「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 130 131 次へ＞- To provide a sputtering target improving characteristics of an optical information recording medium and considerably improving the productivity thereof and to provide a method of producing the sputtering target.
光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善するスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering wiring process for forming wiring by sputtering, which pinches an outer periphery of a substrate between a heater and a clamp ring in a sputtering device to hold the substrate, which prevents the substrate from getting chipped.
配線部をスパッタリングにより形成するスパッタ配線工程において、基板の外周部を、スパッタ装置内のヒーターとクランプリングとにより挟み込み、基板を保持することによる、基板の欠けの発生を抑制する。 - 特許庁 - SPUTTERING DEVICE, THIN-FILM-FORMING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM
スパッタ装置、薄膜形成装置及び磁気記録媒体の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE GLASS, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
スパッタリング用ターゲット及び透明導電ガラス並びに透明導電フィルム - 特許庁 - MAGNETRON CATHODE ELECTRODE, AND SPUTTERING METHOD USING THE SAME
マグネトロンカソード電極及びマグネトロンカソード電極を用いたスパッタリング方法 - 特許庁 - Ag ALLOY THIN FILM ELECTRODE, ORGANIC EL ELEMENT AND TARGET FOR SPUTTERING
Ａｇ合金薄膜電極、有機ＥＬ素子及びスパッタリング用ターゲット - 特許庁 - HIGH PURITY COPPER OR COPPER ALLOY SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION
高純度銅または銅合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - MAGNET STRUCTURE FOR MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS AND CATHODE ELECTRODE UNIT, AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS, AND METHOD FOR USING MAGNET STRUCTURE
マグネトロンスパッタリング装置用の磁石構造体およびカソード電極ユニット並びにマグネトロンスパッタリング装置並びに磁石構造体の使用方法 - 特許庁 - The sputtering target comprises metal zinc, zinc oxide and indium oxide, wherein the metal zinc is dispersed into the sputtering target.
金属亜鉛、酸化亜鉛及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、前記金属亜鉛がスパッタリングターゲット中で分散しているスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - The sputtering apparatus 10 is operated in a transition area mode for performing the sputtering at high speed in an atmosphere containing gaseous oxygen by changing the introduction ratio of a sputtering gas to the gaseous oxygen by a flow rate controller 13.
スパッタリング装置１０は、流量コントローラ１３でスパッタガスと酸素ガスの導入比率を変化させることにより、酸素ガスを含む雰囲気で高速にスパッタリングを行う遷移領域モードで動作させる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target that deposits a thin film with an uniformed in-plane film thickness and also performs a sputtering with good use efficiency.
均一な面内膜厚を有した薄膜を堆積させるとともに、使用効率の良いスパッタができるスパッタリング用ターゲットを提供すること。 - 特許庁 - When an AlGaN or an AlN layer as a first III nitride compound semiconductor layer is formed on a sapphire substrate through a sputtering method, the initial voltage of a sputtering apparatus is set to 110% of a sputtering voltage or lower.
サファイア基板上へ第１のIII族窒化物系化合物半導体層として、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮ層をスパッタ法により形成する際に、スパッタ装置の初期電圧をスパッタ電圧の１１０％以下とする。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET CONSISTING OF OXIDE SINTERED BODY, AND ITS MANUFACTURING METHOD
酸化物焼結体よりなるスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - The damage due to the sputtering method can be suppressed by the molybdenum oxide.
スパッタリング法によるダメージをモリブデン酸化物によって抑制できる。 - 特許庁 - To provide a cylindrical sputtering target which has a high production yield of a filming step even when sputtering film formation is performed by using a long cylindrical sputtering target composed of a plurality of cylindrical target materials.
複数の円筒形ターゲット材からなる長尺の円筒形スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜した場合においても、成膜工程の製造歩留まりの高い円筒形スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - ZINC OXIDE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCING METHOD, SPUTTERING TARGET AND ELECTRODE
酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、電極 - 特許庁 - Cr-W ALLOY BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL AND ITS PRODUCING METHOD
Ｃｒ−Ｗ合金系スパッタリングタ−ゲット材およびその製造方法 - 特許庁 - A magnetron particularly advantageous for low pressure plasma sputtering or continuous self-sputtering in which a target coverage is sufficient though the area is small is provided.
面積は小さいがターゲットカバレージが十分である低圧プラズマスパッタリング又は持続自己スパッタリングに特に有利なマグネトロンを提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY VANADIUM, HIGH- PURITY VANADIUM, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE HIGH- PURITY VANADIUM, AND THIN FILM DEPOSITED USING THE SPUTTERING TARGET
高純度バナジウムの製造方法、高純度バナジウム、同高純度バナジウムからなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜 - 特許庁 - The sputtering cathode group is desirably a first sputtering cathode array comprising a plurality of the sputtering cathodes arranged at prescribed intervals in the direction perpendicular to the moving direction of the large-sized substrate moving in the prescribed direction.
また、前記スパッタカソード群は、所定の方向に移動する大型基板の移動方向に対して垂直方向に所定の間隔で配置された複数のスパッタカソードからなる第１のスパッタカソード列であることが望ましい。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target by which a large-size sputtering target free from problems of arcing, etc., can be manufactured relatively easily and inexpensively.
アーキング等の問題のない大型スパッタリングターゲットを比較的容易に且つ安価に製造できるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - TARGET CONSTITUTION, METHOD FOR MANUFACTURING DEVICE, AND MAGNETRON SPUTTERING SUPPLY SOURCE
ターゲット構成、デバイスを製造する方法、およびマグネトロンスパッタ供給源 - 特許庁 - W SPUTTERING TARGET HARDLY CAUSING PARTICLE, AND ITS MANUFACTURING METHOD
パーティクル発生の少ないＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - The manufacturing cost is therefore made lower than by vacuum vapor deposition and sputtering.
このため、真空蒸着やスパッタに比べて製造コストが安価になる。 - 特許庁 - Cu ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR ELECTRONIC DEVICE WIRING, AND ELEMENT STRUCTURE
電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造 - 特許庁 - INORGANIC EL ELEMENT, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING INORGANIC EL LUMINESCENT LAYER
無機ＥＬ素子および無機ＥＬ発光層形成用のスパッタリングターゲット - 特許庁 - An Mo/Si multilayer film is formed on a substrate 5 by a sputtering method.
基板５の上にスパッタリング法でＭｏ／Ｓｉ多層膜を成膜した。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING IRIDIUM SPUTTERING TARGET, AND TARGET OBTAINED BY THE METHOD
イリジウムスパッタリングターゲットの製造方法及びその方法で得られたターゲット - 特許庁 - The above-mentioned covering layer is a silicon layer and formed by ion beam sputtering.
前記被覆層はシリコン層であり、イオンビームスパッタリングで形成される。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHODS FOR MANUFACTURING THESE
スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法 - 特許庁 - MAGNETIC ANISOTROPY FERROMAGNETIC MAGNETRON SPUTTERING TARGET AND PRODUCING METHOD THEREFOR
磁気異方性強磁性体マグネトロンスパッタリングターゲットとその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING HIGH DIELECTRIC THIN FILM AND ITS PRODUCTION
高誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - HIGH PURITY METAL, SPUTTERING TARGET CONSISTING OF HIGH PURITY METAL, THIN FILM FORMED BY SPUTTERING, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH PURITY METAL
高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜並びに高純度金属の製造方法 - 特許庁 - A base layer 3 is formed on a disk substrate 2 by a sputtering method.
スパッタリング法により、ディスク基板２上に下地層３を形成する。 - 特許庁 - To provide an electromagnet unit suitably used for a sputtering apparatus.
スパッタリング装置に好適に用いられる電磁石ユニットを提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING OPTICAL RECORDING PROTECTIVE FILM, MINIMAL IN GENERATION OF PARTICLE
パーティクル発生の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a sputtering method and a sputtering apparatus for depositing a thin film of high quality to the last by effectively utilizing a target.
ターゲットの有効利用をはかり、最後まで高品質の薄膜形成を行うことの可能なスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 - 特許庁 - A conventional sputtering cathode 3c having an auxiliary material targets 1p, 1n each formed from an auxiliary material containing a component serving as an addition material is arranged between a plurality of magnetron sputtering cathodes 3m having a main material target 1i for a thin film to be deposited, and a sputtering power to be applied to the magnetron sputtering cathodes 3m and the conventional sputtering cathode 3c is independently controlled.
形成する薄膜の主材料ターゲット１ｉを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード３ｍの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット１ｐ，１ｎを有するコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード３ｍおよびコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 - 特許庁 - A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5.
反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。 - 特許庁 - REACTIVE SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL THIN FILM DEPOSITED BY USING THE TARGET
反応性スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて成膜した光学薄膜 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus that does not cause a short circuit due to a sputtered particle which has deposited in a gap between a backing plate and a gland shield, even when sputtering treatment has been repeated.
スパッタリング処理を繰り返し行っても、バッキングプレートとグランドシールドとの間で、スパッタリング粒子の堆積による短絡が生じないようにする。 - 特許庁 - To provide a joined body improved in joining fore in a sputtering target joined body in which a sputtering target and a backing plate of copper are joined by a joining material.
スパッタリングターゲットと銅のバッキングプレートとを接合材で接合したスパッタリングターゲット接合体において、接合力が向上した接合体を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM FILM HAVING LOW RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY
比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a compact and inexpensive optical disk-supplying device to a sputtering device which is capable of surely positioning the supply of a disk to the sputtering device.
スパッターリング装置へのディスク供給位置を確実に行うことができ、コンパクトかつ安価なスパッターリング装置への光ディスク供給装置の提供。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR PRODUCING TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE THIN FILM AND ITS PRODUCTION METHOD
透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - To provide an efficient sputtering apparatus capable of forming two or more films in one treatment chamber, to provide a sputtering method, and to provide a semiconductor device using it.
２層以上の成膜を１つの処理チャンバーで行える効率の良いスパッタ装置及びスパッタリング方法及びこれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING FILM OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - To provide a sputtering target capable of forming a film made from a metal fluoride, which absorbs no light, at a constant film-forming rate, and to provide a sputtering method therefor.
光吸収のない金属フッ化物膜を一定の成膜速度で形成することができるスパッタリングターゲット及びスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS WITH MULTIANGULAR BARREL, SURFACE-MODIFIED CARBON MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
多角バレルスパッタ装置、表面修飾炭素材料及びその製造方法 - 特許庁
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