「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 130 131 次へ＞- The Nb material constituting the sputtering target contains hydrogen of a range from 1 to 1,000 ppm.
スパッタリングターゲットを構成するＮｂ材は1〜1000ppmの範囲の水素を含有する。 - 特許庁 - Ag-ALLOY REFLECTIVE FILM, SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING Ag-ALLOY THIN FILM
Ａｇ合金反射膜、スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金薄膜製造方法 - 特許庁 - First, a previously-treated semiconductor substrate is positioned in a sputtering chamber.
最初に、前処理された半導体基板がスパッタリング・チャンバ内に位置決めされる。 - 特許庁 - MANUFACTURE OF THIN FILM, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MAGNETRON SPUTTERING DEVICE
薄膜の製造方法、半導体装置の製造方法、およびマグネトロンスパッタ装置 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR ZINC OXIDE BASED AMORPHOUS THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
酸化亜鉛系の非晶質薄膜用スパッタリングターゲットおよびこの製造方法 - 特許庁 - HIGH STRENGTH SPUTTERING TARGET FOR FORMING FLUORESCENT FILM FOR INORGANIC ELECTROLUMINESCENSE ELEMENT
無機エレクトロルミネッセンス素子用蛍光体膜形成用高強度スパッタリングターゲット - 特許庁 - Co-Cr-Pt-B-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - To provide a planer magnetron sputtering apparatus which can control the film thickness highly precisely.
高精度に膜厚を管理することができるプレーナマグネトロンスパッタ装置の提供。 - 特許庁 - OXIDE SINTERED BODY FOR CYLINDRICAL SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
円筒形スパッタリングターゲット用酸化物焼結体およびその製造方法 - 特許庁 - Al-ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND Al-ALLOY SPUTTERING TARGET
表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびＡｌ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - SUBSTRATE OF ELECTRONIC DEVICE, AND SPUTTERING DEVICE FOR FORMING FILM ON SAME SUBSTRATE
電子デバイスの基板、およびその基板に膜を形成するためのスパッタリング装置 - 特許庁 - During the negative voltage portion, the ions are attracted to the target to realize the sputtering.
負の電圧部分の間は、イオンはターゲットに引き寄せられスパッタリングを起こす。 - 特許庁 - Ag ALLOY FILM FOR ELECTRONIC PARTS, AND SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING Ag ALLOY FILM
電子部品用Ａｇ合金膜およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - Cu ALLOY FILM FOR WIRING FILM, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING WIRING FILM
配線膜用Ｃｕ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - Al ALLOY FILM FOR WIRING FILM AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING WIRING FILM
配線膜用Ａｌ合金膜および配線膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - The anode-side electrode 14 like this can be formed by sputtering.
このようなアノード側電極１４は、スパッタリングによって形成することができる。 - 特許庁 - The average size of titanium crystal grains in the resultant sputtering target is ≤4 μm.
得られたスパッタリングターゲットチタン結晶粒の平均粒径は４μｍ以下である。 - 特許庁 - In a vacuum atmosphere oven 44, a piezoelectric ceramics 41 is covered with a mask 42 for sputtering.
真空雰囲気炉44中において、圧電セラミックス41をスパッタリング用マスク42で覆う。 - 特許庁 - RMIM ELECTRODE, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND SPUTTERING SYSTEM PROVIDED WITH THE ELECTRODE
ＲＭＩＭ電極及びその製造方法、並びにこれを備えたスパッタリング装置 - 特許庁 - To provide an improved lead layer by diagonal ion beam sputtering and annealing.
斜めイオンビームスパッタリングとアニーリングにより、改善されたリード層を提供すること。 - 特許庁 - A metal thin film 14 made of the alloy of molybdenum and tungsten is deposited by sputtering.
モリブデンおよびタングステンの合金の金属薄膜14をスパッタにより堆積する。 - 特許庁 - PRODUCTION METHOD FOR HIGH-PURITY RUTHENIUM SPUTTERING TARGET, AND TARGET OBTAINED THEREBY
高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲット - 特許庁 - Mn ALLOY MATERIAL FOR MAGNETIC MATERIAL, Mn ALLOY SPUTTERING TARGET AND MAGNETIC THIN FILM
磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 - 特許庁 - To prepare a Cu-Ga alloy sputtering target with a small oxygen content.
酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。 - 特許庁 - INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME
酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁 - Formation of the metal layers and the catalyst layers are made by sputtering.
この金属層と触媒層の形成は、主としてスパッタリングにより行われる。 - 特許庁 - ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD
半導体素子用導電材料及びスパッタリングターゲット並びにその製造法 - 特許庁 - Cu-ALLOY THIN FILM, Cu-ALLOY SPUTTERING TARGET AND FLAT PANEL DISPLAY
Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ - 特許庁 - LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CU ALLOY SPUTTERING TARGET
液晶ディスプレイパネル及びその製造方法並びにＣｕ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - BaxSr1-xTiO3-α SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION
ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３−αスパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - METAL MASK FOR SPUTTERING, AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME
スパッタリング用メタルマスク、及びそれを用いた透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - TARGET FOR SPUTTERING AND PRODUCTION OF BLACK MATRIX FOR COLOR FILTER USING THE SAME
スパッタリング用ターゲットとこれを用いたカラーフィルタ用ブラックマトリクスの製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR USE IN FORMING FILM OF PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM HAVING LOW RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY
比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, THIN FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
スパッタリングターゲット、光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法 - 特許庁 - The visible ray reflection film is constituted by successively laminating and forming the base coat 12, the silver sputtering layer 13, and a top coat l4 on a substrate film 3, wherein a base metal sputtering layer 2 is disposed between the base coat 12 and the silver sputtering layer 13.
基盤フィルム３上にベースコート１２と銀スパッタ層１３とトップコート１４とを順次積層形成してなる可視光線反射フィルムであって、上記ベースコート１２と銀スパッタ層１３との間にはベース金属スパッタ層２を設けてなる。 - 特許庁 - To provide an Fe-Co alloy sputtering target material by which machinability of an Fe-Co alloy sputtering target material for deposition of soft magnetic films used for a perpendicular magnetic recording medium can be improved and sputtering of the soft magnetic films can be stably done.
垂直磁気記録媒体に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - In this way, the electric field concentrated place in the target 11 for sputtering has previously been removed before its charging into a sputtering chamber, and there is no need of grinding the electric field concentrated place by press sputtering in the chamber, so that particles are hardly generated.
これにより、スパッタチャンバー内に入れる前にすでにスパッタリング用ターゲット１１の電界集中箇所は除去されており、チャンバー内でプレスパッタリングにて電界集中箇所を削り取る必要がないため、パーティクルはほとんど発生しない。 - 特許庁 - The sputtering method includes the steps of: arranging a gettering material 1X on a sputter surface of the sputter target; causing the gettering material 1X to be released in the early phase of the sputtering to increase the degree of vacuum; and then executing the sputtering of an object to be sputtered so as to achieve the film formation on the substrate with sputter particles.
スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus and a method for sputtering a material from a target onto a substrate via the sputtering apparatus, which achieve high target utilization and more even distribution of the region of the target utilized for deposition on the substrate.
スパッタリング装置、およびスパッタリング装置を介してターゲットから基板上へ材料をスパッタリングする方法に関し、ターゲットの利用性を高くし、基板上へのデポジットに利用される領域のより均一な分布を実現することを目的とする。 - 特許庁 - In the case a sputtering method is used as a method to form the silicon oxide layer, film formation is carried out by using the sputtering method so that the concentration of oxygen gas in the atmospheric gas introduced into the sputtering device becomes 5 to 30 vol.%.
シリコン酸化物層を形成するための方法として、スパッタリング法を用いる場合には、スパッタリング装置に導入される雰囲気ガス中の酸素ガスの濃度が５〜３０体積％となるように、スパッタリング法を用いて成膜を行う。 - 特許庁 - When a first Al alloy wire 2 is formed by a two-step sputtering method, a lower Al alloy film 23 is formed by first-step sputtering, and subsequently a W film 24 is formed directly on the surface of the film 23 by sputtering.
１ｓｔＡｌ合金配線２を２ステップスパッタ法により形成する際、１ｓｔステップスパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３を成膜し、続いて、スパッタにより、下側Ａｌ合金膜２３の表面上に、直接、Ｗ膜２４を成膜する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system capable of easily depositing an optical multilayer film having optical properties extremely close to the design properties of the designed optical multilayer film, to provide a sputtering method therefor, and to provide an optical multilayer film produced by the sputtering method.
設計された光学多層膜の設計特性に極めて近い光学特性の光学多層膜を容易に成膜することが出来るスパッタ装置、スパッタ方法、及びこのスパッタ方法で製造される光学多層膜を提供することにある。 - 特許庁 - The sputtering apparatus for depositing a material of targets 33c, 35c arranged opposite to the workpiece W in sputtering chambers 33, 35 on the workpiece W by the sputtering in a film shape has a susceptor S affixed to the workpiece W via a gel G.
スパッタ室３３，３５内にワークＷに対向して配置されたターゲット３３ｃ，３５ｃの材料を、スパッタリングによってワークＷに膜状に堆積させるスパッタリング装置であって、ゲルＧを介してワークＷに貼付されたサセプタＳを有する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which increases treatment efficiency in a sputtering step by decreasing cleaning frequency through reducing a deposit in a chamber, even when sputtering a target made of Ta or Si.
ＴａやＳｉ等を材料にしたターゲットを使ってスパッタリングを行う場合にもチャンバ内の付着物を減らして清掃回数を低減し、スパッタリング工程の処理効率を高めることができるスパッタリング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an oxide sputtering target which can prevent a deposition film from being peeled off from a sticking-preventive board even in an oxide sputtering target containing Cr_2O_3, and to provide an oxide film for an optical recording medium, formed using the oxide sputtering target.
Ｃｒ_２Ｏ_３を含有した酸化物スパッタリングターゲットであっても、防着板からのｄｅｐｏ膜の剥がれ落ちを抑制可能な酸化物スパッタリングターゲットおよびこれを用いて成膜された光記録媒体用酸化物膜を提供すること。 - 特許庁 - In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.
ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁 - To provide a winding device separately winding an unnecessary portion and a necessary portion of a long material when winding the long material, and suitable for, for example, winding a long resin film of small film thickness when the film is subjected to sputtering by a sputtering process having multi-stage sputtering steps.
長尺材を巻き取る際に不要な部分と必要な部分とを分けて巻き取ることができ、例えば多段のスパッタ工程を有し、且つ膜厚の薄い長尺樹脂ファイルムにスパッタリングするときの巻き取りに好適な巻取装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a production control system for a sputtering target which enables a target user to efficiently operate a sputtering device and also enables a target maker to greatly shorten the period of delivery of the sputtering target and a medium where a program for the production control system is recorded.
ターゲットユーザがスパッタリング装置を効率よく稼働させることができ、一方、ターゲットメーカはスパッタリングターゲットの納期を格段に短縮できるスパッタリングターゲットの生産管理システムおよび生産管理システム用プログラムを記録した媒体を提供する。 - 特許庁 - The steps of DC sputtering Si, DC sputtering the rare earth element, and DC sputtering the SiO_2 are repeated 5 to 60 cycles, so that the lattice structure includes the plurality of alternating SiO_2 layers and rare earth element-doped Si layers.
格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 - 特許庁
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