「static memory」を含む例文一覧(298)

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  • To provide a method for driving memory display of a liquid crystal display element capable of displaying memory for a predetermined period by using a time constant circuit composed of equivalent static capacitance and equivalent resistance owned by a light control layer constituting a light scattering type liquid crystal.
    光散乱型液晶を構成する調光層が固有に有する等価静電容量と等価抵抗による時定数回路を利用して、所定の時間メモリー表示をすることができる液晶表示素子のメモリー表示駆動方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • A write dummy bit is constituted of a first dummy line and a second dummy line corresponding to complementary bit lines of a memory array and a plurality of first dummy cells which are formed in the same form as a static type memory cell and a write current path is connected between the first dummy line and the second dummy line.
    メモリアレイの相補ビット線に対応した第１ダミー線と第２ダミー線と、スタティック型メモリセルと同じ形態で形成され、書き込み電流経路が上記第１ダミー線と第２ダミー線との間に接続された複数の第１ダミーセルとで書き込みダミービットを構成する。 - 特許庁
  • To provide an information processing system in which AP processing and the switching of static pictures are simultaneously operated at low costs without need of any special memory in a picture display device, and a display dev ice to be used in the system.
    画像表示装置内に、特殊なメモリを必要とせずに、低コストでＡＰ処理と静止画像の切り替えを瞬時に行えるようにした情報処理システムおよびそれに用いる表示装置を提供すること。 - 特許庁
  • To obtain a static type semiconductor memory in which a current path between the power source and ground is eliminated in a corresponding redundant unit after redundant replacement, a standby current is reduced, and the yield after redundant replacement is improved.
    冗長置換後には該当冗長単位内に電源およびグランド間の電流パスがなくなり、スタンバイ電流を削減し、冗長置換後の歩留まりを向上させるスタティック型半導体記憶装置を得る。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor memory in which reduction of a static noise margin accompanying voltage drop of power source voltage can be suppressed and the degree of integration of a circuit can be improved, and its method of reading stored data.
    電源電圧の低電圧化に伴うスタティックノイズマージンの低下を抑制できるとともに、回路の集積度を向上させることができる半導体記憶装置と、その記憶データ読み出し方法を提供する。 - 特許庁
  • Thereby, the contact point section 231 is shielded and protected from the impact to cause distortion etc., the static electricity and electromagnetic waves to cause the destruction or malfunction of the memory IC chip 235 and the toner etc., to cause contamination.
    このことにより、接点部２３１は、歪みなどを生じさせる衝撃、メモリＩＣチップ２３５を破壊しまたは誤動作させる静電気や電磁波、および汚損を生じるトナー等から遮断され保護される。 - 特許庁
  • The static memory comprises first and second driving transistors 2 and 4, and a first organic EL element 1 and a second organic EL element 3 are connected to the first and second driving transistors 2 and 3 respectively.
    第１および第２の駆動トランジスタ２，４によりスタティックメモリを形成し、この第１および第２の駆動トランジスタ２，３にそれぞれ第１の有機ＥＬ素子１と、第２の有機ＥＬ素子３をそれぞれ接続する。 - 特許庁
  • A first image processing part 105 and a second image processing part 110 reproduce a first image and second image based on the first static image data and second static image data stored in a memory device 24, respectively, by use of a superimpose part 106, and these images are superposed and displayed on the screen of a display device 22.
    ＣＰＵ１０１の制御に基づいて第１画像処理部１０５と第２画像処理部１１０が、スーパーインポーズ部１０６を用いて、記憶装置２４に記憶された第１の静止画データに基づく第１映像と第２の静止画データに基づく第２映像とをそれぞれ再生し、それらの映像を重ね合わせて表示装置２２の画面に表示させる。 - 特許庁
  • The setting height of the first terminal from the surface of the printed substrate 3 is set to be lower than the setting height of the second terminal, so that when an object charged with static electricity, such as a human body, contacts the removable memory card, the electrostatically-charged object contacts the second terminal before contacting the first terminal and can cause static electricity to flow to the second terminal side.
    プリント基板３の表面からの第一の端子の設置高さを第二の端子の設置高さよりも低くすることにより、人体などの静電気帯電体がリムーバブルメモリカードと接触する場合、静電気帯電体は、第一の端子よりも先に第二の端子に接触し、静電気を第二の端子側に流すことができる。 - 特許庁
  • Because a static image is displayed by using an image data stored in such a memory part, the static image can be displayed only by inputting a simple control signal from the outside of the semiconductor display unit and at low power consumption.
    そのようなメモリ部に格納された画像データを用いて静止画像を表示することにより、半導体表示装置の外部からは簡単な制御信号を入力するだけで静止画像を表示することが可能となり、低消費電力で静止画像を表示することのできる半導体表示装置および半導体表示装置を搭載した半導体装置が提供される。 - 特許庁
  • A cartridge memory 501 to record information with respect to the use state of an apparatus, an arithmetic part 503 to compare the information recorded in the cartridge memory 501 with previously stored information, and a destaticization controller 500 to operate the static eliminator 301 on the basis of the decision of the arithmetic part 503 are provided to an image forming apparatus.
    装置の使用状況に関する情報を記録するカートリッジメモリ５０１と、カートリッジメモリ５０１に記録された情報と、予め記憶していた情報とを比較する演算部５０３と、演算部５０３の判断に基づいて、除電装置３０１を動作させる除電制御装置５００と、を備える。 - 特許庁
  • The device for determining the optimum arrangement comprises a road map DB, an external storage device that is a magnetic disk wherein the previously prepared static label or the like is permanently saved and stored, a device for reading in external memory, a device for writing out memory externally, a main storage, a central processing unit to control other devices, and a map display device.
    一方、最適配置の決定装置は、道路地図ＤＢ、事前準備静的ラベルなどが永続的に保存・格納されている磁気ディスクである外部記憶装置と、外部記憶読み込み装置と、外部記憶書き出し装置と、主記憶と、他の装置を制御する中央演算装置と、地図表示装置とから成る。 - 特許庁
  • In the case of digital display, it is possible enough to write a digital video signal even if a power source voltage of static type memory 110 is reduced to about 3 V by lowering a panel driving frequency from 60 Hz to 20 Hz-30 Hz.
    デジタル表示時には、パネル駆動周波数を６０Ｈｚから２０Ｈｚ〜３０Ｈｚに低減することにより、スタティック型メモリ１１０の電源電圧を３Ｖ程度に下げてもデジタル映像信号の書き込みが十分可能である。 - 特許庁
  • To provide an SRAM (Static Random Access Memory) cell circuit which makes a dedicated read line unnecessary by suppressing limiting conditions on transistor dimensions in ensuring certain write operation and read operation and reducing the number of transistors used, and to provide its driving method.
    書き込み動作や読み出し動作を確実にすることに伴うトランジスタ寸法への制約条件を抑制し、使用トランジスタ数を少なくし、読み出し専用線を不要とするＳＲＡＭセル回路およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a liquid crystal display element which can display a dynamic image and a static image having a quality same as that of a display such as a present liquid crystal display (LCD) and can display memory image with lower voltage than that of a present electronic paper.
    動画像・静止画像を現状のＬＣＤ等のディスプレイと同等の画質で表示することができ、且つ現状の電子ペーパーよりも低電圧でメモリー画像を表示することができる液晶表示素子を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a BIOS data storage device of a computer system which reduces the cost by storing BIOS data in a specific area of a static RAM used as a cache memory without using any expensive ROM and its driving method.
    高価なＲＯＭを使用せず、キャッシュメモリに用いられる静的ＲＡＭの特定領域にＢＩＯＳデータを格納して原価を低減し得るコンピュータシステムのＢＩＯＳデータ格納装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁
  • One of the source area and drain area of a TFT 21 for selection is connected to one of source signal lines 23 and the other is connected to the input side of an SRAM (static random access memory) 24, whose output side is connected to a light emitting element 25.
    選択用ＴＦＴ２１のソース領域とドレイン領域のうち、一方をソース信号線２３の１つと、他方をＳＲＡＭ２４の入力側とそれぞれ接続し、ＳＲＡＭ２４の出力側と発光素子２５とを接続する。 - 特許庁
  • To provide ample adhesive strength and entry blocking function against external static electricity with appropriate reproducibility, after reducing the amount of ultrasonic vibration energy required to melt energy director, in manufacturing a semiconductor memory card.
    半導体メモリカードを製造するにあたって、エネルギーダイレクタの溶融に要する超音波振動のエネルギー量を軽減した上で、十分な溶着強度と外部静電気の進入遮断機能を再現性よく得ることを可能にする。 - 特許庁
  • The stereoscopic digital camera 1 has a three-dimensional image former 6 which composes static images of a solid object photo-taken at different angles and held in an image memory 5, thereby forming a three-dimensional image of the solid object.
    立体デジタル・カメラ１は三次元画像作成部６を備えており、ここにおいて、画像メモリ５に保持されている異なるアングルから撮影した立体物の静止画像を合成することにより、当該立体物の三次元画像が作成される。 - 特許庁
  • This storage device obtains static constitution information of the DBMS via a network 79 through a DBMS information acquisition- communication program, a DBMS information communication part, and a host computer information setting program and stores it as DBMS data information in a memory.
    記憶装置は、ネットワーク７９を通してＤＢＭＳの静的な構成情報をＤＢＭＳ情報取得・通信プログラム、ＤＢＭＳ情報通信部、ホスト情報設定プログラムを通して取得し、ＤＢＭＳデータ情報としてメモリ内に記憶する。 - 特許庁
  • To execute a multi-window display control of OSD with a simple control by a CPU without having an OSD window administrative memory, relative to an OSD display circuit capable of displaying plural OSD's on an animation/static image by a multi-window.
    動画／静止画に複数のＯＳＤをマルチウインドで表示できるＯＳＤ表示回路に関するもので、ＯＳＤウインドウ管理メモリを持つことなくＣＰＵによる簡易な制御でＯＳＤのマルチウインド表示制御を行うことを目的としている。 - 特許庁
  • The capacitor 31 is provided with a lower electrode layer 14b electrically connected to a storage node 51 held at the potential of stored data in the static type memory cell and an upper electrode layer 20 facing the lower electrode layer 14b across a dielectric layer 19.
    キャパシタ３１は、スタティック型メモリセルの記憶データの電位に保持される記憶ノード５１に電気的に接続される下部電極層１４ｂと、下部電極層１４ｂと誘電体層１９を挟んで対向する上部電極層２０とを有している。 - 特許庁
  • To prevent data from being erroneously written in a pertinent static memory, to reduce power consumption and to attain the micro-layout of pixels in a display device provided with a holding circuit for holding digital video data in the pixel.
    画素にデジタル映像データを保持するための保持回路を備えた表示装置において、当該スタティック型メモリへのデータの誤書き込みを防止すると共に、低消費電力化及び画素の微細レイアウトを可能とした表示装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide a SRAM (Static Random Access Memory) cell capable of performing reading and writing operations simultaneously without collision while reducing a size of cell, by providing a dual port SRAM cell constituted of six transistors.
    ６個のトランジスタから構成されたデュアルポートＳＲＡＭセルを提供することによって、セルのサイズを縮小しながらも読み出しと書き込みが衝突なし同時に可能にしたＳＲＡＭ(Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ)セルを提供すること。 - 特許庁
  • To provide a static semiconductor storage device capable of preventing malfunction of a semiconductor storage device by ensuring the margin between a power source voltage level of data latched by a memory cell which is to be caused by high resistance of a ground voltage line in the case of low voltage operation and a ground voltage level.
    低電圧の動作時に接地電圧ラインの高抵抗によるメモリセルにラッチされたデータの電源電圧レベルと接地電圧レベル間のマージンを確保して、半導体メモリ装置の誤動作を防止し得るスタチック半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
  • The device includes a plurality of static random access memory cells 300 each of which includes a pair of driver transistors 302a and 302b each including a pFET, a pair of load transistors 304a and 304b each including an nFET, and a pair of transfer gates 306a and 306b each including a pFET.
    ｐＦＥＴからなる一対のドライバトランジスタ３０２ａ、３０２ｂと、ｎＦＥＴからなる一対の負荷トランジスタ３０４ａ、３０４ｂと、ｐＦＥＴからなる一対のトランスファゲート３０６ａ、３０６ｂとからなる複数のスタティックランダムアクセスメモリセル３００を具備する。 - 特許庁
  • The video signal conversion apparatus 4a is provided with a field memory 11a for delaying an input signal so that time deviation among the input signals is generated to a dynamic and static video determination portion 12, a main interpolating portion 13a, and a sub-interpolating portion 14.
    映像信号変換装置４ａは、動画静止画判定部１２、主補間部１３ａ及び副補間部１４に対して供給すべき入力信号間の時間的なずれを生じさせるために、入力信号を遅延させるフィールドメモリ１１ａを備える。 - 特許庁
  • To provide a structure for rewriting a packaged memory inhibiting a trouble due to the conduction of a static electricity through a connector-inserting opening for rewriting a software formed to a cabinet for a digital CRT television, and making a high reliability and a high workability coexist at a low cost.
    デジタルＣＲＴテレビのキャビネットに設けられた、ソフト書き換え用のコネクタ挿入開口部を介した静電気の導通による故障を抑制し、低コストで高信頼性と高作業性とを両立させた実装メモリ書き換え構造を提供する。 - 特許庁
  • A semiconductor integrated circuit device 1 is equipped with; a SRAM (Static RAM) cell array 11 in which a plurality of memory cells each of which consists of CMOSFETs are arranged in matrix; and power source lines VL1 and GL1, etc., which are provided every one bit column , such as one bit column of the SRAM cell array 11.
    半導体集積回路装置１は、ＣＭＯＳＦＥＴから構成される複数のメモリセルが格子状に配置されたＳＲＡＭセルアレイ１１と、ＳＲＡＭセルアレイ１１の１ビット列等の１ビット列ごとに設けられた電源線ＶＬ１、ＧＬ１等を備えている。 - 特許庁
  • In the write dummy bit, one of levels is inputted to the first dummy line by a drive MOSFET corresponding to a write signal input for the static type memory cell, signal change of the second dummy line pre-charged to the other level is sensed and output.
    上記書き込みダミービットは、上記スタティック型メモリセルへの書き込み信号入力に対応して駆動ＭＯＳＦＥＴにより一方のレベルが上記第１ダミー線に入力され、他方のレベルにプリチャージされた上記第２ダミー線の信号変化をセンスして出力させる。 - 特許庁
  • When the static image is recorded and displayed, the timing to update an image signal in a memory 29 is altered from a period of one field to a period of two fields and the observation image is displayed in the period of two fields wherein a pixel signal of an odd-numbered line and a pixel signal of an even-numbered line are read out.
    そして、静止画を記録、表示する場合、メモリ２９における画像信号を更新するタイミングを１フィールド期間から２フィールド期間に変更し、奇数ラインの画素信号、偶数ラインの画素信号が読み出される２フィールド期間において観察画像を表示する。 - 特許庁
  • A memory device 40 stores an initial proper average machining voltage V_0 and a proper machining speed F_0 in which an electro-static suction force CF_0 applied to a wire electrode EL in a direction perpendicular to a machining advancement direction X+ in a scheduled machining allowance d_0 and a discharge repulsion force EF_0 are balanced.
    記憶装置４０は、予定の取り代ｄ_０における加工進行方向Ｘ＋に直交する方向にワイヤ電極ＥＬに作用する静電吸引力ＣＦ_０と放電反発力ＥＦ_０とが釣り合う初期の適正平均加工電圧Ｖ_０と適正加工速度Ｆ_０とを記憶する。 - 特許庁
  • To provide a charging preventing strap for holding a cellular phone, an IC card type ID card, a flash memory and so on, preventing charging by stably discharging static electricity caused due to the friction between the strap to which the above things are attached and clothing, and avoiding feeling of discomfort due to spark, breakage of a device and data extinction.
    携帯電話、ＩＣカード型ＩＤカード、フラッシュメモリー等が付されたストラップと衣服の摩擦により生じた静電気を安定的に放電させる事で帯電防止し、スパークによる不快感や機器の破損並びにデータ消失を免れる事のできる、帯電防止ストラップを提供すること。 - 特許庁
  • The sub-decode signal line functions as a conductive line for shielding static electricity for the ground line, a potential of the ground line is raised by capacity coupling with the other signal lines, electric charges are flowed out from a memory cell of the non-selection sub-word line, and deterioration of the refresh property is prevented.
    サブデコード信号線が、接地線に対する静電遮蔽用の導電線として機能し、接地線の電位が他の信号線との間の容量結合により上昇して、非選択サブサード線のメモリセルから電荷が流出してリフレッシュ特性が劣化するのを防止する。 - 特許庁
  • To provide a full electronic flash memory type external storage method and device which can be driven by software, can perform the active plug-in/out operations and can be applied to a small data processing system and have high efficiency, small volume containing all elements built into a single product, large capacity and a static operation and also high speed.
    高効率性、全てのエレメートを一つの単一製品に組み込んだ小容積、大容量、高速度、静的操作、ソフトウェアで駆動、活動プラグ・イン・アウトが可能で、小型データ処理システムに適用する全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置を提供する。 - 特許庁
  • A camera 10 is a digital camera, having the functions of recoding and reproducing moving video, static image and voice and has two media slots, to which two recording media 45, 46 capable of random access are attached at the same time, and a memory unit (inner medium) 70 capable of random access to the inside of the camera 10.
    カメラ１０は、動画、静止画及び音声の記録再生機能を備えたデジタルカメラであり、ランダムアクセス可能な２つの記録メディア４５、４６を同時に装着可能な２つのメディアスロットを有するとともに、カメラ１０内部にランダムアクセス可能な記憶装置（内部メディア）７０を備えている。 - 特許庁
  • When activating a word line 30 in afterward reading, since the bit line pair 31, 32 are put in a state that the potentials become an intermediate voltage lower than the power source voltage, the current driving capability of the access transistors 11, 21 are virtually reduced and a static noise margin of a memory cell 10 increases.
    その後の読み出しにおいてワード線３０を活性化する際、ビット線対３１，３２は電源電圧よりも低い中間電位となった状態のため、アクセストランジスタ１１，２１の電流駆動能力が見かけの上で下がり、メモリセル１０のスタティックノイズマージンが大きくなる。 - 特許庁
  • Basic characteristic value of a cell when not taking the variation in characteristic values into consideration and the transistor dimension constituting the cell, for example, a variation coefficient of the cell characteristic value corresponding to gate width are read from a memory, and static timing analysis is performed to the LSI using the read variation coefficient and basic characteristic value.
    特性値のばらつきを考慮しない場合のセルの基本特性値と、セルを構成するトランジスタの寸法、例えばゲート幅に対応したセル特性値のばらつき係数とをメモリから読み出し、読み出したばらつき係数と基本特性値とを用いて、ＬＳＩに対する静的タイミング解析を実行する。 - 特許庁
  • Next, when the difference absolute value is larger than the first threshold and smaller than the second threshold, a defective pixel address is registered in a defective pixel address memory as a target for static correction, and when the difference absolute value is larger than the second threshold, a defective pixel is determined as a pixel to which dynamic correction is performed (steps ST 8 to ST 12).
    次に、差分絶対値が、第一のしきい値より大きく第二のしきい値より小さい場合は静的補正の対象として欠陥画素アドレスメモリに欠陥画素アドレスを登録し、差分絶対値が第二のしきい値より大きい場合は動的補正を行う画素として判定する（ステップＳＴ８〜ＳＴ１２）。 - 特許庁
  • A control method of such a static random access memory (SRAM) cell is provided that an anti-parallel storage circuit storing a logic high level or a logic low level is included across a true node and a complementary node, and the true node and the complementary node are connected respectively to a true bit line (BLT) and a complementary bit line (BLC) by first and second transistors.
    真ノード、相補ノード間に論理ハイレベルまたは論理ローレベルを記憶するアンチパラレル記憶回路を含み、真ノードと相補ノードとは、それぞれ第１、第２のトランジスタによって真ビット線（ＢＬＴ）と相補ビット線（ＢＬＣ）とに接続されているスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）セルの制御方法が提供される。 - 特許庁
  • In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.
    このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁
  • An SDRAM (static and dynamic random access memory) module MMD is constituted of macro selection circuits MSE0 to 3 to select whether or not instructions from the outside is carried out, operation registers provided in the macro selection circuits so that the instructions selected by the macro selection circuits are programmed from the outside and SDRAMs 10 to 13 to be operated by receiving instructions from the macro selection circuits.
    ＳＤＲＡＭモジュールＭＭＤを、外部からの命令を実行するか否かを選択するマクロ選択回路ＭＳＥ０〜３と、このマクロ選択回路が選択する命令を外部よりプログラムできるようにマクロ選択回路内に設けたオペレーションレジスタと、マクロ選択回路からの指示を受けて動作するＳＤＲＡＭ１０〜１３により構成する。 - 特許庁
  • A data transfer circuit 30 is configured by an SRAM (Static Random Access Memory) 304 for once storing the data transferred from the CPU, a bus switch 302 for disconnecting the SRAM 304 from a bus 11 after the data is stored into the SRAM 304, and a logic circuit 306 for reading the data out of the SRAM 304 and for supplying the data to a decoder 32.
    ＣＰＵから転送されたデータを一旦格納するためのＳＲＡＭ３０４と、ＳＲＡＭ３０４にデータが格納された後、当該ＳＲＡＭ３０４をバス１１から切り離すバススイッチ３０２と、ＳＲＡＭ３０４からデータを読み出して、デコーダ３２に供給するロジック回路３０６とによって、データ転送回路３０を構成する。 - 特許庁
  • A display device is provided with a thin film transistor Qsig which is controlled by a scan signal so as to take in a display signal supplied from the outside, a display pixel PX which is driven corresponding to the display signal applied to the switch element Qsig, and a static memory part SM which holds the display signal applied to the display pixel PX in a stil picture display mode.
    表示装置は外部から供給される表示信号を取り込むよう走査信号により制御される薄膜トランジスタＱsigと、スイッチ素子Ｑsigから印加される表示信号に対応して駆動される表示画素ＰＸと、表示画素ＰＸに印加された表示信号を静止画表示モードにおいて保持するスタティックメモリ部ＳＭとを備える。 - 特許庁
  • An authentication apparatus 200 has a processor 208, at least one activator 204 coupled to the processor 208, an internal clock 212, a random number generator 216, an optional additional static memory 220 and a signal output 224, and generates a digital signature using a current time (time identifier), an identified secrete key, and a generated random number, which are called secure identifiers, and issues it.
    プロセッサ２０８とプロセッサ２０８に結合された少なくとも１つの起動器２０４、内部クロック２１２、乱数生成器２１６、任意の付加的なスタティックメモリ２２０、および信号出力２２４を有する認証装置２００において、安全な識別子と呼ばれる、現在の時間（時間識別子）、識別された秘密鍵、および生成された乱数を用いて、デジタル署名を生成し、発行する。 - 特許庁
  • This navigation system on the vehicle displays static traffic control data recorded in a map data base 3 and dynamic traffic control data which is received from FM multiple broadcasting and beacons and stored in an infrastructure data memory 9a, over the enlarged picture of the intersection in the going direction, which is displayed on a display device 7, as road sign marks or arrows or in distinction between impassable roads and other roads.
    地図データべース３に記録した静的交通規制データおよびＦＭ多重放送やビ—コンから受信してインフラデータメモリ９ａに格納した動的交通規制データを、表示装置７に拡大表示された進行方向の交差点の拡大図上に、道路標識マークや矢印として、または通行不可能な道路を他の道路と区別した表示により表示する。 - 特許庁
  • Between a first source line connected with the sources of first conductivity type MOSFETs constituting first and second CMOS inverter circuits constituting the static type memory cells and a first power line corresponding to it, a switch MOSFET which is turned off in a first operation mode and turned on in a second operation mode different from the first operation mode and diode-type first and second conductivity type MOSFETs are provided in parallel.
    上記メモリセルアレイは、複数のスタティック型メモリセルを構成する第１及び第２ＣＭＯＳインバータ回路を構成する第１導電型ＭＯＳＦＥＴのソースが接続された第１ソース線とそれに対応した第１電源線との間に、第１動作モードのときにはオフ状態にされ、上記第１動作モードとは異なる第２動作モードのときにはオン状態にされるスイッチＭＯＳＦＥＴと、ダイオード形態にされた第１導電型と第２導電型のＭＯＳＦＥＴを並列形態に設ける。 - 特許庁
  • b) Microprocessors, microcomputers, microcontrollers, programmable ROM that can electronically delete programs (including flash memory), static RAM, and devices using storage elements that employ compound semiconductors, analog-to-digital converters, digital-to-analog converters, electro-optical integrated circuits or optical integrated circuits used for signal processing, field programmable logic devices, those using neural networks, custom integrated circuits (excluding those for which it is possible to determine whether or not they are goods that fall under any of (c) through (h), or (k), or those for which it is possible to determine whether or not they are goods falling under any of the goods in the middle column of rows 5 through 15 of the appended table 1 of the Export Order; hereinafter the same shall apply in this Article) or FFT processors that fall under any of the following categories (excluding those designed for use in other goods
    ロ　マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、プログラムを電気的に消去することができるプログラマブルロム（フラッシュメモリーを含む。）、スタティック式のラム、化合物半導体を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、デジタルアナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドプログラマブルロジックデバイス、ニューラルネットワークを用いたもの、カスタム集積回路（ハからチまでのいずれか若しくはルに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。以下この条において同じ。）又はＦＦＴプロセッサであって、次のいずれかに該当するもの（他の貨物に使用するように設計したものを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム
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