「static memory」を含む例文一覧(298)
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スタティックメモリ素子 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティックランダムアクセスメモリ - 特許庁 - SEMICONDUCTOR STATIC MEMORY
半導体スタティックメモリ - 特許庁 - STATIC MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY
スタティック・メモリセルおよびメモリアレイ - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - STATIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY
スタティック型半導体メモリ - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CIRCUIT
スタティックランダムアクセスメモリ回路 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL
スタティック・ランダム・アクセス・メモリセル - 特許庁 - STATIC SEMICONDUCTOR MEMORY
スタティック型半導体記憶装置 - 特許庁 - STATIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY
スタティック型半導体記憶装置 - 特許庁 - STATIC SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
スタティック型半導体記憶装置 - 特許庁 - STATIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
スタティック型半導体記憶装置 - 特許庁 - an integrated circuit called {static memory}
スタティックメモリーという集積回路 - EDR日英対訳辞書 - SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND SRAM TEST METHOD
ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、及びＳＲＡＭのテスト方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティックランダムアクセスメモリの製造方法 - 特許庁 - SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND TEST METHOD OF SRAM
ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、及びＳＲＡＭのテスト方法 - 特許庁 - STATIC MEMORY HAVING SELF-TIMING CIRCUIT
セルフタイミング回路を有するスタティックメモリ - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING STATIC MEMORY CELL
半導体メモリおよびスタティックメモリセルの製造方法 - 特許庁 - STATIC MEMORY CELL AND SRAM DEVICE
スタティック型メモリセルおよびＳＲＡＭ装置 - 特許庁 - SRAM (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) AND ACCESS METHOD TO SRAM
ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、及びＳＲＡＭへのアクセス方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND MEASURING METHOD FOR PSEUDO STATIC NOISE MARGIN
スタティックランダムアクセスメモリ、および擬似スタティックノイズマージンの計測方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY COMPRISING GLOBAL BIT LINE
グローバルビット線を有するスタティックランダムアクセスメモリ - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND SEMICONDUCTOR DEVICE
スタティック・ランダム・アクセスメモリおよび半導体装置 - 特許庁 - PREFETCH FROM DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY TO STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
ダイナミック・ランダムアクセスメモリからスタティック・ランダムアクセスメモリへのプリフェッチ - 特許庁 - To provide a static random access memory capable of suppressing a decrease in static noise margin.
スタティックノイズマージンの低下を抑制できるスタティック・ランダム・アクセス・メモリを得ること。 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
スタティックランダムアクセスメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁 - Each memory device includes a memory, such as a NAND-type flash memory, a NOR-type flash memory, a RAM, and a static RAM.
各メモリデバイスは、例えばNANDタイプフラッシュメモリ、NORタイプフラッシュメモリ、ＲＡＭ及びスタティックＲＡＭ等のメモリを含む。 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD
スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁 - A plurality of memory cell lines comprise static memory cells which align in one direction.
複数のメモリセル行が、一方向に並ぶスタティックメモリセルにより構成される。 - 特許庁 - METHOD FOR DETERMINING INITIAL STATE OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
スタティック・ランダム・アクセス・メモリの初期状態を決定する方法 - 特許庁 - VIRTUAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD
仮想型スタティックランダムアクセスメモリ装置及びその駆動方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) CELL AND METHOD FOR FORMING THE SAME
スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルとその製造方法 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL OF TWO TRANSISTOR AND ITS DRIVING METHOD
２個トランジスタのスタティックランダムアクセスメモリーセルとその駆動方法 - 特許庁 - MULTI-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY FOR COLUMN INTERLEAVED ARRAY
列インタリ—ブド・アレイのためのマルチポ—ト・スタティック・ランダム・アクセス・メモリ - 特許庁 - At least one of the first latch circuit 10 and the second latch circuit 20 is composed of an SRAM (Static Random Access Memory) type.
第１ラッチ回路１０および第２ラッチ回路２０の少なくとも一方がＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）型で構成される。 - 特許庁 - The memory cell M00 consists of an SRAM (static random access memory) 4 and FeRAMs (ferroelectric RAMs) 5-0 to 5-n.
メモリセルＭ００は、ＳＲＡＭ４と、ＦｅＲＡＭ５−０〜５−ｎとからなる。 - 特許庁 - To suppress variation in data writing characteristics of a memory cell in a static random access memory.
スタティックランダムアクセスメモリの、メモリセルのデータの書き込み特性のばらつきを抑制する。 - 特許庁 - A dynamic memory A, a non-volatile memory B, and a static memory C are contained within one package.
ダイナミック型のメモリＡと不揮発性メモリＢとスタティック型のメモリＣとを１つのパッケージに収める。 - 特許庁 - The power supply voltage supplying means is configured to stop power supplying to the static memory cell in a static memory cell selected state, and to execute power supplying to the static memory cell in a static memory cell unselected state.
電源電圧供給手段は、スタティックメモリセルが選択された状態でスタティックメモリセルへの電源電圧供給を停止し、スタティックメモリセルが選択されない状態でスタティックメモリセルへの電源電圧供給を実行するよう構成される。 - 特許庁 - A static memory cell connected to word and data lines is used.
ワード線およびデータ線に接続されたスタティックメモリセルを用いる。 - 特許庁 - ASYMMETRICAL STATIC RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT HAVING REDUCED BIT LINE LEAKAGE
ビット・ライン漏洩の少ない非対称静的ランダム・アクセス・メモリ素子 - 特許庁 - To provide a nonvolatile static random access memory cell (SRAM).
不揮発性のスタティックランダムアクセスメモリセルを提供することである。 - 特許庁 - Each pixel 10 is provided with a static memory, and each pixel emits light according to the data stored in the static memory.
また、各画素１０には、それぞれスタティックメモリが設けられており、各画素はスタティックメモリに記憶したデータに応じて発光する。 - 特許庁 - A static random access memory has a plurality of memory cells arranged in the row and column directions.
スタティックランダムアクセスメモリは，ロウ及びコラム方向に配置された複数のメモリセルを有する。 - 特許庁 - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY OF CMOS, MEMORY CIRCUIT, AND METHOD FOR GENERATING SENSE-ENABLE SIGNAL
ＣＭＯＳのスタティック・ランダム・アクセス・メモリ、メモリ回路、及び、センスイネーブル信号の発生方法 - 特許庁 - To provide a static random access memory whose static noise margin can easily be measured and an SNM measuring method.
ＳＮＭを容易に計測可能なスタティックランダムアクセスメモリおよびＳＮＭ計測方法を提供する。 - 特許庁 - ELECTRONIC STATIC IMAGE IMAGE PICKUP DEVICE, OPERATION CONTROL MEMORY, AND STORAGE MEDIUM
電子式静止画撮像装置、動作制御方法、及び記憶媒体 - 特許庁 - To optimally adjust the faulty operating margin depending on the memory cell characteristics in a static semiconductor memory.
スタティック型半導体メモリの動作マージン不良をメモリセル特性に応じて最適に調整する。 - 特許庁 - To simply and inexpensively manufacture a resistor for taking a measure against a soft error in an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell.
ＳＲＡＭメモリセルのソフトエラー対策用の抵抗体を簡単且つ安価に提供する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD OF FLASH MEMORY, MANUFACTURING METHOD OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, AND FLASH MEMORY
半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ - 特許庁
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