「static memory」を含む例文一覧(298)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 次へ＞- To attain sure maintenance of stored data in an SRAM (Static Random Access Memory) by preventing the stored data from being destructed by a latch-up phenomenon even when a soft error occurs due to a neutron.
ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）において、中性子によるソフトエラーが発生した場合であってもラッチアップ現象によって記憶データが破壊されることを防止して、記憶データを確実に維持できるようにする。 - 特許庁 - To provide a static random access memory with a non-volatile data holding function and its operating method, where a static random access memory is made to have the non-volatile data holding function so as to be further reduced in power consumption and manufacturing cost.
不揮発データ保持機能付きスタティック・ランダム・アクセス・メモリ及びその動作方法に関し、不揮発データ保持機能を持たせることによって、さらなる低消費電力化、低価格化を実現する。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus that solves a problem that a controller mounted in a memory medium hangs up due to an application of static electricity during the access operation, which is associated with a nature of a memory medium having low static-electricity resistance.
メモリメディアは、静電気に対する耐性が弱いために、アクセスが行われている際に静電気が印加され、メモリメディア内に搭載されているコントローラがハングアップしてしまうことが考えられる。 - 特許庁 - To provide a high voltage generator being suitable for adopting to a semiconductor memory which has a memory cell refreshing stored data, in which a refresh-function is performed internally and which is operated with timing conditions such as that of a SRAM(static random access memory) product, and a high voltage supply method.
貯蔵されたデータをリフレッシュすべきメモリセルをもち、内部的にリフレッシュ機能を行いながら、外部的にはSRAM（static random access memory）製品のようなタイミング条件で動作する半導体メモリ装置に採用するに適合した高電圧発生器及び高電圧供給方法を提供するにある。 - 特許庁 - To provide a static/random/access/memory (SRAM) including a plurality of SRAM cells arranged in an array state.
アレイに配列された複数のＳＲＡＭセルを含むスタティック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＳＲＡＭ」）が提供される。 - 特許庁 - STATIC/RANDOM/ACCESS/MEMORY (SRAM) AND METHOD FOR CONTROLLING VOLTAGE LEVEL SUPPLIED TO SRAM
スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）およびＳＲＡＭに供給される電圧レベルを制御する方法 - 特許庁 - A data I/O circuit inputs and outputs data from/to the static type memory cells.
データ入出力回路は、上記スタティック型メモリセルに対するデータ入力及びデータ出力を行う。 - 特許庁 - A synchronous random access memory device is manufactured as a dynamic storage device or a static storage device.
前記の同期ランダムアクセスメモリ装置はダイナミック記憶装置またはスタティック記憶装置として製作される。 - 特許庁 - The data voltage from a data line 7 is input via a transistor 5 and is stored in the static memory.
データライン７からのデータ電圧がゲートトランジスタ５を介し入力されてスタティックメモリに記憶される。 - 特許庁 - DISTRIBUTED DECODING SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING DENSITY OF STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM)
スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）の密度を向上させるための分散型復号化システムおよび方法 - 特許庁 - To provide an SRAM (Static Random Access Memory) using a carbon nanotube (CNT) thin film.
炭素ナノチューブ（ＣＮＴ：Ｃａｒｂｏｎ ＮａｎｏＴｕｂｅ）薄膜を利用したＳＲＡＭを提供する。 - 特許庁 - To provide a static type semiconductor memory in which yield is better and a standby current is a standard value or less.
歩留りよく、スタンバイ電流が規格値以下となるスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device equipped with a command mode entry having pin compatibility and signal timing compatibility with a conventional static memory.
従来のスタティックメモリとピン互換性および信号タイミングの互換性を有するコマンドモードエントリを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a static type semiconductor memory where a standby current is suppressed and replacement for relieving can be performed even if a fault occurs in the memory cell.
欠陥メモリセルが発生しても、スタンバイ電流を抑制して置換救済が可能なスタティック型の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device with a command mode entry having a conventional static memory, pin-compatibility, and the inter changeability of signal timing.
従来のスタティックメモリとピン互換性および信号タイミングの互換性を有するコマンドモードエントリを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To increase variation rate of bit line amplitude by reducing interference between bit lines at the time of read-out of memory cell data in a static type semiconductor memory.
スタティック型半導体記憶装置においてメモリセルデータ読出時のビット線間干渉を低減し、ビット線振幅の変化速度を高速化する。 - 特許庁 - To provide a multiport semiconductor memory device capable of sufficiently securing a static noise margin (SMN) and reducing a memory size.
スタティックノイズマージン（ＳＮＭ）を十分に確保するとともにメモリセルサイズも縮小することが可能なマルチポートの半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device (31) includes a static type memory cell (MC), word lines (WL1 to WLm), and bit lines (BL1,/BL1 to BLn,/BLn).
半導体記憶装置（３１）は、スタティック型のメモリセル（ＭＣ）と、ワード線（ＷＬ１〜ＷＬｍ）と、ビット線（ＢＬ１，／ＢＬ１〜ＢＬｎ，／ＢＬｎ）とを含む。 - 特許庁 - Even after the end of reproduction as to a selected track, when the static image data stored in the static image data memory 5 are stored and the static image group in the track control information of the reproduction track selected next is discriminated to be the same as the static image group stored in the memory 5, no storage is made from an optical disk to the memory 5.
選択されたトラックについての再生動作の終了後も、静止画データ用メモリ５に記憶中の静止画データを記憶しておき、次に選択された再生トラックのトラック制御情報中の静止画グループが、メモリ５に記憶されている静止画グループと同一と判断された場合には、光ディスクからメモリ５に対する記憶動作が行なわれないようにする。 - 特許庁 - The number of steps adjustment objects are outputted according to results obtained by performing a static analysis by using a compiler or assembler, a static analysis by memory arrangement is subsequently performed by using a linker, and modification is performed with the results of the static analysis.
コンパイラまたはアセンブラを用いて静的解析を行った結果により、ステップ数調整オブジェクトを出力した後、リンカを用いてメモリ配置による静的解析を行い、その結果で修正する。 - 特許庁 - An address selection circuit selects a static type memory cell in the memory array and a signal transmission path between the memory array and the data I/O circuit.
アドレス選択回路は、上記メモリアレイにおける上記スタティック型メモリセルの選択及び上記メモリアレイと上記データ入出力回路との間の信号伝達経路の選択を行う。 - 特許庁 - To restrain an electronic circuit from getting broken down by static electricity by inexpensive means when static electricity flows into an electronic circuit board to and from which data is input and output via a memory card.
メモリーカードを介してデータを入出力する電子回路基板に静電気が流入した場合、静電気による電子回路の破壊を安価に抑制する。 - 特許庁 - Each static corner and corresponding descriptor is stored in a memory, and each static corner is classified as a background or foreground according to the descriptor to model a background in the video.
各静止コーナ及び対応する記述子をメモリに格納し、記述子に従って各静止コーナを背景又は前景として分類することによりビデオの背景をモデル化する。 - 特許庁 - To attain high speed reading in by preventing data reading from being impossible at the time of composing an SRAM(static random access memory) circuit by a four-transistor memory cell.
４ＴｒメモリセルでＳＲＡＭ回路を構成時に、データの読み出し不能を未然に防止し、高速な読み出しを可能にしたＳＲＡＭ回路の提供。 - 特許庁 - To detect minute defect existing in a PMOS load transistor of an SRAM (Static Random Access Memory) memory cell without extremely increasing circuit area and at high speed.
回路面積を極端に増大させることなく、かつ高速に、ＳＲＡＭメモリセルのＰＭＯＳ負荷トランジスタに存在する微小欠陥を検出すること。 - 特許庁 - The device has a memory cell array having a plurality of CMOS static type memory cells provided at the intersections of a plurality of word lines and a plurality of complementary bit lines.
複数のワード線と複数の相補ビット線の交差部に設けられた複数のＣＭＯＳスタティック型メモリセルを有するメモリセルアレイを有する。 - 特許庁 - By providing additionally small-capacity buffers in the input/ output part, a memory used for processing a static image can be used in place of a line memory.
静止画処理用に使用しているメモリを、入出力部に小容量のバッファを付けることによりラインメモリ代わりに使用できるようにする。 - 特許庁 - A phase change memory may be replaced with a low-cost NAND flash because the phase change memory may have sufficiently low cost, and the phase change memory may be replaced with a static random access memory and/or a random access memory in buffer memory packaged in combination with a NAND flash memory because the phase change memory has sufficiently high performance.
相変化メモリは十分に低コストであることが可能であるため、低コストのＮＡＮＤフラッシュと置き換えることが可能であり、相変化メモリは十分高い性能を有するため、ＮＡＮＤフラッシュメモリを伴ってパッケージングされるバッファメモリにおいてスタティックランダムアクセスメモリ及び／又はランダムアクセスメモリと置き換えることが又できる。 - 特許庁 - An ultrasonic static image obtained by inspecting the test body 6 beforehand by the ultrasonic wave is stored in a memory 9.
あらかじめ超音波で被検体６を検査して得られた超音波静止画像をメモリ９に記憶しておく。 - 特許庁 - To enable a semiconductor memory device such as a VSRAM (Virtually Static RAM) to perform a strict consecutive access in a burst mode.
ＶＳＲＡＭのような半導体メモリ装置において、バーストモードでの厳密な連続アクセスを可能とする。 - 特許庁 - To improve operability of a semiconductor memory device by enhancing convenience of a static type RAM or the like in the word line pulse drive system.
ワード線パルス駆動方式をとるスタティック型ＲＡＭ等の利便性を高め、その使い勝手を高める。 - 特許庁 - To improve write-in characteristic operations of a static type memory cell and to improve the lower limiting voltage characteristic and stability.
スタティック型メモリセルの書込特性動作を改善、および下限電圧特性および安定性を向上する。 - 特許庁 - To provide a static semiconductor memory device of which a layout area is reduced and which is operated with lower power consumption.
レイアウト面積の縮小・低消費電力動作を実現するスタティック型半導体記憶装置の提供。 - 特許庁 - To prevent a memory card from being broken by static electricity even if a charged hand of a user touches a cover.
帯電した使用者の手がカバーに触れても、静電気でメモリカードが電気的に破壊されるのを防止する。 - 特許庁 - To provide a static semiconductor memory in which a power source voltage range being operable can be widened.
動作可能な電源電圧幅を拡大することが可能なスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The voltage of the secondary battery used as a static memory and a backup battery of a clock or the like is used for the clamping.
スタティックメモリ、時計等のバックアップ電池として用いられている２次電池の電圧を前記クランプに利用する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, THE SEMICONDUCTOR DEVICE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND PORTABLE ELECTRONIC APPARATUS
半導体装置の製造方法、並びに半導体装置、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及び携帯電子機器 - 特許庁 - When a user selects a static image to be inserted by a remote control operation, a system control section 105 reads a static image selected from a memory card loaded in a drive device section 107 via a static image reading/writing section 110, and a static image compressing section 111 compresses the static image in an MEPG standards, an animation recording format.
挿入する静止画をユーザがリモコン操作で選択したら、システム制御部１０５は、ドライブ装置部１１３に装着されているメモリカード１１３から選択された静止画を、静止画読込／書込部１１０を介して読み出し、静止画圧縮部１１１において、動画用記録形式であるＭＰＥＧ規格で静止画を圧縮する。 - 特許庁 - To provide a memory management device suitable for solving a deficiency that a browser terminal adopting the static memory management method may get into the state that the operation is impossible because of the shortage of memory resources.
スタティックメモリ管理方式を採用したブラウザ端末において、メモリリソースの不足により操作不能な状態に陥るという不具合を解決するのに好適なメモリ管理装置を提供する。 - 特許庁 - To reduce the power consumption of an active matrix type organic EL (electroluminescence) panel, having a static memory in a pixel, at turn-on time.
スタティックメモリを画素内に備えるアクティブマトリクス型有機ＥＬパネルの非点灯時の消費電力を低減する。 - 特許庁 - To further reduce a cell area when a semiconductor device has static memory cells.
スタティック型のメモリセルを有する半導体記憶装置において、セル面積を従来よりも一層縮小化できるようにする。 - 特許庁 - To provide a nomvolatile memory for obtaining extremely small static current consumption even in a reading state.
読み出し状態にしても非常に小さい静的消費電流にすることができる不揮発性メモリーを提供する。 - 特許庁 - An SRAM (Static Random Access Memory) system 1 has an SRAM array 2, a storage part 3, a search part 4 and a power control part 5.
ＳＲＡＭシステム１は、ＳＲＡＭアレイ２と、格納部３と、検索部４と、電力制御部５とを有している。 - 特許庁 - To provide static random access memory cells which have a faster driving current and smaller short channel effect.
より速い駆動電流およびより小さな短チャネル効果を備え、微細化されたスタティック・ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。 - 特許庁 - The power-supply node of the static memory cell is connected to a first power supply voltage via a power supply voltage supplying means.
スタティックメモリセルの給電ノードは、電源電圧供給手段を介して第１の電源電圧に接続される。 - 特許庁 - To provide a data processing apparatus capable of reducing a chip area by reducing the number of buffer SRAMs (Static Random Access Memory).
バッファＳＲＡＭの個数を減らしてチップ面積を削減することが可能なデータ処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a static semiconductor memory device which can easily optimize the operation timing and has a high operation margin.
動作タイミングを容易に最適化することができ、動作マージンが高いスタティック型半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - To realize a reduction of layout area guaranteeing the stability of holding data in a static semiconductor memory.
スタティック形の半導体メモリセルにおいてデータ保持の安定性を保証しつつレイアウト面積の縮小を実現すること。 - 特許庁 - A first IC memory 12-1 and a second IC memory 12-2 are provided in a memory card 1, and the first IC memory 12-1 stores a static graphics directory 22 and a sound directory 23, a music directory 24, a text directory 25 and a memory A recognition directory 26 in advance.
メモリカード１には、第１のＩＣメモリ１２-１と第２のＩＣメモリ１２-２が設けられており、上記第１のＩＣメモリ１２-１には、予め、静止画像ディレクトリ２２、音声ディレクトリ２３、音楽ディレクトリ２４、テキストディレクトリ２５、メモリＡ認識ディレクトリ２６が記録されている。 - 特許庁 - User can refer to the memory A recognition static graphics file 22-A stored in the first IC memory 12-1 and the like by operating the host device.
ユーザはホスト機器を操作することにより、例えば、上記第１のＩＣメモリ１２-１に記録されたメモリＡ認識静止画像ファイル２２-Ａを参照することができる。 - 特許庁
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