METAL RESISTOR MATERIAL AND SPUTTERING TARGET 金属抵抗体材料およびスパッタリングターゲット - 特許庁
SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCING METHOD 銀合金スパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁
ALUMINUM-CONTAINING SILICON ALLOY TARGET FOR SPUTTERING スパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット - 特許庁
SECONDARY ION ANALYZER, AND DEVICE FOR SPUTTERING ION BEAM 二次イオン分析装置及びイオンビームスパッタ装置 - 特許庁
ITO SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME ITOスパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR BONDING SPUTTERING TARGET TO RECEIVING BOARD スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 - 特許庁
SPLIT SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 分割スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
SPUTTERING CHAMBER SHIELD TO RELIABLY IGNITE PLASMA プラズマを確実に点弧させるスパッタリングチャンバシールド - 特許庁
This sputtering target 10 has a sputtering target plate 12, a first sputtering member 14 which is composed of a first material and is arranged on the sputtering target plate 12, and a second sputtering member 16 which is composed of a second material and is arranged on a different position of the sputtering target plate 12 from the one on which the first sputtering member 14 is arranged. スパッタターゲット10は、スパッタターゲットプレート12と、第1の材料により形成され、スパッタターゲットプレート12上に配置された第1スパッタ部材14と、第2の材料により形成され、スパッタターゲットプレート12上の第1スパッタ部材14が配置された位置とは異なる位置に配置された第2スパッタ部材16とを有する。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET AND PART USED IN APPARATUS FOR FORMING THIN FILM スパッタリングターゲット及び薄膜形成装置部品 - 特許庁
MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM マグネトロンスパッタリング装置及び薄膜の製造法 - 特許庁
PLASMA TREATING DEVICE FOR APPLICATION TO SPUTTERING FILM FORMATION スパッタ成膜応用のためのプラズマ処理装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING FOR COBALT SPUTTERING TARGET WITH LOW MAGNETIC PERMEABILITY 低透磁率コバルトスパッターターゲットの製造方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING WIRING, AND PLASMA SPUTTERING REACTOR 配線を形成する方法及びプラズマスパッタリアクタ - 特許庁
To reduce a metal required for sputtering. スパッタに必要な金属が減少することである。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET PROVIDED WITH BACKING PLATE バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
Ag BASED SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD Ag系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
NICKEL ALLOY SPUTTERING TARGET, AND NICKEL SILICIDE FILM ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケルシリサイド膜 - 特許庁
To provide a sputtering method which can improve embedding properties when a metallic material is embedded in recessed parts by a single sputtering apparatus, and to provide a sputtering apparatus used for the sputtering method. 単一のスパッタ装置によって金属材料を凹部に埋め込む際にその埋め込み性を向上させることができるスパッタ方法及び該スパッタ方法に用いられるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
COPPER TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING, AND ITS MANUFACTURE スパッタ用銅ターゲット材およびその製造方法 - 特許庁
The sputtering time, in the titanium seed layer forming step, is ≥2% and ≤20% of the sputtering time that the same sputtering apparatus requires, when it forms a continuous film of titanium used in the sputtering method. 前記種チタン層を形成する工程におけるスパッタ時間は、前記スパッタ法に用いるスパッタ装置によりチタンの連続膜が形成される所要スパッタ時間の2%以上20%以下の時間である。 - 特許庁
The overlay 4 is formed by sputtering, etc. オーバレイ4は、例えばスパッタリングにより形成する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING METAL SPUTTERING TARGET 金属スパッタリング・ターゲット材料を作成する方法 - 特許庁
ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME ITOスパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁
TITANIUM NITRIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 窒化チタンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁
The heat-ray reflecting film 1 includes the first sputtering layer 31, the second sputtering layer 32 and the third sputtering layer 33 overlying a transparent substrate film 2 in order by sputtering. 透明な基材フィルム2と、基材フィルム2の表面にスパッタリングにより順次積層形成した、第1スパッタ層31、第2スパッタ層32、第3スパッタ層33とを有する熱線反射フィルム1。 - 特許庁
The overlay 4 is formed by a sputtering device. このオーバレイ4は、スパッタリング装置にて形成する。 - 特許庁
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SPUTTERING SYSTEM 半導体デバイスの製造方法とスパッタリング装置 - 特許庁
SPUTTERING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC DEVICE スパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法 - 特許庁
MOLYBDENUM SPUTTERING TARGET MATERIAL AND ITS PRODUCTION Moスパッターリングターゲット材及びその製造方法 - 特許庁
The sputtering target consists of a high-purity Ta material. スパッタリングターゲットは高純度Ta材からなる。 - 特許庁
Ta SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME Taスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁