This memorystructure comprises (a) a substrate 12, (b) lower electrodes 14 provided on the substrate, (c) upper electrodes 18 provided on the lower electrodes so as to cross the lower electrodes and form cross points at positions where they cross one another, and (d) active layers of perovskite material arranged between the upper electrodes and the lower electrodes at the cross points. 本発明によるメモリ構造は、a)基板と、b)上記基板上に設けられた複数の下部電極と、c)上記下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、上記上部電極は、上記下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、d)各クロスポイントにおける上記複数の上部電極と上記複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む。 - 特許庁
This memorystructure comprises (a) a board, (b) lower electrodes provided on the board, (c) upper electrodes provided on the lower electrodes so as to cross the lower electrodes and form cross points at positions where they cross one another, and (d) active layers of perovskite material arranged between the upper electrodes and the lower electrodes at the cross points. 本発明によるメモリ構造は、a)基板と、b)上記基板上に設けられた複数の下部電極と、c)上記下部電極上に設けられた複数の上部電極であって、上記上部電極は、上記下部電極と交差し、交差するそれぞれの位置にクロスポイントを形成する、上部電極と、d)各クロスポイントにおける上記複数の上部電極と上記複数の下部電極との間に配置されたアクティブ層であるペロブスカイト材料と、を含む。 - 特許庁