「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 130 131 次へ＞- To prevent the growth of a re-depositing material on the sputtering target.
スパッタリングターゲット上に再堆積する材料の成長を防ぐ。 - 特許庁 - A sputtering apparatus using a complex target of a silicon target 2 and an Eu_2O_3 sintering member 1 in order to deposit this luminant by co-sputtering is provided.
この発光体を共スパッタで成膜するために、シリコンターゲット２とＥｕ_2Ｏ_3焼結体１との複合ターゲットを用いたスパッタ装置。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM
スパッタターゲット、磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁 - ZINC OXIDE SINTERED COMPACT, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND SPUTTERING TARGET
酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET FOR PREPARING TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM
透明導電性薄膜作製用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, FILM-FORMING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL COMPONENT
マグネトロンスパッタ装置、成膜方法、及び光学部品の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE GLASS SUBSTRATE
スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電ガラス基板 - 特許庁 - METHOD OF PRODUCING MASK BLANK, AND SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING MASK BLANK
マスクブランクの製造方法、及びマスクブランク製造用スパッタリングターゲット - 特許庁 - TARGET ASSEMBLY AND SPUTTERING APPARATUS PROVIDED WITH THE TARGET ASSEMBLY
ターゲット組立体及びこのターゲット組立体を備えたスパッタリング装置 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING OPTICAL RECORDING PROTECTIVE FILM AND ITS PRODUCTION
光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of improving the temperature stability in a wafer surface when performing the sputtering film deposition and achieving the film deposition of uniform property.
スパッタ成膜時のウェハ面内の温度安定性を向上させ、性質の均一な成膜が達成できるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - ELECTRONIC CYCLOTRON RESONANCE PLASMA SPUTTERING DEVICE, AND MANUFACTURE OF THIN FILM
電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタ装置及び薄膜の製造方法 - 特許庁 - In the sputtering step, a high frequency power (RF1) is supplied to an antenna coil 23, and a sputtering gas plasma is formed inside a vacuum tub 21.
スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Fe-Co-Ni-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Co-Fe-Ni-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁 - The sputtering conditions are 5 Pa gas pressure, 3 kw power, and 5 see time.
スパッタ条件は、ガス圧：５Ｐａ、パワー：３ｋｗ、時間：５ｓｅｃとした。 - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE MEMBRANE
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR PERMANENT MAGNET THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - A photocatalytic titanium oxide thin film is deposited by gas flow sputtering.
ガスフロースパッタリングにより、成膜された光触媒酸化チタン薄膜。 - 特許庁 - BACKING PLATE FOR SPUTTERING TARGET AND TARGET/BACKING PLATE ASSEMBLED BODY
スパッタリングターゲット用バッキングプレートおよびターゲット／バッキングプレート組立体 - 特許庁 - Ion bombardment is preferably performed before performing the sputtering.
好ましくは、前記スパッタリングを行う前にイオンボンバード処理を行う。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering method capable of efficiently and uniformly performing the sputtering film deposition on a semiconductor wafer by using a strip-like target.
マグネトロンスパッタ法において短冊形ターゲットを使用して半導体ウエハにスパッタ成膜を効率的かつ均一に行えるようにする。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL CONTAINING OXIDE
酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁 - The recording layer can be formed with bias sputtering.
かかる記録層はバイアススパッタ法を用いて形成することができる。 - 特許庁 - DISCHARGE LASER HAVING SPUTTERING CAVITY AND ELECTRODE INCLUDING DISCHARGE PEAK
スパッタ空洞及び放電ピークを持つ電極を備える放電レーザ - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM HAVING REDUCED GENERATION OF PARTICLE
パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE THIN FILM
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING FILM HAVING HIGH REFRACTIVE INDEX, AND ITS PRODUCTION METHOD
高屈折率膜形成用のスパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME
スパッタ方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target in which the generation of dust is effectively prevented.
ダストの発生が有効に防止されたスパッタリングターゲットの提供 - 特許庁 - At this time, the substrate 21 is sustained at normal temperature in the sputtering device.
このとき、基板２１はスパッタリング装置内で常温に維持される。 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MANUFACTURING METHOD OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET
磁気記録媒体、磁気記録媒体製造方法及びスパッタターゲット - 特許庁 - More preferably, the PVD method is an evaporation method or a sputtering method.
ＰＶＤ法が、蒸着法、スパッタリング法であるとさらに好ましい。 - 特許庁 - PD-CR-W-BASED SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Ｐｄ−Ｃｒ−Ｗ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - Gate metal 19 is deposited by sputtering or the like, and subjected to lift-off.
次にゲートメタル１９をスパッタリングなどで堆積させ、リフトオフする。 - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM
酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電性薄膜 - 特許庁 - FILM-FORMING APPARATUS, PLASMA CVD APPARATUS, METHOD OF FORMING FILM, AND SPUTTERING APPARATUS
成膜装置、プラズマＣＶＤ装置、成膜方法及びスパッタ装置 - 特許庁 - The obtained molding is fired and is worked, so as to obtain a sputtering target.
得られた成形体を焼成し、加工してスパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁 - To provide a surface treatment apparatus for a thin sheet by plasma sputtering.
プラズマスパッタリングによる薄板の表面処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering device capable of generating the suitable magnetic field for allowing self-sputtering to stably occur and to provide a film forming method.
セルフスパッタリングを安定に生じさせるために適切な磁場を発生可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING DEVICE, METHOD FOR FORMING FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
スパッタ装置、成膜方法および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide a zinc oxide based sputtering target having a sufficiently high density and a satisfactorily low resistivity and to provide a method of manufacturing the zinc oxide based sputtering target.
密度が十分に高く、比抵抗も十分に低い酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
スパッタリングターゲット、半導体装置および半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The sputtering target comprises Si and C as the main components.
主成分としてＳｉとＣとを含有するスパッタリングターゲットである。 - 特許庁 - With the configuration, the sputtering gas having high molecular weight is preferentially ionized, thereby improving the sputtering performance.
このようにすることにより、分子量の大きいスパッタリングガスを優先的にイオン化することによりスパッタリング能力を高めることができる。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL COMPOSED OF COBALT ALLOY AND ITS PRODUCTION
コバルト合金よりなるスパッタリングタ—ゲット材料及びその製造方法 - 特許庁 - The metallic layer 5 is formed by means of sputtering or ion plating.
金属層５は、スパッタリング又はイオンプレーティングによって形成される。 - 特許庁 - INDIUM OXIDE POWDER AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO SPUTTERING TARGET
酸化インジウム粉末およびＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTION LAYER OF OPTICAL RECORDING MEDIUM
光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING REFLECTION FILM IN OPTICAL RECORDING MEDIUM
光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット - 特許庁
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