「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 37 38 39 40 41 42 43 44 45 .... 130 131 次へ＞- The protective film 5 is deposited by sputtering in which resin, especially fluororesin is used as a material.
保護膜５は、樹脂、特にフッ素樹脂を材料としたスパッタリング法で成膜される。 - 特許庁 - To obtain a film thickness distribution required in performing film deposition by sputtering on an optical disk substrate.
光ディスク基板にスパッタリングにより成膜する際、必要とする膜厚分布を得る。 - 特許庁 - Finally, a Pt upper electrode layer is formed on the PZT piezoelectric layer by sputtering.
最後に、PZT圧電体層上にスパッタリング法によってPt上部電極層を形成する。 - 特許庁 - A protection layer 2 composed of a silicon oxide (SiO_2) is formed on a substrate 1 by magnetron sputtering.
基板1上に、マグネトロンスパッタリングにより酸化ケイ素（SiO_２）からなる保護層２を形成する。 - 特許庁 - HIGH-STRENGTH BARIUM-ALUMINUM-ALLOY-BASED SPUTTERING TARGET FOR INORGANIC EL DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
無機ＥＬ素子用高強度バリウムアルミニウム合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - To manufacture a sputtering target material for manufacturing a piezoelectric thin film with adequate film quality.
良好な膜質の圧電体薄膜を製造できるスパッタリングターゲット材を製造すること。 - 特許庁 - Further, on the titanium nitride film 42, an aluminum film 43 is formed by ordinary sputtering.
さらに、窒化チタン膜４２上に、通常のスパッタによってアルミ膜４３が形成される。 - 特許庁 - HIGH Ga CONTENT Cu-Ga BINARY ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD
高Ｇａ含有Ｃｕ−Ｇａ二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Al OR Al ALLOY SPUTTERING TARGET WITH FINE CRYSTAL GRAIN
微細な結晶粒を有するＡｌまたはＡｌ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - STRONTIUM RUTHENATE SINTERED COMPACT, ITS PRODUCTION AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME
ルテニウム酸ストロンチウム焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁 - TARGET FOR SPUTTERING, DIELECTRIC FILM FORMED USING THE TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THE FILM
スパッタリング用ターゲット、それを用いて形成した誘電体膜およびその製造方法 - 特許庁 - MATERIAL FOR FORMING WIRING, SPUTTERING TARGET FOR FORMING WIRING, WIRING THIN FILM AND ELECTRONIC PARTS
配線形成用材料、配線形成用スパッタリングターゲット、配線薄膜及び電子部品 - 特許庁 - ITO POWDER, ITS PRODUCTION METHOD AND METHOD FOR PRODUCING ITO SPUTTERING TARGET
ＩＴＯ粉末及びその製造方法並びにＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, CYLINDRICAL CATHODE, AND METHOD OF COATING THIN MULTICOMPONENT FILM ON SUBSTRATE
マグネトロンスパッタリング装置、円筒陰極、及び薄い複合膜を基板上に成膜する方法 - 特許庁 - IMPROVED MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM FOR LARGE-AREA SUBSTRATE HAVING REMOVABLE ANODE
着脱可能な陽極を有する大面積の基板用改良型マグネトロンスパッタリングシステム - 特許庁 - Aluminum, titanium, copper, zinc, stainless steel, etc., are formed as the metal sputtering layer.
上記ベース金属スパッタ層としては、アルミニウム、チタン、銅、亜鉛、ステンレス鋼などを形成する。 - 特許庁 - An aluminum conductor 13 is then formed by sputtering aluminum, and is converted into a capacitor electrode.
次に、アルミを用いてスパッタリングで導電体１３を形成し、キャパシタの電極とする。 - 特許庁 - SUBSTRATE HOLDER FOR FILM DEPOSITION BY SPUTTERING, AND FABRICATION OF PHOTOMASK BLANK USING THE SAME
スパッタリング成膜用の基板ホルダー及びそれを用いたフォトマスクブランクスの製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR PURIFYING METALS AND FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET OF HIGH PURITY METAL
金属の高純度化方法及びスパッタリング用高純度金属ターゲットの製造方法 - 特許庁 - When the substrate is cooled to room temperature after the sputtering, the whole substrate is warped to be recessed upward.
スパッタ後に室温まで冷却すると、基板全体が上方に凹になるように反る。 - 特許庁 - PRECIPITATE FOR SPUTTERING TARGET, SINTERED COMPACT, TARGET, PROTECTIVE FILM AND THEIR PRODUCTION METHODS
スパッタリングターゲット用沈殿物、焼結体、ターゲットおよび保護膜並びにそれらの製造方法 - 特許庁 - To provide a high strength sputtering target for forming a protective film for a light recording medium.
光記録媒体の保護膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To reduce the accumulation of electric charges on a semiconductor device caused upon sputtering.
スパッタリングをおこなう際に生じる半導体装置への電荷の蓄積を軽減する。 - 特許庁 - A substrate 34 is disposed facing the front side of the target 32 in a sputtering chamber 30.
スパッタリングチャンバ３０内に基板３４をターゲット３２前面に向かうように配置させる。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, OPTICAL THIN FILM USING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM
スパッタリングターゲット、それを用いた光学薄膜とその製造方法、および光記録媒体 - 特許庁 - As a target member 10 for sputtering a target material where the CNT contains, the Cu is employed.
スパッタリング用ターゲット材１０としては、ＣｕにＣＮＴが含まれたターゲット材を用いる。 - 特許庁 - The above sputtering target is used to produce a halftone phase shift mask and a blank.
上記スパッタリングターゲットを用いてハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランクを製造すること。 - 特許庁 - High frequency plasma (e.g. inert gas plasma of Ar+) is generated in a sputtering chamber.
スパッタチャンバにおいて高周波プラズマ（例えばＡｒ+ 等の不活性ガスプラズマ）を発生させる。 - 特許庁 - To provide an OLED device with reduced sputtering damages.
スパッタリングによる損傷が低減されたＯＬＥＤ装置を提供することが目的である。 - 特許庁 - CONDUCTIVE TITANIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, TRANSLUCENT MEMBER, AND IMAGE DISPLAY DEVICE
導電性酸化チタン焼結体、スパッタリングターゲット、透光性部材、および画像表示装置 - 特許庁 - MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SPUTTERING TARGET, AND MAGNETIC RECORDING/ REPRODUCING APPARATUS
磁気記録媒体、その製造方法、スパッタリング用ターゲットおよび磁気記録再生装置 - 特許庁 - The cold mirror is manufactured by sputtering two or more kinds of sputtering materials each having different refractive index respectively in a separated film deposition zone while introducing oxidation reactive gas and a sputtering gas to deposit oxide films each having different refractive index on the surface of a processed material.
酸化反応性ガスとスパッタリングガスを導入しながら、屈折率が異なる２種以上のスパッタリング材料を、別々の成膜ゾーンでスパッタリングすることにより、被加工物の表面に屈折率の異なる酸化膜を成膜してコールドミラーとすることを特徴とする。 - 特許庁 - The sputtering system comprises: a sputtering treatment chamber 40 provided with a plurality of independent cathodes 41; and a substrate stage 44 provided in the treatment chamber 40, and in a state that a treatment substrate on the substrate 44 is successively made to face a target 22 on each cathode 41, sputtering treatment is performed.
独立した複数のカソード４１を備えたスパッタリング処理室４０と、処理室４０内に設けられた基板ステージ４４とを有し、基板ステージ４４上の処理基板を各カソード４１上のターゲット２２と順次対向させてスパッタリング処理を実行する。 - 特許庁 - To provide a target for magnetron sputtering which can form a metal fluoride film free from optical absorption with high reproducibility, and in which the occurrence of deformation or cracks can be suppressed even in a high temperature state upon sputtering, and to provide a sputtering method using the target.
光吸収のない金属フッ化物膜を再現性よく形成できるとともに、スパッタリング時の高温状態においても変形又はクラックの発生を抑制できるマグネトロンスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを用いたスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁 - A magnetron to be used in a DC magnetron sputtering reactor can be rotated at a smaller diameter in a deposition stage, and can be rotated at a large diameter in a cleaning stage, and the sputtering material re-deposited outside the deposition sputtering track is removed in the cleaning stage.
ＤＣマグネトロンスパッタリング反応器で使用するマグネトロンは、堆積段階では小さい直径で回転でき、クリーニング段階では大きい直径で回転でき、それにより堆積スパッタリング軌道の外側に再堆積したスパッタ材料は、クリーニング段階で除去される。 - 特許庁 - The silicon nitride film, having low moisture permeability and a high light transmittance, is prepared by using a target 101 made of Si_3N_4 and sputtering the target 101 with a sputtering gas containing at least 99.9% N_2 in an RF magnetron-type sputtering apparatus.
ＲＦマグネトロン型スパッタ装置において、Ｓｉ_３Ｎ_４により形成されたターゲット１０１を用い、９９．９％以上のＮ_２を含むスパッタガスによりターゲット１０１をスパッタし、低透湿度特性および高光透過特性を有する窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a facing target sputtering system in which the exchanging frequency of targets can be reduced by increasing the total quantity of erosion to one target, and, also, in reactive sputtering, stable sputtering is maintained, and film deposition can smoothly be performed.
一つのターゲットに対する総エロージョン量を増やすことで、該ターゲットの交換頻度を少なくすると共に、反応性スパッタにおいても、安定したスパッタを持続させて、成膜を円滑に行なうことができる対向ターゲット式スパッタ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a target which suppresses generation of nodules when a transparent conductive oxide is formed by a sputtering process and can stably perform sputtering, to provide the transparent conductive oxide formed from the target, and to provide a method for producing the sputtering target.
スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A plasma sputtering reactor 10 is composed for the continuous self-sputtering or low pressure sputtering of copper in particular, a pedestal 16 supporting a wafer 18 to be sputter-deposited includes back face cooling or heating via heat transfer gas, and the heat transfer gas is composed of helium.
特に銅の持続セルフスパッタリングあるいは低圧スパッタリング用に構成されたプラズマスパッタリングリアクタ１０であり、スパッタ堆積されるウェーハ１８を支持するぺデスタル１６は伝熱ガスを介してのウェーハ１８の裏面冷却あるいは加熱を含み、伝熱ガスはヘリウムである。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which can deposit a sputtered film having an excellent uniformity in a film thickness distribution on a wafer without increasing the cost and size of the sputtering apparatus, and further without reducing the reliability and yield of a product, and to provide a sputtering method using the same.
スパッタ装置を高コスト化・大型化させることなく、さらには製品の信頼性や歩留りを低下させることなく、ウェーハ上に膜厚分布の均一性の優れたスパッタ膜を形成することができるスパッタ装置及びそれを用いたスパッタ方法を提供する。 - 特許庁 - The CoCrPt-based sputtering target is a sputtering target containing cobalt, chromium, ceramics and platinum, and the maximum diameter of the high chromium content particles containing the chromium atoms at high concentration and unevenly distributed in the sputtering target is ≤40 μm.
コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットに偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子の最大差し渡し径が４０μｍ以下であることを特徴とするＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which contains ZnS as a principal component, reduces particles (dust) and nodules occurring upon sputtering, hardly causes fluctuation in quality and allows mass productivity to be increased.
スパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性の向上可能なＺｎＳを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus and a sputtering method in which a film of a multi-layer structure with films of different material alternately laminated on each other is deposited on a work to be film-deposited with a uniform film thickness distribution.
異なる材質の膜が交互に積層されたマルチレイヤー構造の膜を、一様な膜厚分布にて被成膜体に形成するスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供すること。 - 特許庁 - After a base layer 11 is formed on the whole of a surface of a base material 10 by sputtering, a conductive layer 12D is formed on the whole of the surface of the base layer 11 by sputtering (Fig.6(A)).
スパッタリングによって基材１０の表面全体に下地層１１を形成したのち、スパッタリングによって下地層１１の表面全体に導電層１２Ｄを形成する（図６（Ａ））。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which enables to perform a stable sputtering operation and to make a film of SiO_2 having excellent optical characteristics, a method for manufacturing it, and a raw material for a target material.
安定したスパッタ運転を可能にし、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜を製膜可能にするスパッタリングターゲット、その製造方法、ターゲット材原料を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus with which efficiency of using a target material is improved and dust and abnormal discharge are suppressed, especially in a sputtering using a light element target.
特に軽元素ターゲットを用いたスパッタリングにおいて、ターゲット材料利用効率を向上させ、ダストや異常放電を抑制することを可能とするスパッタリング装置の提供を課題とする。 - 特許庁 - A sputtering device 10 constituting a sputtering unit is arranged in a first film-forming stage 8, and a vapor deposition device 11 is arranged in a second film-forming stage 9.
真空槽３内の第１成膜ステージ８には、スパッタリング装置を構成するスパッタリング装置１０が配置され、第２成膜ステージ９には、蒸着装置１１が配置されている。 - 特許庁 - To provide a sputtering target having low bulk resistance, high density, uniform particle size, fine structure, and high flexure strength while keeping the characteristics of an IGZO (InGaO_3 (ZnO)_m) sputtering target.
ＩＧＺＯスパッタリングターゲットの有する特性を保持したまま、バルク抵抗が低く、密度が高く、粒径がより均一で微細化した組織を持ち、抗折強度が高いスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus and method capable of assuring the uniformity of a film thickness from the start of using a target till the end thereof with a simple configuration and a program for controlling sputtering.
簡易な構成で、ターゲットの使用開始から終了までの膜厚の均一性を確保することができるスパッタリング装置及び方法並びにスパッタリング制御用プログラムを提供する。 - 特許庁 - To provide a technique which can suppress the generation of particles including Ni-Mo due to an increase in sputtering time in sputtering using an Ni-Mo based alloy target plate.
Ｎｉ−Ｍｏ系合金ターゲット板を用いたスパッタリングにおいて、スパッタリング時間の増加に伴うＮｉ−Ｍｏを含んだパーティクルの発生を抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁
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