「surface element」を含む例文一覧(18429)
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高温超伝導体により被覆された導体テープ１１により形成されると共に少なくとも１つの取付エレメント１２を有する故障電流限流器であって、上記少なくとも１つの取付エレメント１２が上記導体テープ１１を実質的に１以上の縁領域のみにおいて該テープ１１の主表面が上記取付エレメント１２に接触し得ないように保持する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a liquid crystal display element which improves the quality and reliability by preventing generation of retardation non-uniformity, cracks on a surface hardened layer, and releasing in the liquid crystal display element, saves labor and time in removing chip refuse after cutting, makes dividing operation into the individual liquid crystal display elements efficient and drastically improves productivity.
液晶表示素子にリターデーションむらや表面硬化層のクラック、剥離が生じるのを防止して品質および信頼性を向上し、切断後のチップかすの除去に手間取ることもなく、しかも個々の液晶表示素子への分断作業効率をあげて生産性を著しく向上させることができる液晶表示素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - In a nickel electrode which is formed by filling an active material made mainly of nickel hydroxide in a substrate composed of a conductive porous body, a covering layer which is made of a solid solution of cobalt hydroxide, nickel hydroxide, and a hydroxide of at least one kind of an element selected from among the group of Y, Al, Mn, and lanthanoid element is formed on the surface of the active material made of the nickel hydroxide.
導電性多孔体よりなる基板に水酸化ニッケルを主体とする活物質を充填してなるニッケル極において、前記水酸化ニッケルを主体とする活物質表面に、水酸化コバルト、水酸化ニッケル、ならびに、Ｙ，Ａｌ，Ｍｎおよびランタノイド元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素の水酸化物の固溶体よりなる被覆層が形成されているもの。 - 特許庁 - In the pad-type or heat dissipation-type semiconductor device 10 and a lead frame 18 used for the semiconductor device 10 in which an element mounting portion 12 for mounting a semiconductor chip 11 thereon is exposed from the underside of the sealing resin 13, a projecting wall 14 preventing generation of thin burr during the filling of the sealing resin is provided around the exposed surface of the exposed element mounting portion 12.
半導体チップ１１を載せる素子搭載部１２が封止樹脂１３の裏面から露出しているパッドタイプまたは放熱板タイプの半導体装置１０および半導体装置１０に使用するリードフレーム１８において、露出している素子搭載部１２の露出面周囲に樹脂封止時に薄バリの発生を防止する突出壁１４を設けた。 - 特許庁 - The conductive covering material comprises a lower layer region 2 made of one element selected from the group IV-X elements of the periodic table or an alloy predominantly composed of the element, an intermediate layer region 3 made of a Cu-Sn intermetallic compound, and an upper layer region 4 made of an Sn alloy containing an Ag-Sn intermetallic compound that are formed in this order on the surface of a base 1.
基材１の表面に、周期律表４〜１０族に属する元素のいずれか１種またはその元素を主成分とする合金から成る下層領域２と、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物から成る中間層領域３と、Ａｇ−Ｓｎ金属間化合物を含有するＳｎ合金から成る上層領域４とがこの順序で形成されている導電性被覆材料。 - 特許庁 - Then, the fixing members 30, 31 having the UV adhesive 60 applied thereon are slid on the surface 20b of the fixing plate 20 where the imaging element 1 is not mounted and are allowed to abut on the side surfaces of the prism 40, and finally, an ultraviolet ray is emitted to cure the UV adhesive.
そして、ＵＶ接着剤６０が塗布された固着部材３０及び３１を、固着板２０の撮像素子１非装着面２０ｂ上をすべらせてプリズム４０の側面に当て、最後に紫外線光を照射してＵＶ接着剤を硬化させるようにした。 - 特許庁 - Space 20a formed between the flexible part 22 and the first silicon substrate 10 in a contact state of the closing element 23 to one surface of the first silicon substrate 10, is communicated with the first communication hole 10a provided on the first silicone substrate 10.
また、閉子２３が第１のシリコン基板１０の上記一面に接触した状態で可撓部２２と第１のシリコン基板１０との間に形成される空間２０ａは、第１のシリコン基板１０に設けられた上記第１の流通孔１０ａに連通する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which prevents a hollow of a solder layer caused by a volume contraction in solder solidification from remaining in the outer edge part of a boundary surface between a semiconductor element and the solder layer, and is strong in thermal stress; and its manufacturing method.
はんだ凝固時の体積収縮に起因して発生するはんだ層の凹みが半導体素子とはんだ層との境界面の外縁部に残存することを防止し、熱応力に強い半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする - 特許庁 - A reference responsive film 18 similar to the measuring responsive film 16 in kind is formed to the reference elastic wave element 14 and a lid 32 for covering the reference responsive film 18 to hermetically seal the same is joined to one main surface 10a of the piezoelectric substrate 10.
基準用弾性波素子１４にも測定用感応膜１６と同じ種類である基準用感応膜１８が形成されており、圧電性基板１０の一主面１０ａ上には基準用感応膜１８を覆い密閉する蓋３２が接合されている。 - 特許庁 - The far-infrared imaging system is provided with a plurality of far-infrared imaging apparatuses having imaging elements disposed in a matrix shape to pick up images around a vehicle and an arithmetic unit and corrects the output value in each imaging element on the basis of measured temperature of a road surface and outputs the output value.
マトリックス状に配列された撮像素子を有し、車両の周辺の画像を撮像する複数の遠赤外線撮像装置及び演算装置を備え、計測された路面の温度に基づいて撮像素子ごとに出力値を補正して出力する。 - 特許庁 - A solid-state image sensing element 20 is formed by providing a light receiving sensor 3 which performs photoelectric conversion to a surface layer of a base 2, and providing transfer electrodes 4, 5 for transferring charge formed in a light receiving sensor onto the base 2 and a light screening film 6 covering the same.
基体２の表層部に光電変換をなす受光センサ部３が設けられ、基体２上に受光センサ部で形成された電荷を転送するための転送電極４、５とこれを覆う遮光膜６とが設けられてなる固体撮像素子２０である。 - 特許庁 - To devise the structure of a composite optical function part and a manufacturing method thereof so as to reduce production cost while ensuring high straightness and high surface accuracy by preventing the strain of an optical function element caused by heat strain, the restoration of the elastic deformation of a reinforcing member or the like.
複合光学機能部品について、熱歪み、補強部材の弾性変形の復元等による光学機能素子の歪みを防止して、高真直度及び高面精度を確保しつつ、製造コストを低減できるように、その構造及び製造方法を工夫する。 - 特許庁 - As the sealing portion 18 at the end of the display element 2 is formed almost equal in size to the thickness of the surface protective film 3, the sealing portion 18 is formed smaller in size and the whole device can be miniaturized even when a display region is formed in a given size.
また、表示素子２の端部の封止部分１８を表面保護膜３の厚みとほぼ同じ大きさに形成できるので、封止部分１８を小さく形成でき、これにより表示領域を一定の大きさに形成しても、機器全体の小型化が図れる。 - 特許庁 - To enhance mounting property of an optical device and regulate deviations after mounting, in a holder device for the optical device having molded light emitting or light receiving element and having a condenser lens at the body top end of the optical device, and a flange which projects radially to the lower end peripheral surface.
発光又は受光素子をモールドした光デバイスの胴体先端部に集光レンズ部を設け、後端部外周面に径方向へ突出する鍔を設けた光デバイスのホルダ装置において、光デバイスの装着性を高めると共に、装着後のずれを規制する。 - 特許庁 - To provide a method capable of manufacturing a glass optical element such as a glass lens with high surface accuracy by pressure molding a glass material even in a lens whose one or both surfaces are a concave shape and the ratio (b)/(a) between a central thickness (a) and a peripheral thickness (b) is large.
一方または両方の面が凹形状のレンズであって、中心肉厚ａと周辺肉厚ｂとの比ｂ／ａが大きいレンズであっても、ガラス素材を加圧成形して高い面精度でガラスレンズ等のガラス光学素子を製造できる方法を提供すること。 - 特許庁 - An island-like silicon layer formed in an insulating layer is formed as an element forming region 22, gate electrodes 26 are formed on a front surface of the region 22, a source region 28 is formed on one of the electrode 26, and the other is formed on a drain region 30.
絶縁層中に形成した島状のシリコン層を素子形成領域２２とし、当該素子形成領域２２表面にゲート電極２６を形成し、当該ゲート電極２６の一方にソース領域２８を、他方にドレイン領域３０を形成した。 - 特許庁 - Amount of metallic compound layer formed in at least a part of a surface of the nanostructural body by applying different voltages to the first electrode and the second electrode, containing the metallic element included in the nanostructural body, and having a refractive index being different from that of the ion transmission layer differs.
第１及び第２電極への異なる電圧の印加によって、ナノ構造体の表面の少なくとも一部において形成され、ナノ構造体に含まれる前記金属元素を含み、イオン伝導層とは屈折率が異なる金属化合物層の量が異なる。 - 特許庁 - The light modulation element 30 includes an electrode 32 capable of generating mainly an electric field in a direction parallel to a surface intersecting with a normal line of a transparent substrate 31, and a light modulation layer 34 containing a bulk 34A and a fine particle 34B which have optical anisotropy.
光変調素子３０は、透明基板３１の法線と交差する面と平行な方向に主たる電場を発生させることの可能な電極３２と、光学異方性を有するバルク３４Ａおよび微粒子３４Ｂを含む光変調層３４とを有する。 - 特許庁 - A heating surface 38b of a Peltier element 38 can insulate an insulating room 35 adjacent to a cold insulating room 34 in a thermally insulating state and communicating with outside air and dew produced in the cold insulating room 34 is guided to the insulating room 35.
ペルチェ素子３８の加熱面３８ｂは、保冷室３４に断熱状態で隣接して外気と連通する保温室３５を保温可能であり、その保温室３５には保冷室３４で生じた結露水が保温室３５内に案内されるようになっている。 - 特許庁 - To provide a method of calibrating a surface shape measurement instrument which accurately and simply obtains a moving distance of a scanning member in the elevation direction in response to a change in a voltage applied to a piezoelectric element in comparison with a conventional method.
特に、従来に比べて高精度に且つ簡単な手法により、ピエゾ素子への印加電圧変化に対する走査部材の昇降方向への移動量を求めることができる表面形状測定器の較正方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - This massager machine comprises a chair having a seatback 84 and a seat face; a treatment means having a mechanism for expanding and contracting a treatment element 5 for performing a treatment operation substantially vertically to the seatback surface; and a moving means for moving the treatment means along the seatback.
背もたれ８４と座面とを有する椅子と、施療動作を行うために施療子５が背もたれ面の略垂直方向に伸縮する機構を有する施療手段と、背もたれに沿って施療手段を移動させる移動手段とを備えているマッサージ機である。 - 特許庁 - The photodetection unit 1 is constituted by installing curved- surface filters 4 and 6 between an aspheric photodetection lens 2 and a C-MOS or CCD photodetecting element and then built in the portable telephone 10, which is used for the teleconferencing system 20.
非球面の受光レンズ２とＣ−ＭＯＳ又はＣＣＤ受光素子間に曲面形状のフィルタ４、６を設置して受光ユニット１を構成し、この受光ユニット１を携帯電話１０に組み込み、更にこの携帯電話１０を遠隔会議システム２０に使用する。 - 特許庁 - A step part 57 larger than outer diameter of an annular contact surface 46 of the valve seat 43 and the valve element 44 is formed.
弁座４３の弁体４４との円環状の接触面４６の外径よりも大径の段差部５７を形成し、弁座４３に弁体４４が接触した際には、段差部５７の位置においては、弁座４３と弁体４４との間に一定の間隙ｈが生じるように構成している。 - 特許庁 - An n^--SiC epitaxial growth layer 2 and a p^+ type layer 3 are successively formed on an n^+-SiC substrate 1 whose main surface has the off angle θ, a guard ring 6 is formed around an element, and an ohmic electrode 4a is provided on the p^+ type layer 3.
主面がオフ角θを有するｎ^+−ＳｉＣ基板１上に、ｎ^-−ＳｉＣエピタキシャル成長層２、ｐ^+型層３が順次形成され、素子周辺にガードリング６が形成されると共に、ｐ^+型層３上にはオーミック電極４ａが設けられている。 - 特許庁 - To maintain sufficient crystallinity with little surface roughness and to sufficiently maintain an Ir characteristic while high output is realized by thinning an AlGaN barrier layer in an MQW light emitting layer of a group III nitride compound semiconductor light emitting element.
III族窒化物系化合物半導体発光素子のＭＱＷ発光層においてＡｌＧａＮバリア層を薄くするとその発光出力が増大する傾向にあるが、薄くし過ぎると結晶性が低下して表面荒れやＩｒ特性の低下が生じる。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display device preventing entering of humidity and a foreign matter in an atmosphere and having a thin, light weight and less secular change light source by improving flatness of a backlight irradiation surface opposite to a liquid crystal display element and making it an airtight structure.
液晶表示素子と相対するバックライト照光面の平坦度を向上し、かつ、気密構造とすることにより、雰囲気中の湿度及び異物の侵入を防止し、薄型・軽量かつ経年変化の少ない光源を有する液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - The actuator is composed of one or plural element parts having a columnar or fibrous form having an axis in an expansion/contraction direction of the intercalation substance, or a film- or plate-shaped form in which the expansion/contraction direction of the intercalation substance is perpendicular to a main surface.
アクチュエータは、インターカレーション物質の伸縮方向を軸とする柱状または繊維状の形状やインターカレーション物質の伸縮方向が主面に垂直な膜状または板状の形状を有する要素部を一つまたは複数用いて構成する。 - 特許庁 - By reducing a soldering part by arranging each terminal electrode 20 only on an end side surface of a chip element 10, a solder bridge between lands adjacent to each other is suitably prevented, and mounting density of this chip electronic component 100 can be increased.
端子電極２０をチップ素体１０の端部側面にのみ配設することによって、半田付け箇所を縮小することにより、隣接するランド間における半田ブリッジを好適に抑制し、チップ電子部品１００の実装密度を上げることを可能にした。 - 特許庁 - The inner cable has a core wire, and, side wires which are twisted around the core wire in a prescribed direction and arranged, and, surface compressive residual stress of 500 MPa-800 MPa is imparted to at least one of the element wires constituting the core wire and the side wires.
インナーケーブルは、芯線と、その芯線のまわりを所定の方向に撚られて配設される側線とを有し、それら芯線及び側線を構成する素線の少なくとも１本に５５０ＭＰa〜８００ＭＰaの表面圧縮残留応力が付与されている。 - 特許庁 - An electrode formed on a surface of a negative temperature coefficient thermistor consisting of LaCoO3 based rare earth transition element oxide consists of a metallic powder including at least one of Ni, Cr, Mn and Fe oxide powders at 1.0 weight % or less (where the oxide powder is not zero weight %).
ＬａＣｏＯ_3系希土類遷移元素酸化物からなる負特性サーミスタ素子の表面に形成された電極が、金属粉にＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅのうち１種以上の酸化物粉を１．０ｗｔ％以下（ただし、０ｗｔ％は含まず）含有したものからなる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor optical integrated device 1 forms a shape retaining layer 31 consisting of InP with p-type conductivity on the surface of a contact layer 16 consisting of InGaAs in performing the wet etching for forming an element isolation part 32.
半導体光集積素子１の製造方法では、素子分離部３２を形成するためのウェットエッチングを行うにあたり、ＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層１６の表面に、導電型がｐ型のＩｎＰからなる形状保持層３１を形成している。 - 特許庁 - A sealing resin 5 made of a 2nd resin having an elastic modulus lower than that of the 1st resin is packed to a region surrounded by the frame 3 and a stimulation electrode 2 and a substrate 6 are kept hollow to seal the surface acoustic wave element 10.
枠部３で囲まれた領域を上記第１の樹脂より低い弾性率を有する第２の樹脂からなる封止樹脂５により充填し、励起電極２と基板６の間を中空状態に保持して表面弾性波素子１０を封止する。 - 特許庁 - This piezoelectric part forms metallization layers 4 for an electrode on the upper surface of a ceramic substrate 1, forms metallic wax material 10 on the layers 4 by heaping it up about 50 to 100 μm and holds a piezoelectric element 2 on the material 10 with conductive adhesive 14.
セラミック基体１の上面に電極用メタライズ層４を形成し、電極用メタライズ層４上に５０〜１００μｍ程度に盛り上げて金属ろう材１０を形成し、この金属ろう材１０上に導電性接着剤１４により圧電素子２を保持する。 - 特許庁 - On the joining surface 31b between the transmission member 31 and an electromechanical energy transducing element 32, an adhesive 34 thickly exists on the part of the recess 31d, and at a part other than the part, the adhesive 34 thinly exists or does not exist at all.
伝達部材３１と電気機械エネルギー変換素子３２の接合面３１ｂにおいて、凹部３１ｄの部分は接着剤３４が厚く存在することになり、それ以外の部分では接着剤３４は薄く存在するか、或いは全く存在しなくなる。 - 特許庁 - The control section sets a modulation region in which color light beams are modulated in at least one optical modulation element of the plurality of light modulation elements such that the misregistration amount among the plurality of actual color light beams on the projection object surface becomes smaller than the estimation value.
制御部は、複数の光変調素子のうち少なくとも１つの光変調素子において色光を変調する変調領域を、被投射面上における実際の複数の色光間のレジストレーションずれ量が想定値よりも小さくなるように設定する。 - 特許庁 - The electrodes 32 for the sensor are formed on the surface of the solid electrolyte 31 for the sensor on which the electrodes 32 for the sensor are installed, and partially connected to a lead wire exposed to an atmospherical gas at the base end of the NOx sensor element 1 in the axial direction.
センサ用電極３２は、センサ用固体電解質体３１におけるセンサ用電極３２が配設されている側の面に形成されるとともに一部がＮＯｘセンサ素子１の軸方向基端側の大気ガス雰囲気に晒されるリード線と接続されている。 - 特許庁 - This getter element is integrated in a manner that the gas absorption alloy particles are carried by a porous metal with a three-dimensional net structure, adhered with a nonorganic high thermal resistance adhesive on a surface of a metal carrier, or carried between a porous metal sheet and a metal thin plate.
ガス吸収合金粒子が、三次元網目構造のポーラスメタルに担持されているか、金属担持体の表面に無機質耐高熱接着剤にて接着されているか、もしくは、ポーラスメタルシートと金属薄板と間に担持され、一体化されているゲッター素子。 - 特許庁 - To provide a semiconductor tab package which can reduce operability of setting and production cost by mounting not only an integrated IC, but also peripheral elements, i.e., a passive element, an inverter, and other surface mounted products on a tab tape into a unit product.
タブテープ上に集積ＩＣのみならず周辺素子すなわち、受動素子やインバータ等その他表面実装型製品を搭載させて一括単品化することにより、セット化時作業性及び製造原価を節減できる半導体タブパッケージを提供する。 - 特許庁 - A spiral separation membrane element (1A) includes: a wound body (3) including a separation membrane; a central tube (2) that pierces the wound body (3) along the central axis of the wound body (3); and a joining section (4) that joins the wound body (3) to the central tube (2) at least one end surface (3a).
スパイラル型膜エレメント１Ａは、分離膜を含む巻回体３と、巻回体３の中心軸に沿って巻回体３を貫通する中心管２と、巻回体３を少なくとも一方の端面３ａで中心管２と接合する接合部４とを備えている。 - 特許庁 - To provide a portable terminal for illuminating a side key arranged on the side surface of the portable terminal without newly adding any light-emitting element such as LED, thereby further attaining the reduction of the number of LEDs (cost reduction) and the reduction of power consumption.
ＬＥＤなどの発光素子を新たに追加することなく携帯端末の側面に配置されたサイドキーを照光可能にすることができ、更なるＬＥＤの削減（コスト削減）および消費電力の低減を図れる携帯端末を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The surfaces of an n-type region 5 consisting of the n-type semiconductor 2 and a p-type region 7 consisting of the p-type semiconductor are polished into flat surfaces, and then a thermal oxide film 9 serving as a field oxide film is formed to complete a surface side element structure 10 of a MOSFET.
ｎ型半導体２よりなるｎ型領域５およびｐ型半導体よりなるｐ型領域７の表面を研磨して平坦にした後、フィールド酸化膜となる熱酸化膜９を形成し、ＭＯＳＦＥＴの表面側の素子構造１０を形成する。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup device in which a solid-state image pickup element and a protective transparent component are bonded together by encapsulating resin around the periphery of the device leaving a space so that the sealing resin via not infiltrate into the interior and contaminate the image pickup surface.
固体撮像素子と保護用透明部品とが間隔をあけて接合された固体撮像装置の周縁部を封止する封止樹脂が内部へ侵入して固体撮像素子の撮像面を汚染することのない固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor light-emitting element of which light extraction efficiency and heat dissipation are improved and prevents cracking on a surface of a growth layer during peeling of a substrate for growth to improve the yield.
半導体発光素子の光取り出し効率及び放熱性の向上を図るとともに、成長用基板の剥離時における成長層表面でのクラック発生を防止して歩留まり向上を図ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical connector in which the degradation of an optical signal between a waveguide for optical signal transmission and the operation surface of a signal medium conversion element fixed on a waveguide-embedded board is suppressed, and to provide a method of manufacturing the optical connector.
光信号伝送用の導波路と、この導波路が埋め込まれた基板上に固定された信号媒体変換素子の作用面との間での光信号の劣化が抑制された光接続装置、および、この光接続装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The lead of a positive electrode and a negative electrode drawn out from a wound generating element is welded integrally to the battery case or the sealing cap together with the metal piece clipped between them using a welding metal piece of uneven surface having resistance heat generation property higher than it.
巻回した発電要素から引出した正、負極のリードを、それよりも抵抗発熱性の高い凹凸のある溶接用金属片を用いて、これと電池ケースまたは封口キャップとの間に挟み込んで前記金属片と共に溶接一体化する。 - 特許庁 - The cavity is filled with sealing resin 14 and hardened, the base mount 1 formed by burying the electrode member is extracted from the metallic mold, and the sheet material is exfoliated from the electrode member, thereby mounting the imaging element 4 on a surface of the base mount 1 in which the electrode member is buried.
キャビティに封止樹脂１４を充填して硬化させ、電極部材を埋め込んで成形された基台１を金型から取り出し、シート材を電極部材から剥離して、基台１の電極部材を埋め込んだ面に撮像素子４を実装する。 - 特許庁 - A wire M is installed in a forging die 14, followed by a forging process so that a ball 6' as a work for rolling element having a curvature at the periphery 6a to serve as the rolling surface and having at least one plane 6b is formed, and after the die releasing, surplus material F is removed.
鍛造型１４内に線材Ｍを組み込んで鍛造成形することで、転動面となる外径６ａに曲率を有すると共に、少なくとも一平面６ｂ以上を有する転動体素球６′が成形され、離型後予肉Ｆを除去する。 - 特許庁 - The optical member is characterized by including a substrate, all over the surface of which an optical element part having specified optical action on incident luminous flux is directly formed, and a protection member having a transmission part through which the luminous flux is transmitted and housing the base plate.
入射する光束に対して所定の光学的作用を有する光学素子部を一面に直接形成した基板と、前記光束を透過する透過部を有し、前記基板を収納する保護部材とを有することを特徴とする光学部材を提供する。 - 特許庁 - A master (prototype) having a high aspect ratio and a high precision fine structure is manufactured, the die is obtained, thereafter, the molding by means of injection molding using the die is performed and a transparent plastic optical element (replica) with a surface on which the fine structure is duplicated is produced.
アスペクト比の高い、高精度の微細構造を有するマスタ（原器）を製作し、その金型を採取した後、この金型を用いた射出成形によるモールディングを行って、表面に上記微細構造が複製された透明プラスティック光学素子（レプリカ）を生成する。 - 特許庁 - More specifically, by using the second part B of the second film 9 as a polishing stopper, the first part A, the magnetic domain control film 8, and the insulating film 7 positioned on the MR element 10 of the second film 9 are polished once to continuously make the surface flat.
詳細には、第２の膜９の第２の部分Ｂを研磨ストッパーとして用い、第２の膜９におけるＭＲ素子１０の上部に位置する第１の部分Ａ、磁区制御膜８及び絶縁膜７を、１回の研磨で連続的に表面平坦化する。 - 特許庁
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