「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 130 131 次へ＞- SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM HAVING LOW RELATIVE PERMEABILITY
比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - SYSTEM AND METHOD FOR MODULATING POWER SIGNALS TO CONTROL SPUTTERING
電力信号を変調してスパッタリングを制御するためのシステムおよび方法 - 特許庁 - IN-GA-ZN OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering system capable of improving the utilizing efficiency of a target material without causing the intrusion of impurities into a film in sputtering.
スパッタリングにおいて、膜中への不純物混入を起こすことなくターゲット材料利用効率を向上させることが可能なスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁 - To obtain an alloy material in which the improvement of weather resistance and stability and facilitation in a sputtering stage when used as a sputtering target are attained and to obtain a thin film.
耐候性の改善、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性及び簡易性を図った合金材及び薄膜を得る。 - 特許庁 - FILM FORMING METHOD OF HEATER FOR LIMITING CURRENT TYPE OXYGEN SENSOR, AND MASK FOR SPUTTERING
限界電流式酸素センサ用ヒータの成膜方法及びスパッタ用マスク - 特許庁 - To provide a sputtering film-forming method that can improve film thickness distribution in a reactive sputtering method that uses a metal target, and to provide a film-forming apparatus.
金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法において、膜厚分布を向上させることが可能なスパッタ成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁 - The sputtering system 20 is provided with a sputtering gun 35 and a target 32 and further a substrate surface 31 for forming thin films thereon in a vacuum chamber 21.
スパッタ装置２０においては、真空チャンバ２１の中に、スパッタガン３５と、ターゲット３２、さらに、その上に薄膜を形成するための基材３１が配置されている。 - 特許庁 - The diamond-like carbon layer 38 is formed by the CVD method or sputtering method.
ダイアモンドライクカーボン層３８はＣＶＤ法やスパッタ法により形成される。 - 特許庁 - To provide sputtering device and method high in productivity and working rate.
生産性が高く、稼働率の高いスパッタ装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for a photomagnetic disk recording film in which the sticking of a sputtering-back film is hard to occur, and which is therefore suitable for obtaining high using efficiency.
スパッタバック膜の付着が起こり難く、その結果として高い使用効率を得るのに好適な光磁気ディスク記録膜用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a deposition method and sputtering system for well executing deposition of copper, more preferably embedment thereof into holes, etc., by using a sputtering method.
スパッタリング法を用いての銅の成膜、特にホール等への埋込みを良好に行うための成膜方法及びスパッタリング装置を提供することにある。 - 特許庁 - Sputtering is continued by using the two remaining metal plates 19.
そして、残りの２枚の金属板１９を使用して、スパッタリングを続行する。 - 特許庁 - To provide a reflow sputtering method and a reflow sputtering system capable of embedding a wiring material in an inner side of a very small hole 90 while keeping the temperature of a substrate 9 at a relatively low temperature.
基板９の温度を比較的低温に保ちながら、微細なホール９０の内面に配線材料を埋め込むことを可能にする。 - 特許庁 - To provide a sputtering method by which the variation of sputtering time is reduced and a thin film of a desired film thickness is deposited on a work and to provide a device therefor.
スパッタ時間のバラツキを低減するとともにワークに所望の膜厚の薄膜を形成するスパッタ方法及びその装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus and a sputtering treatment method for attaining a stable discharge state in a short period of time and achieving film-deposition at higher speed.
安定した放電状態を短時間で達成し、より高速度での成膜を実現したスパッタリング装置及びスパッタリング処理方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETO-OPTICAL RECORDING MEDIUM FILM AND ITS PRODUCTION
光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target for depositing an optical recording protective film consisting of a zinc chalcogenide-silicon dioxide-baron oxide system sintered body capable of d.c. sputtering.
直流スパッタリング可能なカルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素−酸化ホウ素系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - As covering method, physical vapor deposition method by-sputtering method is suitable.
被覆方法としては、スパッタリング法による物理蒸着法が適している。 - 特許庁 - The substrate cleaning step, the carbon particle sputtering step and the diamond-like carbon layer depositing step can be carried out continuously in one and the same magnetron sputtering apparatus.
基板洗浄工程、炭素粒子スパッタ工程及びダイヤモンドライクカーボン層形成工程は、同一のマグネトロンスパッタ装置において連続して実行できる。 - 特許庁 - This sputtering target few in particle generation, is characterized by connecting a metallic foil or sheet controlled in the roughness of its surface, to the side face of a sputtering target.
スパッタリングターゲットの側面に、表面粗さを調節した金属箔又は板を接合したことを特徴とするパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - To provide a plasma sputtering device capable of obtaining a uniform formed film.
均一な成膜が得られるようにしたプラズマスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which is capable of avoiding complicatedness of apparatus design and member arrangement and is excellent in mass-production, and to provide a film forming method using the sputtering apparatus.
装置設計や部材配置の煩雑さを回避することができ、量産性に優れたスパッタリング装置及び膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET AND TAPE FOR MASKING, AND METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET
マスキング用粘着シートおよびテープならびにスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - To perform film formation with a high bottom coverage by ionized sputtering, even on a hole having a high aspect ratio, and to simplify inside and outside structures of a sputtering chamber.
イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF OPTOMAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
光磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD OF TITANIUM OXIDE TARGET EXCELLENT IN STRENGTH AND RESISTANCE TO CRACK AT SPUTTERING
強度および耐スパッタ割れ性に優れた酸化チタンターゲットの製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering method and a sputtering device which can perform low-temperature and low-damage film formation with a simple configuration and with a high productivity.
簡単な構成でありながら、低温・低ダメージ成膜が可能であり、且つ生産性の高いスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of improving the efficiency of heating a substrate, and a method for manufacturing a semi-conductor light emitting element by the sputtering apparatus.
基板を加熱する効率を向上させたスパッタリング装置およびそのスパッタリング装置による半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An insulating film is formed by a DC sputtering method or a DC pulse sputtering method, using an oxide target comprising a gallium oxide (also referred to as GaOx ).
酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。 - 特許庁 - A plurality of supporting bodies 50, 52, etc., are disposed within the same sputtering chamber 14.
同一のスパッタリング室１４内に、複数の支持体５０，５２等を設ける。 - 特許庁 - To obtain GaN with excellent crystalline property on a concave-convex substrate through the intermediary of a sputtering buffer.
凹凸基板にスパッタバッファを介して結晶性の良いＧａＮを得る。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for formation of an optical logging protection film which is made of zinc chalcogenide/silicon dioxide/indium oxide- based sintered compact and is capable of DC sputtering.
直流スパッタリング可能なカルコゲン化亜鉛−二酸化ケイ素−酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a good sputtering method which gives no damage to the body to be treated such as a semiconductor wafer or the like to be subjected to sputtering and to provide a system therefor.
スパッタリングを行う半導体ウエハ等の被処理体に対して、常に損傷を与えない良好なスパッタリング方法とその装置を提供すること。 - 特許庁 - The metallic layer 14 is formed of stainless steel, chromium or aluminum by a sputtering process.
金属層がステンレス鋼、クロム、又はアルミニウムでスパッタリングで形成される。 - 特許庁 - Then a Ag reflection layer having about 1.2 at.% nitrogen is formed by sputtering on the recording layer by using nitrogen gas as the sputtering gas.
窒素ガスをスパッタガスとするスパッタ法によりこの記録層上に、窒素含有量が約１．２ａｔｏｍ％（原子％）のＡｇ反射層を設けた。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL, SILICON-CONTAINING FILM FORMING METHOD, AND PHOTOMASK BLANK
スパッタリング用ターゲット材、珪素含有膜の成膜方法、およびフォトマスクブランク - 特許庁 - PRODUCTION OF NICKEL/VANADIUM SPUTTERING TARGET WITH MINIMAL ALPHA EMISSION
アルファ放射が極少のニッケル／バナジウム・スパッタリング・ターゲットを製造する方法 - 特許庁 - METALLIC MATERIAL HAVING MAGNESIUM COMPOUND FILM, TARGET MEMBER FOR SPUTTERING, METHOD OF PRODUCING TARGET MEMBER FOR SPUTTERING, AND METHOD OF FORMING MAGNESIUM COMPOUND FILM
マグネシウム化合物被膜を有する金属材料、スパッタリング用ターゲット部材、スパッタリング用ターゲット部材の製造方法およびマグネシウム化合物被膜の形成方法 - 特許庁 - Ti-ALLOY WIRING FILM AND ELECTRODE, AND Ti-ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｔｉ合金配線膜および電極、並びにＴｉ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - TIN OXIDE POWDER FOR ITO SPUTTERING TARGET, PRODUCTION METHOD OF THE POWDER, SINTERED BODY SPUTTERING TARGET FOR ITO FILM FORMATION AND PRODUCTION METHOD OF THE TARGET
ＩＴＯスパッタリングターゲット用酸化錫粉末、同粉末の製造方法、ＩＴＯ膜形成用焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Mn-Ir ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC THIN FILM
磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC OXIDE FILM AND DUAL-CATHODE MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
酸化物誘電体膜の製造方法とデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置 - 特許庁 - In the ECR sputtering system, double shutters to prevent film deposition on a substrate caused by the pre-sputtering before the film deposition are arranged between a target 3 and a substrate 4.
本発明のＥＣＲスパッタ装置は、成膜前のプレスパッタリングによる基板着膜を防ぐシャッタをターゲット３と基板４間に２重に配設する。 - 特許庁 - To provide a BiTi based oxide sputtering target which can stably perform sputtering even at a high output, and has reduced cracks, and a method for producing the same.
高い出力でも安定してスパッタリング可能で、割れの少ないＢｉＴｉ系酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A sputtering target comprises a target member and a backing plate, and a copper thin film is formed by a plating method on the surface of the backing plate of the sputtering target.
ターゲット部材とバッキングプレートから成るスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのバッキングプレート表面にメッキ法によって銅薄膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method capable of simplifying a manufacturing process without causing elution of metal and providing a high-density IGZO sputtering target, and a sputtering target.
金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁 - In-Ga-Zn OXIDE, OXIDE SINTERED COMPACT, AND SPUTTERING TARGET
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、酸化物焼結体、及びスパッタリングターゲット - 特許庁 - The film 3 is formed through a sputtering method carried out in a sputtering atmosphere of argon gas into which a small amount of nitrogen gas is kept being introduced using a pure titanium target.
この成膜は、純チタンをターゲットとしたスパッタリング法により、スパッタリング雰囲気にアルゴンガスとともに少量の窒素ガスを導入しながら行う。 - 特許庁
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