「surface element」を含む例文一覧(18429)
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課題を解決するために本発明は、振動素板の主面に励振電極を形成した圧電振動子を基板上に接着部材を用いて保持する圧電振動子の電極形状において、該振動素板の電極引出し部に電極処理を施していない隙間箇所を設けたことを特徴とする圧電振動子の電極形状とすることにより課題を解決する。 - 特許庁 - The fixing device includes a heating roller 2 of a cylindrical member having a center axis, a pressure roller 3 providing the heating roller 2 with pressure, and a temperature detecting element 6 for detecting the temperature of the heating roller 2, and uses induction heating performing induction heating of the outer peripheral surface of the heating roller 2 based on the temperature information detected from the temperature detecting element 6.
本発明の定着装置は、中心軸を有する円筒形部材の加熱ローラ２と、この加熱ローラ２に圧力を提供する加圧ローラ３と、加熱ローラ２の温度を検出する温度検出素子６とを含み、温度検出素子６から検出された温度情報に基づき加熱ローラ２の外周面を誘導加熱する誘導加熱を利用した定着装置である。 - 特許庁 - Electrical characteristics, such as the voltage value, current value and electric resistance value, of the thin film temperature measurement element 34 are measured based on a signal from the external substrate and the temperature on the upper surface of a present ceramic substrate 31 in the drawing can be measured based on the electrical characteristics of the thin film temperature measurement element 34 obtained based on a signal from the external substrate.
電気接続部３６は、例えば、フレキシブルケーブルで外部基板に接続され、外部基板からの信号に基づいて薄膜測温素子３４の電圧値、電流値、電気抵抗値などの電気特性が測定され、外部基板の信号に基づいて得られた薄膜測温素子３４の電気特性に基づいて、現在のセラミック基板３１の図中上側の面の温度が計測可能となる。 - 特許庁 - This method of manufacturing a positive electrode active material for a nonaqueous secondary battery by baking a mixture of a metal compound containing a lithium compound is characterized in that a contact surface to the mixture of the metal compound during baking is formed with a member made of a Ni-based alloy containing 10-35 wt.% of Cr element and 0.1-15 wt.% of Al element.
本発明は、リチウム化合物を含有する金属化合物の混合物を焼成して非水二次電池用正極活物質を製造する方法において、焼成中に該金属化合物の混合物との接触面を、Ｃｒ元素が１０〜３５重量％、およびＡｌ元素が０．１〜１５重量％を含有するＮｉ基合金製の部材で構成することを特徴とする。 - 特許庁 - The acoustoelectric conversion system 100 comprises a diffraction grating 7; a diaphragm 2 vibrated by sound pressure; a light source 1 for irradiating the diffraction grating with light; and a semiconductor position detection element 3 that converts light diffracted by the diffraction grating to an electric signal, and detects the position of light irradiated on the light reception surface of the semiconductor position detection element.
音響電気変換システム１００は、回折格子７を備え、音圧により振動する振動板２と、回折格子に光を照射する光源１と、回折格子で回折した光を電気信号に変換する半導体位置検出素子３であって、この半導体位置検出素子の受光面に照射される光の位置を検出する半導体位置検出素子とを備えている。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor stacked structure which can improve the performance and reliability of a light emitting element or electron traveling element having n-type gallium nitride compound semiconductor layers without degrading the surface flatness and crystallinity of the compound semiconductor layers even when the concentrations of an n-type impurity in the semiconductor layers are increased, a semiconductor device provided with the structure, and a method for growing crystal.
ｎ型不純物濃度を増加させた場合においてもｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面平坦性や結晶性を損なうことが無く、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を有する発光素子や電子走行素子を高性能化、高信頼化することができる半導体積層構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first insulating film 19 formed on the main surface of a semiconductor element 10 where a plurality of element electrodes 11 are arranged, a first conductor layer 28 formed on the film 19, a second insulating film 22 formed on the film 19 so as to cover the layer 28, and a second conductor layer 33 formed on the film 22.
複数の素子電極１１が配列された半導体素子１０の主面上に形成された第１絶縁膜１９と、第１絶縁膜１９上に形成された第１配線層２８と、第１配線層２８を覆うように第１絶縁膜１９上に形成された第２絶縁膜２２と、第２絶縁膜２２上に形成された第２配線層３３を備える半導体装置である。 - 特許庁 - The solid-state image pickup element 1 comprises a semiconductor substrate which demarcates a two-dimensional surface, a plurality of photoelectric transfer elements formed in a plurality of rows and columns on the semiconductor substrate, a flattening insulating film formed above the semiconductor substrate, and a plurality of gapless microlenses having spectral characteristics formed in correspondence with each photoelectric transfer element via the flattening insulating film.
固体撮像素子は、２次元表面を画定する半導体基板と、前記半導体基板に複数列、複数行に形成された多数個の光電変換素子と、前記半導体基板上方に形成された平坦化絶縁膜と、前記各光電変換素子に対応して、前記平坦化絶縁膜を挟んで形成される分光特性を有する複数個のギャップレス・マイクロレンズとを有する。 - 特許庁 - In this laminated composite device, an earth electrode 40 is formed on the surface of one dielectric sheet 10 at an intermediate position excluding two dielectric sheets 10 and 10 on both ends, and all inductor patterns 29 are formed in circuit element substrates 1 above the earth electrode 40, and then all capacitor patterns 26 are formed in the circuit element substrates 1 under the earth electrode 40.
本発明に係る積層型複合デバイスにおいて、アース電極40は、両端の２枚の誘電体シート10、10を除く中間の１枚の誘電体シート10の表面に形成されており、該アース電極40よりも上層の回路素子基板１には、全てのインダクタパターン29が形成され、該アース電極40よりも下層の回路素子基板１には、全てのコンデンサパターン26が形成されている。 - 特許庁 - This nonaqueous secondary battery contains a battery element constituted by winding or stacking a rechargeable positive electrode, a rechargeable negative electrode, and a separator; an adhesive tape for fixing a part or the whole of the outermost peripheral surface of the battery element; and an electrolyte, and the adhesive tape swells the nonaqueous electrolyte at the degree of swelling of 1 or more.
充放電可能な正極と負極、およびセパレータを、捲回或いは積層して構成する電池素子と、該電池素子の最外周面の一部または全域を固定する粘着テープと、非水電解液とを含んでなる非水系二次電池であって、該粘着テープが非水系電解液を１以上の膨潤度で膨潤できることを特徴とする非水系二次電池。 - 特許庁 - The impurity diffusion method comprises an oxidation step of forming an oxide film on a surface of a semiconductor of a substrate; a diffusion step of setting a gas partial pressure of a compound gas containing an impurity element to 0.1 torr to 800 torr, setting a temperature of the substrate to 750°C to 950°C, and diffusing the impurity element to the semiconductor through the oxide film.
基板の半導体の表面に酸化膜を形成する酸化工程と、不純物元素を含む化合物ガスのガス分圧を０．１トール以上８００トール以下とし、前記基板の温度を７５０℃以上９５０℃以下として、前記酸化膜を介して前記半導体に前記不純物元素を拡散させる拡散工程と、を備えたことを特徴とする不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁 - In this biosensor for detecting the interaction between substances based on surface plasmon resonance, the substrate has a metal thin film including ≥90 mol% and less than 99.95 mol% of Ag as a first metal element, and ≥0.05 mol% and less than 10 mol% of at least one of Au, Pt, Cu, Bi, Nd, Ti or Sb as a second metal element.
表面プラズモン共鳴に基づいて物質間の相互作用を検出するバイオセンサーにおいて、前記基板が、第一の金属元素としてのＡｇを９０モル％以上９９．９５モル％未満と、第二の金属元素としてのＡｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｓｂから選ばれる少なくとも１種を０．０５モル％以上１０モル％未満と、を含む金属薄膜を備えたバイオセンサー。 - 特許庁 - In the sound wave generator 10 having a thermally-conductive substrate 12, a thermal insulation layer 14 with prescribed thickness formed on one surface of the substrate and a heating element thin film 16 comprised of a resistor formed on the thermal insulation layer and electrically driven by AC signal current, a Helmholtz resonator 18 is provided on the heating element thin film.
熱伝導性の基板１２と、該基板上の一方の面に形成された所定の厚さの熱絶縁層１４と、該熱絶縁層上に形成されて交流の信号電流により電気的に駆動される抵抗体よりなる発熱体薄膜１６と、を有する熱励起型の音波発生装置１０であって、前記発熱体薄膜上にヘルムホルツ共鳴器１８を備える。 - 特許庁 - In the photodetection apparatus, having a photoelectric conversion element for converting incident light into electrical signal, and a TFT for reading the electrical signal converted by the photoelectric conversion element on an insulation board, the insulating layer for preventing leak among wires should be formed over the entire surface on lower wiring for driving the TFT formed on the insulating board.
絶縁基板に、入射光を電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換素子で変換された電気信号を読み出すためのＴＦＴとを有する光検出装置において、配線間リークを防止するための絶縁層が、絶縁基板上に形成されたＴＦＴを駆動するための下配線上に全面に渡って形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can minimize cross talk noise caused by a high speed switching semiconductor element in the semiconductor device in which a portion of an external connection terminal arranged in a standing state on a rewiring part electrically connected to an electrode terminal which is formed in the electrode terminal forming surface of the semiconductor element is extended along the rewiring part.
半導体素子の電極端子形成面に形成された電極端子と電気的に接続されている再配線部に立設された外部接続端子の一部が、再配線部に沿って延在されている半導体装置において、スイッチング速度が高速の半導体層を搭載した場合に発生するクロストークノイズを可及的に減少し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The headlight (a light-emitting device) 2 includes a semiconductor laser element 11 emitting excitation light, a fluorescent member 13 where excitation light emitted from the semiconductor laser element 11 is irradiated and emitting fluorescence, a reflecting film 30 having a reflecting surface 30a for reflecting fluorescence emitted from the fluorescent member 13, and a filter member 40 made in contact with the fluorescent member 13.
この前照灯（発光装置）２は、励起光を出射する半導体レーザ素子１１と、半導体レーザ素子１１から出射された励起光が照射され、蛍光を出射する蛍光部材１３と、蛍光部材１３から出射した蛍光を反射する反射面３０ａを有する反射膜３０と、蛍光部材１３に接触されたフィルタ部材４０とを備える。 - 特許庁 - To provide a filter element which can adjust the overlapping state of pattern layers freely as required when the pattern layer in which a whole winding part surface has a uniform stitch shape by repeating winding to make strands cross each other is formed, and the pattern layers are laminated to form a cylinder having stitches and a method for producing the filter element.
素線同士が交差するように巻き付けることを繰り返し行うことで巻付部全面が一様な編目形状を有するパターン層を形成し、そのパターン層が複数積層されて編目を有する筒状体が形成される場合において、各パターン層間の重なり具合を自在に所望どおりに調整できる濾過部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of machining the optical element 42, a machining tool 42 having a machining area smaller than a machining area of a surface to be machined of the optical element is used, and the working fluid 48 supplied to the machining area provided by the machining tool has a function different from that of the working fluid 50 supplied to a region excluding the machining area.
光学素子４２の加工方法において、前記光学素子の被加工面の加工面積に対して加工面積の小さい加工工具４２を用い、前記加工工具による加工領域に供給する加工液４８と前記加工領域以外の区域に供給する加工液５０の機能を異なるようにしたことを特徴とした光学素子の加工方法を提供する。 - 特許庁 - The laminated chip varistor 11 comprises a varistor element 21 composed of a varistor layer, and of a plurality of internal electrodes disposed to sandwich the varistor layer; and first external electrodes 22, 23 and second external electrodes 25 to 28 formed on the outer surface of the varistor element 21, and respectively connected with the corresponding internal electrodes among the plurality of the internal electrodes.
積層型チップバリスタ１１は、バリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有するバリスタ素体２１と、バリスタ素体２１の外表面に形成されると共に、複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される第１の外部電極２２，２３及び第２の外部電極２５〜２８と、を有している。 - 特許庁 - In a piezoelectric element 130, equipped with: a piezoelectric layer 70 formed on a base; and a primary electrode 60 and a secondary electrode 80 which are formed on the piezoelectric layer 70, the piezoelectric element 130 is made to be characterized in that at least one of the primary electrode 60 and the secondary electrode 80 is formed in a side end surface of the piezoelectric layer 70.
基体上に形成された圧電体層７０と、圧電体層７０上に形成された第１の電極６０及び第２の電極８０を備えた圧電体素子１３０において、第１の電極６０及び第２の電極８０の少なくとも一方が、圧電体層７０の側端面に形成されていることを特徴とする圧電体素子１３０とした。 - 特許庁 - The solid state laser comprises a semiconductor laser, a condenser having a diffuse reflection inner surface and an opening for introducing light from the semiconductor laser and is provided with a cooling medium passage, a solid state element disposed in the condenser and containing an active medium pumped by the light from the semiconductor laser, and a laser optical system for extracting laser light from the pumped solid state element.
半導体レーザと、内面が拡散反射状に形成され、上記半導体レーザからの光を内部に導入する開口部を有し、かつ冷却媒体通路を設けた集光器と、上記集光器内に配置され、上記半導体レーザの光により励起された活性媒質を含む固体素子と、この励起された固体素子からレーザ光を取り出すレーザ光学系とを備えた。 - 特許庁 - In the photoelectric conversion device having the charge retention portion, of an element isolation region in contact with a semiconductor region is disposed in the semiconductor substrate from a reference level including a light reception surface of the photoelectric conversion element up to the depth equal to the semiconductor region or the depth deeper than the semiconductor region when compared with the semiconductor region comprised of the charge retention portion.
電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部を構成する半導体領域に比べて、その半導体領域と接する一部の素子分離領域が、光電変換素子の受光面を含む基準面から半導体基板に、その半導体領域と等しい深さまで、もしくはその半導体領域より深くまで設けられている。 - 特許庁 - The power module is provided with a substrate 120, including a conductive pattern 124 provided on the insulating surface, a semiconductor element 110 arranged on the substrate 120, a plate conductor 130 provided on the conductive pattern 124 via an insulating layer 131, and a wire 140a for electrically connecting the plate conductor 130 and the semiconductor element 110.
本発明のパワーモジュールは、絶縁性表面上に設けられた導電性パターン１２４を含む基板１２０と、基板１２０上に配置された半導体素子１１０と、導電性パターン１２４上に絶縁層１３１を介して設けられた板状導電体１３０と、板状導電体１３０と半導体素子１１０とを電気的に接続するワイヤ１４０ａとを備えている。 - 特許庁 - In the optical isolator which consists of at least one polarizer and at least one Faraday rotor and where a rectangular parallelepiped optical element in which respective polarizer and rotor are laminated on the light transmission surface is joined and fixed to a substrate by a bonding agent, a joining avoidance means is provided so that the Faraday rotor in the optical element may not be joined to the substrate.
少なくとも１つの偏光子および少なくとも１つのファラデー回転子から成り、それぞれを光透過面で貼り合わせた直方体の光学素子を基板に接合剤で接合・固定した光アイソレータにおいて、前記光学素子中のファラデー回転子が基板に接合されないよう接合回避手段を設けて成ることを特徴とする光アイソレータ。 - 特許庁 - The mutiplexed signal light λ_1 to λ_3 included in the first light and second light made incident on the element 150 relating to the respective light are diffracted at the diffraction angles meeting the wavelengths and are spatially wavelength-divided by the element 150, are condensed by a lens 160 and are condensed onto a beam-condensing point on any reflection surface of mirrors 171 to 173.
回折格子素子１５０へ入射した第１の光および第２の光それぞれについて、その光に含まれる多重化された信号光λ_１〜λ_３は、回折格子素子１５０により、波長に応じた回折角で回折されて空間的に波長分岐され、レンズ１６０により集光されて、ミラー１７１〜１７３の何れかの反射面上の集光点に集光される。 - 特許庁 - This photoelectric conversion element is provided at least with an element, in which a semiconductor layer is adhered to is one surface, a pair of electrodes which face the semiconductor layer of the electrode, and an electrolyte layer which is arranged between the semiconductor layer of the electrode and the paired electrodes, and conductive particles having a thin and long shape are mixed in semiconductor particles constituting the semiconductor layer.
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を構成する半導体粒子間に細長い形状の導電性粒子を混在させる。 - 特許庁 - In the magnetoresistance effect element through which sense current flows in a direction perpendicular to film surface, if pin or free layer is laminated by two or more kinds of ferromagnetic layers, the practical magnetoresistance effect element having the suitable resistance value is capable of obtaining the high sensitivity, and having few the magnetic layers to be controlled can be provided while it effectively utilizes spin parasitic scattering effect.
センス電流を膜面に対して垂直方向に流す磁気抵抗効果素子において、ピン層やフリー層を２種類以上の強磁性層を積層した積層構成とすれば、スピン依存散乱効果を有効的に利用しながら、適当な抵抗値を有し、高感度化が可能で、かつ制御すべき磁性体層の数の少ない、実用的な磁気抵抗効果素子を提供することができる。 - 特許庁 - A magnetic detection sensor 1 having a magnetic sensitive element 11 formed on a substrate 10 includes a hard film 14 formed on the outermost surface, an organic film 13 formed on the lower part of the hard film 14 for relaxing the stress by the hard film 14, and an inorganic film 12 formed between the organic film 13 and the magnetic sensitive element 11 for relaxing the stress by the organic film 13.
基板１０上に感磁素子１１が形成されてなる磁気検出センサ１において、最外表面に硬質皮膜１４が形成され、硬質皮膜１４の下部に、硬質皮膜１４による応力を緩和する有機膜１３が形成され、有機膜１３と感磁素子１１の間に、有機膜１３による応力を緩和する無機膜１２が形成されてなる。 - 特許庁 - With the heater of ceramic plate provided with a heating element on the surface or inside of either substrate, the substrate is structured with a plurality of plate-shaped segments, for each of which, either an independent heating element pattern is formed, or the segments are bar-shaped which are arrayed in one lump so that their heating face makes on a flat plane.
基板いずれか一方の表面もしくはその内部に発熱体を設けてなるセラミック製板状のヒータであって、前記基板が複数の板状セグメントで構成されていると共に、各セグメント毎に独立した発熱体パターンが形成されているか、またはそのセグメントが棒状であって、その棒状セグメントを加熱面か平面を呈するように列設して、１塊まりとなった。 - 特許庁 - The substrate 2 with built-in component comprises: a substrate 5 having a cavity C formed in which a plurality of protrusions 11 protruding from the inner wall surface 5a of the cavity C are arranged in the thickness direction; and a semiconductor element 6 which abuts on at least two of the plurality of protrusions 11, wherein displacement of the semiconductor element is minimized in the cavity C.
部品内蔵基板２は、キャビティＣが形成され、キャビティＣの内壁面５ａから突出する複数の凸部１１を厚み方向に配列してなる基体５と、キャビティＣに設けられ、且つ複数の凸部１１の少なくとも２つ以上と当接する半導体素子６を備え、キャビティ内にて半導体素子の位置ずれが抑制されたことを特徴としている。 - 特許庁 - After applying a liquid component onto the surface of an element substrate 19, a rectifier board 30 provided with a first member 31 arranged so as to surround pixel electrodes 13 formed on the outer periphery of a display area 5 and a second member 32 arranged like squares in the surrounded inside of the first member 31 so as to partition respective pixel electrodes 13 is mounted on the element substrate 19.
素子基板１９上に液状組成物を塗布した後に、表示領域５上の外周に形成された画素電極１３を囲むようにして配置された第１の部材３１と該第１の部材３１で囲まれた内部に、各画素電極１３の間を仕切るようにして升の目状に配置された第２の部材３２を備えた整流板３０を載置した。 - 特許庁 - Heating source devices 22A and 22B for heating a workpiece W includes element substrates 52 and 58 having multiple semiconductor elements emitting heating light mounted on one of its surfaces; decompression cooling chambers 54 and 60 which are provided on the other surface of the element substrates and decompressed; and refrigerant supply mechanisms 56 and 62 for supplying the refrigerant to the interior of the decompression cooling chambers.
被処理体Ｗを加熱するための加熱源装置２２Ａ，２２Ｂにおいて、加熱光を発する複数の半導体素子が一方の面に取り付けられた素子基板５２，５８と、素子基板の他方の面側に設けられて減圧状態になされた減圧冷却室５４、６０と、減圧冷却室内に冷媒を供給するための冷媒供給機構５６，６２とを備える。 - 特許庁 - In the liquid crystal display element comprising a polymer dispersed liquid crystal filled between two transparent substrates respectively having transparent electrode films with desired electrode shapes formed on respective inside surfaces, the polymer dispersed liquid crystal display element is characterized by applying an opaque coating material containing a white pigment to the part other than the part to become liquid crystal display electrodes on the surface side transparent substrate.
内側表面にそれぞれ所望の電極形状で透明電極膜を形成した２枚の透明基板の間に高分子分散液晶を充填してなる液晶表示素子において、表面側透明基板の液晶表示電極となる部分以外の部分に白色顔料を含有する不透明塗料を塗布したことを特徴とする高分子分散液晶表示素子。 - 特許庁 - The exhaust gas purifying catalyst includes: a carrier obtained by firing a composite oxide precursor containing, in ammonium dawsonite, Al as a first metal element, and a second metal element selected from Zr, Mg, Zn abd Ca; and substance having a catalytic activity dispersed on the surface of the carrier.
上記課題は、アンモニウムドーソナイト中に、第１の金属元素であるＡｌの他に、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、及びＣａから選ばれる第２の金属元素を含有することを特徴とする複合酸化物前駆体を焼成して得られるを担体として含んでなり、且つ、当該担体の表面上に分散された、触媒活性を有する物質を含んでなる排ガス浄化触媒によって達成される。 - 特許庁 - In an ink jet drive part wherein a unimorph type piezoelectric/ electrostriction member comprising a combination of an upper electrode plate, a piezoelectric/electrostriction element and a lower electrode plate all of which are successively superposed one upon another is provided on at least one surface of a metal or ceramic vibration plate, the orientation of the piezoelectric/ electrostriction element is oblique with respect to the surfaces of electrodes.
金属またはセラミックの振動板の少なくとも一方の面上に、上部の電極プレートと圧電／電歪素子と下部の電極プレートとの組み合わせからなり、それらが順次重ね合わされた構造のユニモルフ型圧電／電歪部材を有するインクジェット駆動部において、圧電／電歪素子の配向が電極の面に対し、斜めになっていることを特徴とするインクジェット駆動部。 - 特許庁 - Each LED element 3 for composing an LED array panel 1 is arranged around an optical axis 72 at angles having a difference of 90 degrees, a light having an intensity distribution with a fixed pattern being outputted from each LED element 3 is overlapped for averaging, and the intensity distribution of illumination light outputted from the LED array panel 1 becomes nearly uniform over the irradiation surface.
ＬＥＤアレイパネル１を構成する各々のＬＥＤ素子３を、その光軸７２の回りに９０度異なる角度で配置し、個々のＬＥＤ素子３から出力される一定のパターンの強度分布を持つ光を重ね合わせて平均化し、ＬＥＤアレイパネル１から出力される照明光としては照射面で強度分布がほぼ一様となるようにする。 - 特許庁 - The ceramic base board of this hot plate is structured, so that a resistance type heating element is provided at the surface or inside and is installed in the supporting vessel, where the base board is supported by a supporting member provided inside the vessel, and the contacting part of the supporting member with the base board is positioned inside the region, where the heating element is formed.
その表面または内部に抵抗発熱体が形成されたセラミック基板が、支持容器に配設されてなるホットプレートであって、前記セラミック基板は、前記支持容器の内部に設置された支持部材により支持されており、かつ、前記支持部材と前記セラミック基板との接触部は、前記抵抗発熱体が形成された領域の内部に存在することを特徴とするホットプレート。 - 特許庁 - In this invention, beams entering a beam splitting element 4, 13 is separated into a synchronization detecting beam and an image forming beam by the beam splitting element disposed in an incident optical system so that the main rays of the synchronization detecting beam B and the main rays of the image forming beam A enter separate positions on the deflecting surface of the deflecting means 6.
そこで、本発明では、入射光学系内に配置された光束分離素子によって、同期検出用光束Ｂの主光線と画像形成用光束Ａの主光線とが偏向手段６の偏向面で離間した位置に入射するように、光束分離素子４、１３に入射した光束を同期検出用光束と画像形成用光束に分離する構成をとった。 - 特許庁 - The glass antenna device comprises: a glass base; an antenna element placed on the main surface of the base for providing a fluctuating impedance over a fixed frequency band; an impedance matching network fixed to the glass base at a position to be electrically connected to part of the antenna element; and a means for electrically interconnecting the network to a feed line of an electromagnetic energy transmission/reception part.
ガラスアンテナ装置は、ガラス基板と、この基板の主面に沿って配置され、所与の周波数帯域にわたって変動するインピーダンスを与えるアンテナ素子と、ガラス基板に固着され、アンテナ素子の一部に電気的に結合されるような位置で固着されたインピーダンス整合ネットワークと、ネットワークを電磁エネルギ送信／受信部のフィードラインに電気的に相互接続する手段とを含む。 - 特許庁 - The optical path conversion member 4 is formed of photonic crystal having a cyclic structure composed of a combination of a semiconductor material and a material differing in refractive index from the semiconductor material and spatially converts the optical path in the direction of the light reception surface 21 of the light receiving element 2 for the reception wavelength of the light receiving element 2 by the diffraction-grating-like function of the photonic crystal.
光路変換部材４は、半導体材料及びこの半導体材料とは屈折率の異なる材料の組み合わせからなる周期構造を有するフォトニック結晶からなり、このフォトニック結晶の回折格子的機能によって、受光素子２の受光波長に対して受光素子２の受光面２１の方向に空間的に光路を変換するようになっている。 - 特許庁 - In a printed circuit board 1 wherein the nearly rectangular semiconductor element 2 is surface-mounted on the printed wiring board 3 on which wiring patterns are formed, connection pads 5 to be soldered to pads 7 formed on the printed wiring board 3 are arranged on a connection face 2a of the semiconductor element 2 to the printed wiring board 3 except each corner 6 of the connection face 2a.
配線パターンが形成されたプリント配線基板３上に略矩形状の半導体素子２が表面実装されたプリント回路板１において、半導体素子２は、プリント配線基板３との接続面２ａに、接続面２ａの各コーナ部６を除いてプリント配線基板３上に形成されたパッド７にはんだ付けされる接続パッド５が配列されている。 - 特許庁 - The nonvolatile semiconductor storage has: a control gate and a floating gate 3; an erasure gate 10 that opposes an upper surface FUS of the floating gate 3; a first element separation structure 6-1, having a first projecting section PR1 projecting from a semiconductor substrate 1; and a second element separation structure 6-2 having a second projecting section PR2 projecting from the semiconductor substrate 1.
不揮発性半導体記憶装置は、コントロールゲート及びフローティングゲート３と、フローティングゲート３の上面ＦＵＳと対向する消去ゲート１０と、半導体基板１から突出する第１突出部ＰＲ１を有する第１素子分離構造６−１と、半導体基板１から突出する第２突出部ＰＲ２を有する第２素子分離構造６−２と、を備える。 - 特許庁 - Filling of an integrator incident surface is improved and ellipticity of the projection beam, which is taken in by the diffraction element 14, is offset by rotating the element 18 optical axis- wise.
放射線源ＬＡから積分器１７を通ってマスクＭＡに至る投影ビームＰＢを成形するズーム・アキシコン１５、１６の前に一つ１４および後に一つ１８の六角形マイクロレンズ１４ｂのアレイから成る回折光学素子を配置し、積分器入射面のフィリングを向上すると共に、回折素子１４が持込んだ投影ビームの楕円性を、回折素子１８を光軸周りに回転することによって相殺する。 - 特許庁 - The scattered laser beams 9 are reflected by the inclined reflected surface, and made incident on a condensing optical element 2 and a holder thereof to prevent temperature rise of the optical element.
半導体レーザ装置の筐体６の先端部に光学軸８Ａに対して傾斜した面をもち、被加工物７からの散乱放射光９に対して反射性を持つ材質又は表面処理をした反射先端部５を設ける事により、散乱放射光９が傾斜した反射面で反射し、集光光学素子２やそのホルダ３に当たって、光学素子の温度上昇を起さないようする。 - 特許庁 - The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.
基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁 - In this method, room temperature is controlled by controlling the calorie supplied to the heating element by means of the controller by measuring two values out of the surface temperature of the heating element, the floor face temperature in a room, room temperature and outside temperature, selecting one of them and comparing it with the preset temperature.
発熱体の表面温度、室内の床面温度、室内温度、外気温度のいずれか二以上の値を測定し、前記表面温度、室内の床面温度、室内温度の一つを選択して、その温度を予め設定した温度と比較して、発熱体に供給する熱量をコントローラにより制御することを特徴とする室内温度管理方法およびそのコントローラの構成。 - 特許庁 - The solar-battery module includes a solar-battery element 2 buried in fillers 3a and 3b, a backside stiffener 5 stuck to the solar-battery element 2, and a resin layer 5a coated with polyester resin on the outer surface of the backside stiffener 5, wherein polyethylene glycol or glycerin is employed as a monomer composing the polyester resin.
充填材３ａ，３ｂの中に埋設された太陽電池素子２と、太陽電池素子２に貼り合わせられた裏面補強材５と、裏面補強材５の外表面にポリエステル樹脂により被覆された樹脂層５ａとを備えている太陽電池モジュールにおいて、ポリエステル樹脂の構成モノマーをエチレングリコールまたはグリセリンとしていることを特徴とする太陽電池モジュール。 - 特許庁 - The mobile communication terminal with the camera, which is provided with a lens 171, an imaging element 172 having the optical axis agreeing with that of the lens, and an image processing part 18 for processing imaging information generated by the imaging element 172, further includes a level 19 for detecting that the optical axis of the lens 171 is approximately horizontal with the surface of the ground.
本発明にかかる移動通信端末は、レンズ１７１と、当該レンズと光軸が一致する撮像素子１７２と、撮像素子１７２により生成された撮像情報を処理する画像処理部１８とを備えたカメラ付き移動通信端末であって、さらにレンズ１７１の光軸が地表面と略水平であることを検知する水準器１９を備えたものである。 - 特許庁 - In the pressure sensor device including a semiconductor pressure sensor element 11, an opening 18B of a pressure introduction port 18 for introducing a fluid into the semiconductor pressure sensor element 11, and a mounting substrate 12 having a mounting surface 12B provided with a solderable terminal 19, a step portion 41 is provided between the opening 18B and the terminal 19.
半導体圧力センサ素子１１と、半導体圧力センサ素子１１に流体を導く圧力導入口１８の開口部１８Ｂ及びはんだ付け可能な端子１９が設けられた取り付け面１２Ｂを有する実装基板１２とを備える圧力センサ装置であって、開口部１８Ｂと端子１９との間に段部４１が設けられていることを特徴とする、圧力センサ装置。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device includes a semiconductor light emitting element and a substrate having a wiring pattern, and is characterized in that a surface of the substrate and/or wiring pattern right below the semiconductor light emitting element is covered with a light diffuse reflecting material-containing layer, the light diffuse reflecting material having a concentration of 30 to 70 wt.%.
半導体発光素子と、配線パターンを有する基板とを含む半導体発光装置において、該半導体発光素子直下の該基板及び／または該配線パターンの表面が、光拡散反射材の濃度が３０重量％以上、７０重量％以下である光拡散反射材含有層で被覆されていることを特徴とする、半導体発光装置。 - 特許庁
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