This display controller, on receiving a display request message about paper jam (step S1), acquires the display characteristics of a display (step S2), and acquires user information on a context (step S3). 表示制御装置は、紙詰まりの表示要求メッセージを受信すると(ステップS1)、ディスプレイの表示特性を取得し(ステップS2)、コンテキスト上のユーザ情報を取得する(ステップS3)。 - 特許庁
The on-vehicle information terminal displays (step S50) an interrupt image, on the basis of received VICS information, and after prescribed display time elapses (step S60), deletes (step S70) the interrupt image. 受信したVICS情報に基づいて割り込み画像を表示し(ステップS50)、所定の表示時間の経過後に(ステップS60)、その割り込み画像を消去する(ステップS70)。 - 特許庁
When "Set destination" is selected (Step S20), search data on facilities located on a map displayed in Step S10 before the selection are extracted and temporarily stored (Step S30a). 目的地設定が選択されると(ステップS20)、この選択前にステップS10にて表示された地図上に位置する施設の検索データを抽出し、一時記憶する(ステップS30a)。 - 特許庁
The amount of the step which gives zero tilt in all disk radial positions are calculated on the basis of the measured step amount to prepare a conversion table where the amount of step corresponds to radial positions one-on-one. かかるステップ量に基づいて、全ディスク半径位置におけるチルトゼロのステップ量を算出し、当該ステップ量と半径位置とが一対一に対応した変換テーブルを作成する。 - 特許庁
To provide a get-on step structure for working machine capable of establishing slip stop on the step or a sufficient reinforcement of the step while a reduction of the number of component parts and a decrease of the manufacturing costs are well secured. 部品点数や製造コストの削減を図りながらも、搭乗ステップ上での滑り止めや搭乗ステップの十分な補強を行える搭乗ステップ構造を提供する。 - 特許庁
The method comprises a step of forming a lower electrode 33 on a substrate 10, a step of forming a titanium seed layer on the lower electrode 33 by sputtering method, a step of forming a piezoelectric film 43 on the titanium seed layer, and a step of forming an upper electrode 44 on the piezoelectric film 43. 基板10上に下部電極33を形成する工程と、この下部電極上に種チタン層をスパッタ法により形成する工程と、この種チタン層上に圧電体膜43を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極44を形成する工程とを備える。 - 特許庁
The carburizing method comprises a removing step (step S2) for removing a processing-deteriorated layer formed on the surface of steel containing Cr in a content of ≥1.5 mass%, and a step (step S3) for carburizing the steel after the removing step. 浸炭方法は、1.5質量%以上のCrを含む鋼の表面に形成された加工変質層を除去する除去工程(ステップS2)と、除去工程後に鋼を浸炭する工程(ステップS3)とを備えている。 - 特許庁
The method comprises a step of processing an outer diameter and an inner diameter with cold forging, a step of processing a raceway surface of a bearing on the outer diameter with machining after the step of cold forging, and a step of heat treatment after the step of machining. 冷間鍛造によって外径および内径を加工する工程と、冷間鍛造工程後に旋削によって外径に軸受の軌道面を加工する工程と、旋削工程の後に熱処理を行う工程とを含んでいる。 - 特許庁
The method of manufacturing semiconductor device has a step (a step S10) for forming a silicon oxynitride film on a semiconductor substrate, a step (a step S12) for performing treatment to make the surface of the silicon oxynitride film hydrophilic, and a step (a step S14) for performing hydrofluoric acid solution treatment on the surface of the silicon oxynitride film. 本発明は、半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する工程(ステップS10)と、酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程(ステップS12)と、酸化窒化シリコン膜の表面にフッ酸水溶液処理を行う工程(ステップS14)と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
The method of manufacturing the semiconductor device includes a step (oxide film formation step) of forming a silicon oxide film on a silicon substrate surface, a step (etching step) of etching the silicon oxide film to a desired film thickness, and a step (high-k film formation step) of forming the high-k film on the silicon oxide film having been etched. 本発明の半導体デバイスの製造方法は、シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程(酸化膜形成ステップ)と、シリコン酸化膜を所望膜厚だけ残してエッチングする工程(エッチングステップ)と、エッチング後のシリコン酸化膜上に高誘電体膜を形成する工程(高誘電体膜形成ステップ)とを有する。 - 特許庁
An inputted number of points are arranged on coordinates on a spherical surface which are determined based on uniform random numbers (Step S202). 入力された数の点を一様乱数に基づいて決定した球面の座標に配置する(ステップS202)。 - 特許庁
A step part 2 on which a user sat on a chair C places the feet F is movably installed on a base 1. 椅子Cに着座した使用者が足Fを載せるステップ部2を基台1に対して移動可能に取り付ける。 - 特許庁
When the feeding is restarted (Step S16), the main relay is turned on to restart the feeding (Step S17), the information on the outdoor operation stored in the RAM is transmitted to the outdoor unit side (Step S18), and a normal operation is restarted (Step S19). 給電復帰する場合(ステップS16)には、メインリレーをオンして給電を再開し(ステップS17)、RAM内に格納している室外運転情報を室外機側に送信し(ステップS18)、通常動作を再開する(ステップS19)。 - 特許庁
An insulating film and a photoresist are formed sequentially on the surface of a GaAs substrate (step 10, step 12), a conductor film is formed on the backside of the GaAs substrate (step 14), and then the photoresist and the insulating film are dry etched (step S16). GaAs基板の表面に絶縁膜とフォトレジストとを順に形成し(工程S10,工程S12)、GaAs基板の裏面に導電体膜を形成した(工程S14)後、フォトレジストと絶縁膜をドライエッチングする(工程S16)。 - 特許庁
Prealignment is performed, based on the alignment position O1, O2 in step S33. ステップS33では、アライメント位置O1、O2に基づきプリアライメントを行う。 - 特許庁
The method of processing an electronic service guide (ESG) includes a step of storing data on the ESG. この方法は、ESGのESGデータを記憶するステップを含む。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING STEPON TRANSPARENT FILM AND METHOD FOR FORMING PHASE SHIFT MASK 透明膜の段差の測定方法及び位相シフトマスクの作成方法 - 特許庁
In a final step of revetment construction work, the cover soil 15 is laid on the cover net 6. 工事の最終段階で、蓋網6の上に覆土15をかける。 - 特許庁
The image display in provided with a step for displaying a character from the memory on the display device, a step for generating an arbitrary pattern at coordinates on the display device, and a step for superposing the arbitrary pattern on the character from the memory. 表示装置上にメモリからの文字を表示するステップと、前記表示装置上の座標に任意のパターンを作り出すステップと、前記メモリからの文字へ任意のパターンを重ね合わせるステップとを備えるようにする。 - 特許庁
A method for forming the semiconductor storage device comprises a step of forming an insulating film 352 on a semiconductor substrate 351. 半導体基板351上に絶縁膜352を形成する。 - 特許庁
In the wiring unit forming step, a wiring unit is formed on a vehicle body. 配線部形成工程では、車両のボディに配線部を形成する。 - 特許庁
The karaoke body device 1 displays the step instruction image on a monitor 6. カラオケ本体装置1はこのステップ指示映像をモニタ6に表示する。 - 特許庁
When an ignition switch of a vehicle is turned on (IG-ON, step 101), an IFSECU detects steering angle θs first (step 102), and computes pinion angle θp based on the detected steering angle θs (step 103). IFSECUは、車両のイグニッションスイッチがオンになると(IGオン、ステップ101)、先ず操舵角θsを検出し(ステップ102)、続いてその検出された操舵角θsに基づいてピニオン角θpを演算する(ステップ103)。 - 特許庁
A lower-step bump 3 is formed on an electrode pad 2 on a semiconductor element 1, an upper-step bump 4 smaller than the bump 3 is formed on this bump 3 and the overall form of an electrode bump 1 3 is formed into a two-step form. 半導体素子1上の電極パッド2の上に、下段バンプ3を形成し、この上に、下段バンプ3より小さい上段バンプ4を形成し、電極バンプ13の全体形状を2段形状にする。 - 特許庁
Thereafter, whether a password image function is ON is determined (step S20). そして、次に、パスワード画像機能がオンかどうかを判断する(ステップS20)。 - 特許庁
In a step 210, determination whether or not an operation continuation flag is ON is performed. ステップ210では、運転継続フラグがONか否かを判定する。 - 特許庁
In step S102, a germanium layer is grown (formed) on the substrate. 次に、ステップS102で、基板の上にゲルマニウム層を成長(形成)する。 - 特許庁
Then, the cutting ratio C is calculated based on the voltage correction factor Q (step 124). 次に、電圧補正率Qからカット比Cを演算する(ステップ124)。 - 特許庁
A wafer 4 is held in a wafer holding step 5 on an XY table 3. XYテーブル3上のウェーハ保持手段5にウェーハ4を保持する。 - 特許庁
Compression processing is then performed on each of the differential images (step S8). そして、各差分画像に対して圧縮処理が行われる(ステップS8)。 - 特許庁
An electrode material is printed on the green sheet in the printing step. 印刷工程においてはグリーンシート上に電極材料を印刷する。 - 特許庁
In a step 6, the upper limit compression ratio is set based on the actual load. ステップ6では、実負荷に基づいて上限圧縮比を設定する。 - 特許庁
In step S2, a database is referenced based on the acquired input condition. S2では、取得した入力条件に基づいてdatabaseを参照しに行く。 - 特許庁
The cleaning step is carried out after the glass rod is mounted on the machining apparatus. ガラスロッドを加工装置に装着した後、洗浄工程を行う。 - 特許庁
CDs are housed on multi-step shelf boards in a horizontally arranged state. 多段状の棚板2上にCDを横並び状態で収納する。 - 特許庁
Furthermore, compression processing is also performed on the basic image (step S9). また、基本画像に対しても圧縮処理が行われる(ステップS9)。 - 特許庁
Etching stopper film 6es is formed on the interconnect 5w ((B)step). 配線5w上にエッチングストッパ膜6esが形成される((B)工程)。 - 特許庁
A second bit part is formed on the connecting part in a following step (d). 続くステップdでは、連結部において第2ビット部を形成する。 - 特許庁
Whether or not a vehicle is traveling on an expressway is decided in a step S3. ステップS3では、高速道路を走行中か否かを判定する。 - 特許庁
An insulating layer 6 is formed on the etching stopper film 6es ((C)step). エッチングストッパ膜6es上に絶縁層6が形成される((C)工程)。 - 特許庁
The CPU enlarges thereafter the images displayed on the LCD (step S9). その後、CPUは、LCDに表示した画像を拡大する(ステップS9)。 - 特許庁
Take the first step, as soon as life appeared on this earth. 地球上に生命体が生まれたてすぐ 第一歩を踏み出しました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
And on april 14th, there will be step up day, where there will be a thousand そして4月14日にはステップ・アップ・デーが あります その日は千人もが― - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Your success depends on whether you pass the STEP examination or not.
君の成功は英検の試験に合格するかどうかにかかっている。 - Tanaka Corpus
a kind of dance step in which the dancer seems to be sliding on the spot
ダンサーが一箇所で滑っているように見えるダンスのステップの一種 - 日本語WordNet
Your success depends on whether you pass the STEP examination or not. 君の成功は英検の試験に合格するかどうかにかかっている。 - Tatoeba例文
In step S21, logarithmic transformation is performed on luminance of a wide DR image L. ステップS21で、広DR画像Lの輝度が対数変換される。 - 特許庁
A lower step storage area S1 at one step lower height is equipped on the center part of the bottom part 20 and, on the other hand, an upper step storage areas S2 are equipped on both sides putting the storage area S1 in between. 底部20の中央部には、段高さが一段低い下段収納領域S1が設けられている一方、この収納領域S1を中間にして両側に上段収納領域S2が設けられている。 - 特許庁
I've got to be there in ten minutes, so stepon it, will you? 10分以内に着かなければならないんだ.だから飛ばしてくれないか - Eゲイト英和辞典
A stacked length is estimated based on a previous (preceding) job (step S30). 前回(先行)ジョブに基づいて集積長を推定する(ステップS30)。 - 特許庁