「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 130 131 次へ＞- Further, the sputtering target material for depositing the Ag alloy film with the above composition is provided.
また、上記組成のＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁 - With this construction, the thicknesses of sputtering films 101, 102 and 103 are reduced uniformly, while the directivities of sputtering particles are maintained.
このことによって、スパッタ粒子の指向性を落とすことなく遮蔽板１、２、３に付着するスパッタ膜１０１、１０２、１０３の膜厚が均等に薄くなる。 - 特許庁 - SPUTTERING SYSTEM, TARGET FIXING STRUCTURE THEREOF AND PRODUCTION DEVICE OF LIQUID CRYSTAL APPARATUS
スパッタ装置とそのターゲット固定構造及び液晶装置の製造装置 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING TARGET, AND BOX USED THEREFOR
スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法およびこれに用いる箱体 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, ITS MANUFACTURING METHOD, AND WRITE-ONCE TYPE OPTICAL RECORDING MEDIUM
スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに追記型光記録媒体 - 特許庁 - METHOD FOR COATING BASE MATERIAL WITH FILM, AND SPUTTERING EQUIPMENT USED THEREFOR
基体に被膜を被覆する方法およびその方法に用いるスパッタリング装置 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - To provide a method for reducing the permeability of a target material by the magnetron sputtering method.
マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。 - 特許庁 - To provide a sputtering system by which sputtering particles can be arrived onto a substrate with high directivity so as to deposit a film, and to provide a production device for a liquid crystal apparatus.
指向性よくスパッタリング粒子が基板上に到達して成膜ができるスパッタリング装置および液晶装置の製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus promoting ionization of sputtering particles by preventing generation of arc discharge and increasing the pulse peak current as much as possible.
アーク放電の発生を防止し、かつ、パルスピーク電流値をできるだけ大きくしてスパッタ粒子のイオン化を促進できるスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR INTERFERENCE FILM OF OPTICAL RECORDING MEDIUM AND ITS PRODUCTION
光記録媒体の干渉膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, PHASE SHIFT MASK BLANK AND PHASE SHIFT MASK
スパッタリングターゲット、その製造方法、位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク - 特許庁 - To provide a sputtering method carrying out sputtering process in a correction part in a circuit in an intended process shape without reducing processing yield.
加工歩留まりを低下させることなく、回路修正個所におけるスパッタ加工を意図した加工形状にて行うことのできるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR STRAIGHTENING SPUTTERING TARGET/ BACKING PLATE ASSEMBLY
スパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体の矯正方法及び同矯正装置 - 特許庁 - The heat radiation during the pre-sputtering mode is prevented thereby, and the sputtering in a low-temperature range can be realized by suppressing the temperature rise of the substrate 4 to be low.
したがって、プレスパッタリング時の熱輻射を防ぎ、基板４の温度上昇を低く抑えることにより低温域でのスパッタリングを可能とした。 - 特許庁 - To provide a film deposition method where the generation of nodules can be suppressed upon film deposition by a magnetron sputtering process, and to provide a sputtering system.
マグネトロンスパッタリング法による成膜時において、ノジュールの発生を抑制することができる成膜方法及びスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a sputtering target of an Al-based Ni-containing alloy which does not cause sputtering failure such as arcing (overdischarge), even if the film-forming speed is increased.
成膜速度を速くしても、アーキング（異常放電）などのスパッタリング不良が発生しないＮｉ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, SILICON CARBIDE FILM, OPTICAL DISK AND PRODUCTION METHOD FOR THE OPTICAL DISK
スパッタリングターゲット、炭化珪素被膜、光ディスク及び光ディスクの製造方法 - 特許庁 - A process kit for the sputtering chamber is equipped with a deposition ring and a cover ring for placement about a substrate support in the sputtering chamber, and a shield assembly.
スパッタリングチャンバ用のプロセスキットは、スパッタリングチャンバ内で基板支持体の周りに配置するための堆積リング、カバーリング及びシールドアッセンブリを備えている。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering source, a sputtering-coating system and a method for the treatment of a substrate by means of which the efficiency of coating process can be increased by increasing power density.
出力密度を上げることでコーティング処理の効率を向上したマグネトロンスパッタリング源、スパッタコーティング装置及び基板の処理方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, SINTERED COMPACT AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM PRODUCED BY UTILIZING THEM
スパッタリングターゲット及び焼結体それらを利用して製造した導電膜。 - 特許庁 - HIGH PURITY NICKEL OR NICKEL ALLOY SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
高純度ニッケル又はニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - BARIUM SILICIDE POLYCRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND BARIUM SILICIDE SPUTTERING TARGET
珪化バリウム多結晶体、その製造方法ならびに珪化バリウムスパッタリングターゲット - 特許庁 - At the time when a heat generating resistor layer 4 is formed by film-depositing cermet using sputtering, a sputtering gas comprising krypton or xenon is used.
スパッタリングを使用してサーメットを成膜することにより発熱抵抗体層４を形成する際に、クリプトンまたはキセノンを含むスパッタガスを用いる。 - 特許庁 - The sulfuration resistance barrier layer is deposited by sputtering using Si-Al as a target and the mixed gas consisting of argon, nitrogen and methane as sputtering gas.
耐硫化バリヤ層はＳｉ−Ａｌをターゲットとし、アルゴン、窒素及びメタンの混合ガスをスパッタガスとして用いてスパッタリングを行うことにより形成される。 - 特許庁 - BOX TYPE FACING TARGET SPUTTERING SYSTEM, AND METHOD OF PRODUCING COMPOUND THIN FILM
箱型対向ターゲット式スパッタ装置及び化合物薄膜の製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target for the formation of the protective film of an optical recording medium wherein the target has high strength and is free from cracks even when high power sputtering is carried out.
高強度を有し、高出力スパッタリングを行っても割れ発生がない光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To stably form a film through sputtering, by inhibiting overdischarge occurring when forming the film through sputtering while rotating a rotation drum.
回転ドラムを回転させてスパッタ成膜をしているときに生じる異常放電の発生を抑制し、安定したスパッタ成膜をすることができる。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of preventing any non-erosive area from remaining on a target, and depositing a film of a uniform quality when performing the responsive sputtering.
ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - By using this sputtering target, electric properties necessary for interconnection can be provided and a high uniformity thin film of minimal particle can be formed by sputtering.
このスパッタ・ターゲットでは、相互連結で望まれる電気的特性を有し、また最小限パーティクルの高均一性薄膜がスパッタリング形成できる。 - 特許庁 - The conductive oxide is preferably used for a target of the sputtering method.
導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a gas introducing apparatus, a sputtering apparatus and a sputtering method, capable of producing a magnetic film having the consistently excellent magnetic characteristic distribution.
安定して良好な磁気特性分布を持った磁性膜を作製可能なガス導入装置、スパッタリング装置、およびスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which uses a single sputtering chamber to adequately perform the contact filling of an Al material into an opening part formed in a substrate.
単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料のコンタクト埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target suitable for forming a barrier layer of a Cu wiring used in a semiconductor element etc., and the sputtering target.
半導体素子などに用いられるＣｕ配線のバリア層の形成に好適なスパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system capable of properly embedding Al material in an opening part formed on a substrate, using a single sputtering chamber.
単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料の埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - Sputtering particles are made to fly from a helicon sputtering source 52 by setting a film deposition rate of a gold thin film 12 to the range from 0.01 nm/s to 0.6 nm/s.
金薄膜１２の成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓ以上、０．６ｎｍ／ｓ以下の範囲に設定し、ヘリコンスパッタ源５２からスパッタ粒子を飛翔させる。 - 特許庁 - Mg SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN FILM OF MgO WITH LITTLE GENERATION OF PARTICLE
パーティクル発生の少ないＭｇＯ薄膜形成用Ｍｇスパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, ITS PRODUCTION METHOD, REFLECTIVE COATING, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
スパッタリングターゲット、その製造方法、反射膜、及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - 特許庁 - Before sputtering, impurity can be removed from the silicon surface within the mask window.
スパッタの前に、マスク窓内のシリコン表面から不純物が除去される。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - To provide a silicon target for sputtering film formation, achieving formation of a high-quality silicon-containing thin film by suppressing dust generation during sputtering film formation.
スパッタリング成膜時の発塵を抑制して高品質な珪素含有薄膜の成膜を可能とするスパッタリング成膜用珪素ターゲットを提供すること。 - 特許庁 - It is preferable to regulate oxygen content in the sputtering target to ≤250 ppm.
スパッタリングターゲット中の酸素含有量は250ppm以下とすることが好ましい。 - 特許庁 - METHOD OF FORMING DIELECTRIC THIN FILM AND HIGH-FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
誘電体薄膜の形成方法および高周波マグネトロンスパッタリング装置 - 特許庁 - CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET, CERAMIC SINTERED COMPACT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
円筒形スパッタリングターゲット並びにセラミックス焼結体及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target capable of suppressing occurrence of arcing and degradation of the quality of a thin film during the sputtering without additionally providing any new power supply equipment.
新たな電源設備の追加を必要とせずに、スパッタ時におけるアーキングの発生や薄膜の膜質低下を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To conduct anti-static treatment to a spacer without using batch treatment such as sputtering.
スパッタリング等のバッチ処理によらずに、スペーサに帯電防止処理を施す。 - 特許庁 - To provide an indium oxide sputtering target which can suppress the generation of nodules upon sputtering, and to provide an indium oxide sintered compact and a method for producing the same.
スパッタ時のノジュールの発生を抑制できる酸化インジウムスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム焼結体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - MICRO WAVE PLASMA GENERATOR, AND MAGNETRON SPUTTERING FILM FORMATION APPARATUS USING THE SAME
マイクロ波プラズマ生成装置、およびそれを用いたマグネトロンスパッタ成膜装置 - 特許庁 - The foundation film is an oxide film and is formed by sputtering, and it is preferable that sputter gas in sputtering doesn't contain oxidizing gas practically.
前記下地膜が酸化物膜であり、スパッタリング法により形成され、かつスパッタリング法におけるスパッタガスは酸化性ガスを実質的に含まないことが好ましい。 - 特許庁 - FILM FORMING METHOD OF SHIELD FILM BY SPUTTERING AND FORMED SHIELD FILM
スパッタリング法によるシールド膜の成膜方法及び成膜されたシールド膜 - 特許庁
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