「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 38 39 40 41 42 43 44 45 46 .... 130 131 次へ＞- To provide a sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium, which is made of a zinc sulfide-silicon dioxide sintered compact and can perform high-speed sputtering, and its manufacturing method.
高速でスパッタリングすることが可能な硫化亜鉛−二酸化ケイ素焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The magnetic control sputtering target equipment comprises the magnetic control sputtering target structure, and also comprises a target material which is arranged on the outer side of the drive device type drive structure.
本発明にかかる磁気制御スパッタリング・ターゲット設備は、前記磁気制御スパッタリング・ターゲット構造のほかに、前記伝動装置式の伝動構造の外側に位置するターゲット材を更に備える。 - 特許庁 - To provide sputtering equipment and a method of thin film formation, practically unaffected by the timewise fluctuation of sputtering conditions and capable of unifomizing the thickness of thin film with higher accuracy.
スパッタリング条件の時間的変動による影響を受けにくく、薄膜の膜厚をより高精度に均一化させることができるスパッタリング装置および薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - During the scan film deposition, using two kinds of gases with different sputtering rates as sputtering gases, the gas flow rates of the two gases are controlled by first and second mass flow controllers 4a, 4b, respectively.
このスキャン成膜中に、スパッタガスとしてスパッタレートの異なる２種類のガスを用いて、２つのガスのガス流量を第１、第２のマスフローコントローラ４ａ、４ｂによってそれぞれ制御する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material of an Fe-Co-Ni-based alloy having low magnetic permeability, which can improve the efficiency of use in the magnetron sputtering, and can increase the plate thickness of the target.
マグネトロンスパッタリングにおける使用効率改善やターゲット板厚を厚くすることが可能である透磁率の低いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus, which reliably provides a uniform bottom coverage of a via hole inside a surface of a substrate regardless of sputtering films having different compositions in a single chamber.
１つのチャンバで組成の異なる膜をスパッタリングする場合であっても、基板面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - In the sputtering process of the manufacturing method, sputtering is carried out within a substrate temperature range of 5-450°C, and within a range of 0.5-50 atom% of a scandium content rate.
本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を５〜４５０℃の範囲で、スカンジウムの含有率が０．５〜５０原子％の範囲となるようにスパッタリングする。 - 特許庁 - To provide an ITO sputtering target material and an ITO sputtering target capable of depositing an ITO film having excellent physical properties at low cost, and an ITO sintered body suitable for the same.
より物性の優れたＩＴＯ膜を低コストで成膜できるＩＴＯスパッタリングターゲット材およびＩＴＯスパッタリングターゲット、ならびにこれらに好適なＩＴＯ焼結体を提供する。 - 特許庁 - To provide a superconducting magnetic field generator capable of generating an intensive magnetic field from a superconductor at the front side of a plate, to provide a sputtering gun and a sputtering film deposition apparatus.
超電導体からの強い磁場をプレートの前面側に発生させることができる超電導磁場発生装置、スパッタガン及びスパッタリング成膜装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing the sputtering target includes a step of thermally spraying a powder mixture of CuGa alloy powder with Cu powder on a metallic substrate to form a sputtering target.
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。 - 特許庁 - Next, after the successive formation of a Ti film 14 and a TiON film 16 on the substrate surface by sputtering, an Al alloy layer 18 such as Al-Si-Cu etc., is formed by sputtering.
基板上面にＴｉ膜１４及びＴｉＯＮ膜１６を順次にスパッタ法で形成した後、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金層１８をスパッタ法で形成する。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering apparatus capable of uniformly executing the sputtering over the entire area from a center portion to a peripheral portion of a workpiece, and reducing occurrence of erosion.
被加工体の中央部から周辺部までの全域に渡って均一にスパッタリングを行うことができ、エロージョンの発生を減少することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a laser beam processing head having a simple structure for effectively preventing the adhesion of sputtering to the head and a work to be processed and a low-cost sputtering adhesion preventing mechanism.
レーザ加工ヘッド及び加工対象のワークへのスパッタの付着をより効果的に防止する構造が単純で安価なスパッタ付着防止機構を有するレーザ加工ヘッドを提供する。 - 特許庁 - The amorphous SiC layer 12 is doped with boron ions, for example, by DC sputtering with an output 1000W, with use of an argon gas as a sputtering gas and an SiC substrate doped with born ions as a target.
例えば、出力１０００Ｗ、スパッタリングガスをアルゴン、ターゲットをホウ素がドープされたＳｉＣ基板としたＤＣスパッタリングにより、非晶質ＳｉＣ層１２にホウ素をドーピングできる。 - 特許庁 - To provide a reverse sputtering method and a film deposition apparatus capable of consistently performing the reverse sputtering in a substrate stage to incline, turn, cool or heat the substrate.
基板を傾斜、回転、冷却また加熱などすることのできる基板ステージにおいて、安定して逆スパッタリング処理を行うことができる逆スパッタリング方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁 - The transparent electrically conductive thin film having the high surface smoothness and the low specific resistance can be obtained by a sputtering method using the obtained oxide sintered compact as the sputtering target.
得られた酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに用いて、スパッタリング法を行うことで、表面が平滑で、かつ、比抵抗の小さい透明導電性薄膜を得ることができる。 - 特許庁 - The target base 1 has a rotating shaft and can rotate, so that the sputtering apparatus can continually perform a sputtering treatment for the substrate while switching the target facing to the substrate by rotating the target base 1.
またターゲット基台１は回転軸を有し、回転可能であるので、基板に対向するターゲットを回転によって切替えて連続的にスパッタリング処理することが可能である。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus for performing sputtering while maintaining stable discharge in a state of disposing a substrate in a lower pressure atmosphere.
本発明は、基板をより一層低い圧力雰囲気中に配置した状態で、放電を安定して維持しながらスパッタを行うことが可能なスパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a power source, a sputtering power source, and a sputtering device capable of stopping arc discharge and preventing application of excessive power at the time of reapplying of the power and quickly copying with a grounding accident.
本発明は、アーク放電を停止し、電力再投入時の過大電力の印加も防ぎ、地絡事故に対して迅速に対処できる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system where fault caused by the difficulty in the rocking width regulation of a magnet constituting body (deviation from the set value of rocking width) accompanying the enlargement of the sputtering system can be prevented.
スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - After interrupting three-dimensional nucleus growth of the first film 26 by stopping the first sputtering, second sputtering is started to start growth of the second film 28 from two-dimensional nucleus growth.
第１のスパッタリングを止めて第１の膜２６の三次元核成長を中断した後に、第２の膜２８の成長が二次元核成長から始まるように第２のスパッタリングを開始する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target which makes the thickness of a film formed from TaN or the like with a reactive sputtering method more uniform in the film plane.
ＴａＮ膜等を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high strength sputtering target for forming a fluorescent film composing an inorganic electroluminescense element used for the display of various electronic apparatuses and information apparatuses by sputtering.
各種電子機器、情報機器のディスプレイなどに使用される無機エレクトロルミネッセンス素子を構成する蛍光体膜をスパッタリングにより形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - The Mo-based sputtering target is a sputtering target prepared by jointing a plurality of blocks each composed of a compact of a powder and has an oxygen content of 100 ppm or below.
本発明は、粉末の圧密体からなる複数のブロックが接合してなるスパッタリング用ターゲットであって、酸素含有量が１００ｐｐｍ以下であるＭｏ系スパッタリング用ターゲットである。 - 特許庁 - The base film 2 is formed by using a layer consisting essentially of cobalt oxide or a layer containing nickel oxide and nickel and film-deposited by sputtering in a sputtering atmosphere containing gaseous oxygen.
下地膜２は、実質的に酸化コバルトからなる層、または酸化ニッケル及びニッケルを含む層を用いて形成され、酸素を含有するスパッタ雰囲気下でスパッタすることにより成膜される。 - 特許庁 - To provide a shield for a DC magnetron sputtering reactor which is particularly favorable in reliably igniting plasma used for sputtering a ferromagnetic material such as cobalt and nickel.
コバルトまたはニッケルのような強磁性材料をスパッタリングするのに使用されるプラズマを確実に点弧させるのに特に有利な直流マグネトロンスパッタリング反応器のためのシールドを提供する。 - 特許庁 - The sputtering target includes zinc oxide and stannic oxide, or includes zinc oxide, stannic oxide and indium oxide; and makes a metal or an alloy dispersed in the whole sputtering target.
酸化亜鉛及び酸化スズ、又は、酸化亜鉛、酸化スズ及び酸化インジウムを含むスパッタリングターゲットであって、金属又は合金がスパッタリングターゲット全体に分散して存在するスパッタリングターゲット。 - 特許庁 - To normally apply bias voltage to a substrate even when sputtering is repeated many times in the sputtering for depositing a conductive film while applying the bias voltage to the substrate.
基板にバイアス電圧を印加しながら導電膜を作成するスパッタリングにおいて、スパッタリングを数多く繰り返した場合でも、バイアス電圧が正常に基板９に印加されるようにする。 - 特許庁 - In the alignment layer forming method for forming an alignment layer on a substrate 9, sputtering is performed so that sputtering particles discharged from a target 5 are obliquely made incident in the substrate 9 from one direction.
基板９上に配向膜を形成する方法であって、ターゲット５から放出されるスパッタ粒子が一方向から斜めに基板９に入射するようにスパッタリングを実施する。 - 特許庁 - To provide a Cu sputtering target which can stabilize a plasma and keep a self-maintaining discharge for a long time in a self-ion-sputtering method of Cu.
Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁 - Ar gas is introduced as sputtering gas from a gas introduction pipe 106 for sputtering, and the pressure in a chamber 101 is regulated to 0.5-10 Pa by a variable conductance valve 114.
スパッタ用ガス導入管１０６からスパッタ用ガスとしてＡｒガスが導入され、チャンバ１０１内の圧力は可変コンダクタンスバルブ１１４によって０．５〜１０Ｐａに調圧される。 - 特許庁 - To provide a sputtering method and a sputtering apparatus capable of rapidly depositing a high quality silicon thin film having a low oxygen content by using a powder target.
粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - This sputtering target material has a composition comprising strontium ruthenate and one or two added sintering auxiliaries of CuO and GeO_2, and thereby has a density of the sputtering target enhanced into 80% or higher.
ルテニウム酸ストロンチウムの組成物にＣｕＯ、ＧｅＯ_２、のうち１種あるいは２種の焼結助剤を加えることによって、スパッタリングターゲットの密度を８０％以上に高めることができる。 - 特許庁 - The electrode 2a and the electrode 4 are formed by a sputtering method of sputtering a transparent conductive layer such as FTO (tin oxide doped with fluorine) respectively on substrates 1 and 5.
電極２ａおよび電極４として、それぞれ、基板１および５の上にＦＴＯ（フッ素がドープされた酸化スズ）などの透明導電層をスパッタリング法などによって形成する。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a precious metal magnetic sputtering target comprising multiphase Co-Cr-B-Pt and having enhanced sputtering target characteristics from manufacturing and applications standpoints.
製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のＣｏ−Ｃｒ−Ｂ−Ｐｔからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thin film deposition is performed by a sputtering method, and fluorine in the film is doped by introducing fluorine compound gas such as ethylene fluoride into a vacuum film deposition system while thin film deposition is carried out by sputtering.
薄膜はスパッタリング法で被覆され、膜のなかのフッ素はスパッタリングで薄膜を被覆する際に、フッ化エチレンなどのフッ素化合物ガスを真空成膜装置に導入してドープする。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which is composed of chromium or chromium alloy hardly causing splashes in a sputtering process, e.g. for forming an electrode material or a TFT-LCD.
ＴＦＴ型ＬＣＤの電極材料の形成等におけるスパッタリング工程において、スプラッシュの発生が起こり難いクロムまたはクロム合金からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor manufacturing equipment wherein sufficient hole coverage is ensured while shortening the whole sputtering processing time by shortening Al sputtering processing time.
Ａｌスパッタ処理時間を短縮し全体のスパッタ処理時間を短縮しつつ、十分なホールカバレッジを確保する半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - The magnetron sputtering apparatus is provided with an auxiliary magnetic field formed closely to one side or both sides in the direction of the axis of the target of a cathode type magnetron sputtering apparatus.
ホローカソード型マグネトロンスパッタリング装置のターゲットの軸方向片側或いは両側に近接して補助的磁場を形成したことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - ION IMPLANTATION METHOD USING SPUTTERING METHOD TO INNER PERIPHERAL SURFACE SIDE OF CYLINDRICAL BODY AND AND APPARATUS THEREFOR AND COATING METHOD USING SPUTTERING METHOD AND APPARATUS THEREFOR
筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたイオン注入法及びその装置並びに筒状体の内周側表面へのスパッタ法を用いたコーティング法及びその装置 - 特許庁 - As the energy irradiation, any of sputtering treatment using an inactive material, a sputtering treatment using a chemically active ion, ion milling, and plasma etching can be employed.
エネルギー照射としては、不活性材料を使用したスパッタリング処理、化学的に活性を有するイオンを使用したスパッタリング処理、イオンミリング、及びプラズマエッチングのうちのいずれかを利用できる。 - 特許庁 - To provide a Mg sputtering target used when manufacturing a thin film of MgO with a reactive sputtering method, which is a protective coating of a dielectric layer for the plasma display panel of an alternating current type.
交流型プラズマディスプレイパネルにおける誘電体層の保護膜であるＭｇＯ薄膜を反応性スパッタリング法により製造するときに用いるＭｇスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To produce an Mo-based sputtering target material preventing the fluctuation of film forming characteristics at the time of sputtering and capable of realizing an operation to impart stable film forming characteristics, and to provide a method for producing it.
スパッタリング時の成膜特性の変動を解決し、安定した成膜特性での操業が実現可能であるＭｏ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - During the deposition interval, the pressure of a sputtering working gas introduced into a chamber may be kept at a first pressure, and during the formation interval, the pressure of the sputtering working gas may be increased to a second pressure.
堆積期間中、チャンバに導入されたスパッタリング作動ガスは第１圧力に維持されてよく、形成期間中、スパッタリング作動ガスの圧力は第２圧力に上昇してよい。 - 特許庁 - To provide a sputtering target assembly with which impurities are hard to be intruded into a sputtering film to be obtained, which can easily be reproduced after use and further increases the utilization rate of a target.
得られるスパッタリング膜中に不純物が混入し難く、使用済み後の再生が簡便にでき、かつターゲット利用率をより一層高めるスパッタリングターゲット組立体を提供する。 - 特許庁 - To provide a high-density sputtering target for forming a phase change optical disc protective film having zinc sulfide-silicon oxide as its principal components, which is capable of reducing particles and nodules produced during sputtering upon sputtering, has minimal variation in quality and capable of improving mass productiveness, and which has minute crystal grains.
スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり高密度を備えた硫化亜鉛−ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁 - To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.
銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリングを増進させるシールド等、及び第１の銅層のためにＳＩＰを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁 - The sputtering target is composed of a mixed crystal structure where metal zinc is not solid-soluted into an oxide phase, and, by performing sputtering using the sputtering target, a transparent conductive film of a single oxide phase can be obtained, and light transmittance can be increased in the wavelength region of ≥600 nm.
該スパッタリングターゲットは金属亜鉛が酸化物相に固溶していない混晶組織からなり、該スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることにより単一酸化物相の透明導電膜が得られ、６００ｎｍ以上の波長域で光透過率を高めることが可能となる。 - 特許庁 - The production control system for the sputtering target which uses a computer network is structured between the target maker and target user and various information regarding production control such as history information on a backing plate, production information on the sputtering target, and use information on the sputtering target is shared.
ターゲットメーカとターゲットユーザとの間でコンピュータネットワークを利用したスパッタリングターゲットの生産管理システムを構築し、バッキングプレートの履歴情報、スパッタリングターゲットの生産情報、スパッタリングターゲットの使用情報等の生産管理に関する種々の情報を共有するようにした。 - 特許庁 - To provide a high frequency sputtering device by which the sputtering rate is stabilized and capable of forming a thin film whose film thickness is controlled with high precision as to a high frequency sputtering device forming a dielectric thin film of oxide, nitride or the like on the object to be treated.
本発明は、被処理物上に酸化物、窒化物等の誘電体薄膜を形成する高周波スパッタリング装置に関し、特にスパッタレートを安定化し、高精度に膜厚を制御した薄膜を形成可能な高周波スパッタ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
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