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND Co-Fe BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL Co−Fe系合金スパッタリングターゲット材の製造方法およびCo−Fe系合金スパッタリングターゲット材 - 特許庁
Nitrogen is introduced as a sputtering gas and carbon dioxide is introduced as a processing gas, into an oxidation sputtering chamber 11. 酸化スパッタチャンバ11内には、スパッタガスとして窒素を導入し、プロセスガスとして二酸化炭素を導入する。 - 特許庁
The soft magnetic film is formed in a sputtering chamber 11 by a sputtering method while inert gas and hydrogen are introduced. スパッタ室11内に、不活性ガスとともに水素を導入しながら軟磁性膜をスパッタ法により成膜する。 - 特許庁
To provide a magnetron sputtering apparatus having a function of monitoring nodules formed during the sputtering, a magnetron sputtering apparatus having a nodule removing function, and a method thereof. スパッタ中に形成されるノジュールをモニタする機能を具えたマグネトロンスパッタリング装置と、されに、ノジュール除去機能を具えたマグネトロンスパッタリング装置とその方法を提供すること。 - 特許庁
The method uses a reactor 150 in which long throw sputtering, self-ionized plasma (SIP) sputtering, induction coupling plasma (ICP) resputtering and coil sputtering are combined in one chamber. ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ(SIP)スパッタリング、誘導結合プラズマ(ICP)再スパッタリング及びコイルスパッタリングを1つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ150を使う。 - 特許庁
To provide a method for producing a sputtering target for forming a phase change film having reduced generation of particles upon sputtering. スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a Te-based sputtering target for forming the film of an optical recording medium with reduced particle production during sputtering. スパッタリング時にパーティクル発生が少ない光記録媒体膜形成用Te系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus in which film deposition distribution and coverage distribution are more improved compared with a conventional sputtering apparatus. 従来のスパッタ装置よりも、さらに成膜分布及びカバレージ分布を向上させたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
OXIDE SINTERED COMPACT, AND SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE SAME 酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット - 特許庁
SPUTTERING DEVICE, ITS OPERATION CONTROL METHOD, AND OPTICAL DISK スパッタ装置、その運転制御方法および光ディスク - 特許庁
SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION OF OPTICAL RECORDING MEDIUM スパッタリングターゲットおよび光記録媒体の製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND BARRIER FILM スパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及びバリア膜 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, LIGHT-SHIELDING FILM, COLOR FILTER AND DISPLAY ELEMENT BODY スパッタリングターゲット、遮光膜、カラーフィルタ及び表示素子体 - 特許庁
ZnO film 105 is formed by ECR sputtering method. ZnO膜105は、ECRスパッタ法で作製した。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL MEDIUM, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 光メディア用スパッタリングターゲット、および、その製造方法 - 特許庁
To densify a thin film formed by a sputtering method. スパッタリング法で形成される薄膜を高密度化する。 - 特許庁
METHOD OF CLEANING SURFACE OF CONTAMINATION PLATE OF SPUTTERING SYSTEM, AND CONTAMINATION PLATE スパッタ装置の防着面清掃方法及び防着板 - 特許庁
SPUTTERING TARGET AND THIN FILM FOR OPTICAL INFORMATION-RECORDING MEDIUM スパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜 - 特許庁
BACKING PLATE AND SPUTTERING TARGET-BACKING PLATE ASSEMBLED BODY バッキングプレート及びスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM スパッタリングターゲット、その製造方法及び透明導電膜 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus superior in cooling performance. 冷却性能に優れたスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
PLASMA SPUTTERING PROCESS FOR FORMING THIN FILM AND FILM-FORMING APPARATUS プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置 - 特許庁
RF-SPUTTERING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE RFスパッタ装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING HARDLY WORKABLE ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL 難加工性合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR CONTROLLING REACTIVE SPUTTERING AND FILM DEPOSITION METHOD 反応性スパッタリングの制御方法及び成膜方法 - 特許庁
OPTICAL RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET THEREFOR 光記録媒体及び光記録媒体用スパッタリングターゲット - 特許庁
METHOD FOR FORMING THIN-FILM BY PLASMA SPUTTERING AND FILM-FORMING APPARATUS プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置 - 特許庁
The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like. 選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、2極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、3極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマCVD法などである。 - 特許庁
DOUBLE SHUTTER CONTROL METHOD FOR MULTITARGET SPUTTERING DEPOSITION SYSTEM 多元スパッタ成膜装置の二重シャッタ制御方法 - 特許庁
SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION 焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 - 特許庁
COPPER MATERIAL FOR SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME スパッタリングターゲット用銅材料及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETRON SPUTTERING ELECTRODE, FILM DEPOSITION SYSTEM, AND FILM DEPOSITION METHOD マグネトロンスパッタ電極、成膜装置及び成膜方法 - 特許庁
PRODUCTION OF SPUTTERING TARGET CONTAINING ZINC OXIDE 酸化亜鉛を含有するスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
ALUMINUM SHEET FOR SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME スパッタリングターゲット用アルミニウム板、及びその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND COPPER WIRING FILM スパッタリングターゲット、その製造方法および銅配線膜 - 特許庁
Then, an amorphous silicon film is formed through a sputtering method. つぎに、スパッタ法により、アモルファス・シリコン膜を形成する。 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET 相変化型情報記録媒体及びスパッタリングターゲット - 特許庁
Then titanium of a contact layer is deposited by sputtering. 次に、スパッタリングによって密着層のチタンを堆積する。 - 特許庁
MAGNETRON SPUTTERING METHOD AND PRODUCTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM マグネトロンスパッタ法および磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁
PALLADIUM ALLOY SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF Pd合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
Furthermore, when performing the sputtering, ion bombarding treatment is performed. また、このスパッタリングを行う際、イオンボンバード処理を行う。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SINTERED BODY スパッタリングターゲット及び酸化物焼結体の製造方法 - 特許庁
A thin film of each layer is produced by magnetron sputtering. 各層の薄膜は、マグネトロンスパッタリングにより作製される。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC PARTS スパッタリングターゲットとその製造方法、および電子部品 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTION LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD 保護層形成用スパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁
HIGH FREQUENCY SPUTTERING EQUIPMENT AND METHOD 高周波スパッタリング装置及び高周波スパッタリング方法 - 特許庁
PLASMA SPUTTERING METHOD FOR FORMING THIN FILM, AND FILM- FORMING APPARATUS プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置 - 特許庁
METAL MASK FOR SPUTTERING, COLOR FILTER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR スパッタ用メタルマスク及びカラーフィルタ及びその製造方法 - 特許庁