「surface layer」を含む例文一覧(49992)

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  • The non-magnetic one-component developing device is equipped with a developing roller 2 feeding non-magnetic one-component toner while carrying it on its surface, a supply roller 3 supplying the non-magnetic one- component toner while coming into contact with the roller 2, and a doctor 4 regulating the layer thickness of the non-magnetic one-component toner on the surface of the roller 2.
    非磁性一成分現像装置は、非磁性一成分トナーを表面に担持して搬送する現像ローラ2と、その現像ローラ2に接触して非磁性一成分トナーを供給する供給ローラ3と、現像ローラ2表面上の非磁性一成分トナーの層厚を規制するドクター4とを備える。 - 特許庁
  • In this method for manufacturing a semiconductor substrate, a silicon wafer 36 added with impurities at a high concentration is housed in a chamber 22, and while a hydrogen gas 28 is supplied into the chamber 22, the surface of the silicon wafer 36 is scanned with a line laser light to eliminate impurities thereon, thereby forming a shallow low-concentration layer on the surface of the silicon wafer 36.
    不純物が高濃度に添加されたシリコンウェハ(36)をチャンバー(22)内に収容し、該チャンバー(22)内に水素ガス(28)を供給しながら、シリコンウェハ(36)の表面をライン状のレーザ光で走査して、該表面に存在する不純物を脱離し、シリコンウェハ(36)の表面に浅い低濃度層を形成する。 - 特許庁
  • In the formula, D_1(μm) is a thickness of the plasma anti-corrosion layer on the surface of the ceramic base plate, D_2(mm) is a thickness of the ceramic base plate, and Ry(μm) is a maximum height based on JIS B 0601 showing surface roughness of the ceramic base plate.
    0.015(mm)≦ D_1×D_2/R_y ≦20000(mm)・・・(1)(式(1)中、D_1(μm)は、セラミック基板の表面における前記プラズマ耐食層の厚さであり、D_2(mm)は、セラミック基板の厚さであり、Ry(μm)は、セラミック基板の表面粗さを示すJIS B 0601に基づく最大高さである。) - 特許庁
  • An assembly structure of components is formed by arranging a fixed layer 5 consisting of a filler 5b made of at least two or more granular ferromagnetic materials and an adhesive 5b in a gap between a fitting surface 3c provided to a flange portion of a lens barrel and a fitting surface 6a of an imaging portion 6 as two components of an imaging optical unit.
    撮像光学ユニットの2部品である鏡筒のフランジ部に設けられた取付面3cと撮像部6の取付面6aとの間の隙間に、少なくとも2個以上の粒状の強磁性体からなる充填材5bと、接着剤5aとからなる固定層5を設けた部品の組立構造を形成する。 - 特許庁
  • The low-voltage region 10 is formed such that its width in a direction of an electric field applied to a junction surface in the region is wider than a width of a depletion layer created on the region by a breakdown voltage of the thyristor 100 and its width is narrow in a range where the junction surface is subject to breakdown by a breakover voltage of the thyristor 100.
    低耐圧領域10は、該領域において接合面にかかる電界方向の該領域幅が、サイリスタ100のブレークダウン電圧によって該領域に生成される空乏層幅より広く、サイリスタ100のブレークオーバ電圧によって接合面がブレークダウンする範囲において狭く形成される。 - 特許庁
  • This method for welding the grain-oriented electromagnetic steel sheets after having been secondary-recrystallization-annealed with each other comprises controlling the thickness of an oxide layer formed on the surface of the steel sheet to 1.0 μm or less, without forming a forsterite film on the surface of the steel sheet in the process of manufacturing the grain-oriented electromagnetic steel sheet; and welding them.
    二次再結晶焼鈍後の方向性電磁鋼板同士を溶接するに際し、上記方向性電磁鋼板の製造過程において鋼板表面にフォルステライト被膜を形成させることなく、かつ鋼板表面に形成された酸化物層の厚みを 1.0μm 以下とした上で、溶接を施す。 - 特許庁
  • The coating plate roll 1 includes at least its outermost layer on a circumferential side made by a material with a rubber hardness of less than 50 by an ASKER rubber durometer C type, a coating recess 2 for forming the coating pattern on the circumferential surface, and the surface on the circumferential side in the coating recess 2 is smoothly formed.
    塗装用版ロール1は、少なくとも外周側の最外層がアスカーゴム硬度計C型によるゴム硬度が50度未満の材質で形成され、外周面に塗装模様の形成のための塗装用凸部2が形成され、前記塗装用凸部2の外周側の表面が平滑に形成されている。 - 特許庁
  • To provide a photonic crystal laser which has a photonic crystal period structure where refractive indexes are two-dimensionally, periodically located near an active layer emitting by injection of carriers and resonates with the photonic crystal to surface-emit; a method of manufacturing the photonic crystal; a surface-emitting laser array; a light transmission system; and a writing system.
    キャリアの注入により発光する活性層の近傍に、2次元的に屈折率周期を配置したフォトニック結晶周期構造体を備え、フォトニック結晶により共振して面発光するフォトニック結晶レーザ、フォトニック結晶レーザの製造方法、面発光レーザアレイ、光伝送システム、及び書き込みシステムを提供する。 - 特許庁
  • To sufficiently secure the adhesion between a rubber and a core metal with which in a heat-treatment of steel-made core metal in a rubber crawler, a decarburizing treatment is ordinarily not performed, but is applied only to the extremely thin surface layer of the core metal, and a surface-treatment (shot-blast) for sticking the core metal with the rubber, is easily applied.
    ゴムクロ−ラにおける鉄鋼製の芯金の熱処理では通常では実施しない脱炭化を、芯金の極く表面層のみを脱炭化熱処理させ、芯金とゴムとを接着させる表面処理(ショットブラスト)をしやすくし、ゴムと芯金間の接着を十分確保することを目的とする。 - 特許庁
  • Grooves communicating with the heat transferring gas feed holes 43 are reticulately provided to the substrate mounting surface of the electrode 12, the conductive layer 55 and the insulating layers 53 and 571 to 573 are brought into close contact with the substrate mounting surface of the electrode 12 including the bases of the grooves, and the heat transferring gas feed holes 43 are provided penetrating through these layers.
    また、電極12は、基板1乗載面に伝熱用ガス送給孔43に通じる溝が網状に形成され、導電層55および絶縁層53,571〜573は、溝の底も含めて基板1乗載面に対し密着しており且つ伝熱用ガス供給孔43によって貫通される。 - 特許庁
  • Accordingly, ven if the dispersion of a gap between the member 9A and the sleeve 1 exists in the shaft direction of the sleeve 1 due to the machining accuracy of the surface 16A, it is overlapped while the developer 22 passes through the surface 16A, and the layer thickness of the developer 22 is averaged.
    これにより、対向面16Aの加工精度によって、現像スリーブ1軸方向において第2の規制部材9Aと現像スリーブ1との間のギャップばらつきが存在しても、現像剤22が対向面16Aを通過する間にこのばらつきが重畳され、現像剤22の層厚が平均化する。 - 特許庁
  • By performing a step for applying shot blasting to the surface of a slab between a primary scale removing step and a rough rolling step in the high Cr base ferritic stainless steel containing Cr of ≥16 mass%, secondary scale having iron oxide layer of ≥1 μm thick is generated on the surface of a stainless steel strip after rough rolling.
    Crを16質量%以上含む高Cr系フェライトステンレス鋼では、1次スケール除去工程と粗圧延工程との間に、前記スラブの表面にショットブラスト処理を施す工程を行うことで、粗圧延後のステンレス鋼帯の表面に、1μm以上の厚さの鉄酸化物層を有する2次スケールを生成する。 - 特許庁
  • This diaper 1A is so constituted that the tape fastener 6 comprises a first fiber non-woven fabric formed of thermoplastic synthetic resin fibers and thermoplastic synthetic resin applied to the approximately whole body of the outer surface of the first fiber non-woven fabric; and the thermoplastic synthetic resin forms an approximately smooth first synthetic resin layer in the outer surface of the tape fastener.
    おむつ1Aでは、テープファスナ6が熱可塑性合成樹脂繊維から形成された第1繊維不織布と第1繊維不織布の外面の略全体にコーティングされた熱可塑性合成樹脂とから構成され、熱可塑性合成樹脂がテープファスナの外面に略平滑な第1合成樹脂層を形成している。 - 特許庁
  • In planned regions for resin sealing of a semiconductor-device leadframe 101 on which a multi-layered metal cover film is formed, a plated coating film 108 of paladium or an alloy containing paladium is provided on the outermost surface layer of both first and second principal surfaces, and an oxide coating film 109 thereof is selectively formed on the surface of the plated coating film 108.
    複数層の金属被膜が形成された半導体装置用リードフレーム101の樹脂封止予定領域内で、第一主面及び第二主面の両方の最表層にパラジウムまたはパラジウムを含む合金のめっき皮膜108を備え、その表面に選択的に酸化皮膜109が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a technology of which polishing speed is not so dependent on pattern when the surface of a silicon dioxide material layer to be polished is subjected to polishing, and by which a convex can be preferentially polished while suppressing polishing of a concave and the surface thereof can be highly flattened by a very small quantity of polishing.
    半導体集積回路装置の製造において、二酸化ケイ素系材料層の被研磨面を研磨する場合の研磨速度のパターン依存性が少なく、凹部の研磨を抑制しながら凸部を優先的に研磨でき、極めて少ない研磨量で被研磨面を高平坦化することが可能な技術を提供する。 - 特許庁
  • By this setup, gas or moisture, which infiltrates to the boundary A that is not hermetically bonded, is blocked by the metal oxide layer 21 so as not to reach the surface electrode 14, and the surface electrode 14 can be surely prevented from being sulfurated or migrating, even if it is a silver electrode containing no Pd or Pt.
    これにより、密着接合されていない境界部分Aから侵入したガスや湿気が、酸化金属膜21に遮られて表面電極14には到達しなくなるので、表面電極14がPdやPtを含有しない銀電極であっても硫化やマイグレーションを確実に防止できる。 - 特許庁
  • It is presumed that the magnesium is brought into reaction with nickel oxide in the surface of the nickel powder and is present as multiple oxide, and the multiple oxide of the magnesium oxide and nickel oxide is made dense compared to the surface layer of the nickel oxide only to prevent the diffusion of oxygen into the nickel powder and to suppress the oxidation of the nickel powder.
    本マグネシウムは、ニッケル粉表面で酸化ニッケルと反応し複合酸化物として存在していると推測され、この酸化マグネシウムと酸化ニッケルの複合酸化物は、酸化ニッケル単独の表面層にくらべ緻密になり、酸素のニッケル粉中への拡散を防止し、ニッケル粉の酸化を抑制する。 - 特許庁
  • The metal pattern formed resin substrate 1 is irradiated with exciting light having a wavelength absorbed by a resin material surface layer to get the light emitted from the surface of the metal pattern formed resin substrate 1 detected by a detection system having no sensitivity to exciting light but having sensitivity to fluorescence or phosphorescence.
    金属パターン形成樹脂基板1に前記樹脂材料表層で吸収される波長を有する励起光を照射し、金属パターン形成樹脂基板1の表面から発せられる光を、励起光に対する感度を有さず、蛍光又は燐光に対する感度を有する検出系で検出する。 - 特許庁
  • The tube for liquid transport has a tubular molded body comprising a hydrogenated styrene/diene/styrene block copolymer or a composition containing it and the gas barrier resin coating layer formed on the surface thereof using a resin latex and is characterized in that the tubular molded body is subjected to surface modifying treatment.
    水添スチレン−ジエン−スチレン−ブロック共重合体又はそれを含む組成物からなるチューブ状成形体と、その表面に樹脂ラテックスを用いて形成されたガスバリア性樹脂コーティング層を有し、かつ前記チューブ状成形体が、表面改質処理されたものであることを特徴とする液体輸送用チューブである。 - 特許庁
  • The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).
    レジストパターン19をマスクとして、ドライエッチングによりCVD膜13、SOG膜11、CVD膜9を順にエッチング除去し、続けて積層膜7の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部15を形成し、薄膜抵抗体5の上面及び側面の一部を露出させる(B)。 - 特許庁
  • Almost the whole surface of a p-electrode of the light emitting diode is bonded to a positive electrode of the support by using conductive material without interposing an insulating film, thereby transmitting heat generated in the vicinity of a light emitting layer directly from the almost whole surface of the p-electrode to the positive electrode of the support, via the conductive material.
    発光ダイオードのp電極のほぼ全面を、絶縁膜を介さずに導電性材料によって支持体の正電極に接着することにより、発光層近傍で発生した熱をp電極のほぼ全面から直接に導電性材料を介して、支持体の正電極に伝達させる。 - 特許庁
  • The cement-based material with improved carbonation potential in an actual environment is manufactured by impregnating a hardened body of a cement mixture containing 10-85 pts.mass of γ-belite vs. 100 pts.mass of cement with a silicone-based water-repellent material from its surface to form a water-repellent surface layer with an average thickness of 5-20 mm.
    セメント100質量部に対しγビーライト10〜85質量部を含む混練物のセメント硬化体において、表面からシリコーン系撥水材を浸透させることにより平均厚さ5〜20mmの撥水表層を形成したことを特徴とする実環境での炭酸化能力を改善したセメント系材料。 - 特許庁
  • During the via-fill plating to fill the inside of a bottomed-via 18 with plated metal 19, the surface of laminated plate other than the bottomed-via is covered with a resist layer 14, and inside of the bottomed-via 18 is filled with plating metal 19 without growth of the plating at the surface of the laminated plate other than the bottomed-via.
    有底ビア18内をめっき金属19によって埋めるビアフィルめっき時には、有底ビア部分以外の積層板表面をめっきレジスト層14によって被覆しておき、有底ビア部分以外の積層板表面のめっきを成長させることなく有底ビア18内をめっき金属19で充填する。 - 特許庁
  • In the quick manufacturing method for printed wiring board, a pattern is formed by ejecting solid ink onto the surface of an insulation wiring board, except for the portion thereof corresponding to an image portion, a conductive layer is then formed to the surface of the insulation printed wiring board, and thereafter, the solid ink portion is removed by dissolving this portion.
    本発明によるプリント基板高速作成方法は、絶縁性基板上の画像部に相当する部分を残して、ソリッドインクをジエットしてパターニングを形成し、次いでパターニングされた絶縁性基板の面に導電性層を形成し、その後、ソリッドインク部を溶解除去することを特徴とする。 - 特許庁
  • The article comprises a first layer 10 including a substrate, a cross-link parent nuclear polymer which is a parent nuclear organic polymer bridging the surface or the inside of the substrate, and contains a functional group effective to form a covalent bond with a chemical substance or a biological agent, and a reactive particle positioning on the surface or the inside of the substrate.
    基材と、基材の表面又は内部で架橋した親核性有機ポリマーであって、化学物質又は生物剤と共有結合を形成するのに有効な官能基を含む架橋親核性ポリマーと、基材の表面又は内部に位置する反応性粒子とを含む第1の層10を備える物品。 - 特許庁
  • In the fire extinguisher, a film 15 to be a composite material which has pigments printed on the surface and a protective film formed on an upper layer of the pigment is attached on an outer peripheral surface of the fire extinguishing agent storage container 11 which has an mouth part to be an opening part and is molded by resin without seams.
    消火器は、開口部となる口部を有するとともに継ぎ目のない樹脂によって成形される消火剤貯蔵容器11の外周表面上に、表面に顔料が印刷されるとともに、顔料の上層に保護膜が形成された複合材料であるフィルム15が装着される。 - 特許庁
  • A tray 11 for plating is used, in which a recessed part for silicon substrate arrangement is formed in the almost central part of the upper surface of a rectangular insulating substrate 12, and a metal layer 14 is formed in a region except the recessed part for silicon substrate arrangement and specified three edge parts, on the upper surface of the insulating substrate 12.
    メッキ用トレー11として、長方形状の絶縁性基板12の上面のほぼ中央部にシリコン基板配置用凹部が設けられ、絶縁性基板12の上面においてシリコン基板配置用凹部及び所定の3辺部を除く領域に金属層14が設けられたものを用いる。 - 特許庁
  • A method of forming a nitride system semiconductor device includes a step in which a plurality of columns 1a made of Si are formed on an upper surface of an Si substrate 1 by machining the upper surface of the Si substrate 1, and a step in which an n-type GaN layer 5 is made to grow on the plurality of columns 1a.
    この窒化物系半導体の形成方法は、Si基板1の上面を加工することによって、Si基板1の上面に、Siからなる複数の円柱状部1aを形成する工程と、その複数の円柱状部1a上に、n型GaN層5を成長させる工程とを備えている。 - 特許庁
  • In one embodiment, the method for low temperature aerosol deposition includes forming an aerosol of fine particles in an aerosol generator, dispensing the aerosol from the aerosol generator into a processing chamber toward a surface of a substrate, maintaining the substrate temperature at between 0 degrees Celsius and 50 degrees Celsius, and depositing a layer from a material in the aerosol on the substrate surface.
    一実施形態において、低温エアロゾル堆積方法は、エアロゾル発生器において微粒子エアロゾルを形成し、エアロゾル発生器から処理チャンバへ基板表面に向かってエアロゾルを分配し、基板温度を摂氏約0度〜摂氏50度の間に維持し、エアロゾル中の材料から基板表面に層を堆積することを含む。 - 特許庁
  • The copper foil for laser perforation processing is characterized in that a surface layer, which comprises a metal or alloy with an electric resistivity at a room temperature of 50n Ωm, a melting point of 2855 K or lower and a boiling point of 2855 K or higher or both of them, is formed on the surface on laser irradiation side of a copper foil.
    銅箔のレーザ照射側の表面に、室温での電気抵抗率が50n Ωm 以上であって、融点が2855K 以下であり、且つ沸点が2855K 以上である金属または合金の何れか若しくは両方からなる表面層が形成されていることを特徴とするレーザ穴あけ加工用銅箔である。 - 特許庁
  • If necessary, the surface configuration of the building constructed of the Oya tuff stone with the adhesive sprayed thereon is restored or created using repair material (mortar) and an adhesive is sprayed again, or dark- colored joints are formed and joint tape is affixed thereon and removed after formation of the layer of surface material.
    なお、必要に応じて、接着剤が吹き付けられた大谷石製建造物の表面形状を修復材料(モルタル)で修復或いは創成した上再度接着剤を吹き付けたり、暗色の目地を形成した上に目地テープを貼着し、表面材料層形成後に目地テープを剥がしたりする。 - 特許庁
  • The cell 2 comprises a cylindrical cell body 3 provided with an opening 4 whose area is much smaller than the surface area of an amorphous silicon layer 21 of the surface to be processed, the flange 5 of a prescribed width which is formed around the entire outer periphery of the opening 4, and two gas injection ports 6a and 6b formed above the cell body 3.
    セル2は被処理面のアモルファスシリコン層21の表面積よりも遙かに少ない面積の開口部4を備えた円筒状のセル本体3と、その開口部4の外周全周に形成された所定の幅のつば5と、セル本体3の上方に形成された2本のガス注入口6a、6bとからなる。 - 特許庁
  • The light box 10 includes a wiring board 14, a plurality of dotted light sources 16 arranged on the wiring board, a light-diffusing surface plate 26 disposed opposite to the dotted light sources, and a light-diffusing middle-layer plate or a sheet 34 disposed between the dotted light sources and the light-diffusing surface plate.
    配線板14と、配線板上に配置された複数の点状光源16と、点状光源と対向するように配置された光拡散表面板26とを具備し、点状光源と光拡散表面板との間に光拡散中層板またはシート34が配置されたライトボックス10とする。 - 特許庁
  • This device is equipped with a receiving recessed part 3 provided in a roller conveyer 1 conveying a substrate B of a solar battery by supporting a lower surface b2 in an opposite side of an upper surface b1 formed with a transparent electrode layer A of the substrate and a delivery machine 11 reciprocating the substrate B moved over this recessed part 3 and a prescribed delivered part.
    太陽電池の基板Bをその透明電極層Aが形成された上面b1とは反対側の下面b2を支持して搬送するローラコンベア1に設けた受取り凹部3と、この凹部3と所定の被受渡し部分とにわたって基板Bを往復移動させる受渡し機11とを具備する。 - 特許庁
  • A second wiring section 37 along the inclined inner-surface 45 ranges at an obtuse angle to a direction B1, where the first wiring section 36 along one surface 36 of the semiconductor substrate 31 is extended in the wiring layer 33, and a direction B3 where a third wiring section 38 is extended along the thickness direction T of the semiconductor substrate 31.
    この傾斜する内周面45に沿う第2配線部37は、配線層33のうち半導体基板31の一表面36に沿う第1配線部36の延びる方向B1、半導体基板31の厚み方向Tに沿って第3配線部38の延びる方向B3に対して鈍角に連なる。 - 特許庁
  • A chip resistor A1 is equipped with a chip resistor 1 and a plurality of electrodes 3 which are provided on either one surface 10a or other surface 10b of the resistor 1 separately from each other by a prescribed space in a certain direction, and a solder layer 4 is formed on the both end faces 10d of the resistor 1 in a certain fixed direction.
    チップ状の抵抗体1と、この抵抗体1の表裏いずれかの片面10aに一定方向において間隔を隔てて設けられた複数の電極3と、を備えているチップ抵抗器A1であって、抵抗体1の上記一定方向における両端面10dには、ハンダ層4が形成されている。 - 特許庁
  • On a base 1, the photodetection parts of solid image pickup elements 2a and 2b are arranged adjacently and fixed with adhesive resin 11, a transparent film 3 having a smooth surface is formed on those photodetection parts while covering them together with their gap 25, and then layer of scintillators 4 is formed on the smooth surface.
    基台1上に固体撮像素子2a、2bの受光部を隣り合わせて配置して、接着樹脂11により固定し、それらの受光部上に隙間25をも一括して覆うととともに平滑な表面を有するよう透明膜3を形成したうえで、その平滑な表面上にシンチレータ4層を形成している。 - 特許庁
  • In an electrophotographic apparatus which is cleaner-less and adopts the contact one-component development method, and uses toner having a weight average particle diameter of 7μm or less, the surface layer of the electrophotographic photoreceptor has ten-point average surface roughness Rz that is 0.1≤Rz≤1μm and the maximum height that is 0.2≤Ry≤2μm.
    クリーナーレス、接触一成分現像方式、さらに重量平均粒径が7μm以下のトナーを用いた電子写真装置において、感光体表面層の10点平均表面粗さRzが0.1≦Rz≦1μm、最大高さが0.2≦Ry≦2μmであることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁
  • A metal fixing material is beforehand vapor-deposited on the surface 13a of a quartz resonator 13 provided at a film thickness monitor 12, thereafter, alkali metal is vapor-deposited on an organic compound layer in a stacked body S1 as a example of the object to be vapor-deposited and on the surface 13a of the quartz resonator 13 with the metal fixing material vapor-deposited.
    膜厚モニター12が備える水晶振動子13の表面13aに金属固定材を予め蒸着させておき、その後で被蒸着対象の一例である積層体S1の有機化合物層と、金属固定材が蒸着された水晶振動子13の表面13aにアルカリ金属を蒸着する。 - 特許庁
  • In addition, the first thermally oxidized film 4 and the surface section of the element isolating film 16 are wet-etched until the film 4 is removed by using an etchant containing a hydrogen fluoride (Fig.1 (E)) and, after a pressure-reduced oxide film 30 is formed on the etched surface, a polysilicon layer 36 which is used as a resistance element or transistor element is formed.
    次に、第1の熱酸化膜4が除去されるまで、第1の熱酸化膜4および素子分離膜16の表面部を、フッ化水素を含むエッチング液を用いてウェットエッチングし(図1の(E))、その上に、減圧酸化膜30を形成した後、抵抗素子やトランジスタ素子とするポリシリコン層36を形成する。 - 特許庁
  • Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.
    そして、n^−形半導体層2表面から半導体基板1に達する第1導電形アイソレーション拡散領域4が形成され、そのアイソレーション拡散領域4の表面にオーミック接触するように、たとえばAl金属膜7が設けられることにより、第1電極5と電気的に接続している。 - 特許庁
  • The optical filter for the display apparatus includes a glass substrate, and an external light shielding layer that is formed by coating one surface of the glass substrate with transparent resin and has an external light shielding pattern consisting of a plurality of external light shielding sections formed by charging a light absorption material into an exposed surface of the transparent resin.
    ディスプレイ装置用光学フィルタは、ガラス基板と、ガラス基板の一面に透明樹脂がコーティングされて形成され、透明樹脂の露出面に光吸収物質が充填されて形成された複数の外光遮蔽部で成された外光遮蔽パターンを備えた外光遮蔽層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a vacuum deposition apparatus, and a vacuum deposition method which can efficiently remove a metal layer deposited on an inner circumferential surface of a masking tape and prevent an oil for preventing the vapor deposition from coming around an outer circumferential surface of the endless masking tape and adversely affecting a polymer film.
    マスキングテープの内周面に積層した金属層を効率的に除去することができ、さらに蒸着防止用オイルが無端状のマスキングテープの外周面に回り込んで高分子フィルムに悪影響を与えることが防止できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供すること。 - 特許庁
  • In a circuit substrate wherein a circuit (2) is provided to a surface of an aluminum nitride substrate (3) and housing (5) is formed to enable a rear of the aluminum nitride substrate to come into direct flow contact with coolant, a alumina hydrate layer (7) is formed in an aluminum nitride substrate surface in contact with coolant.
    窒化アルミニウム基板(3)の表面に回路(2)が設けられてなり、上記窒化アルミ基板の裏面が冷媒と直接流通接触できるようにハウジング(5)されている回路基板において、冷媒と接触する窒化アルミニウム基板面にアルミナ水和物層(7)が形成されていることを特徴とする回路基板の冷却構造である。 - 特許庁
  • On the silicon substrate 21, a first conductivity type accumulation layer 31, which has an impurity concentration higher than that of the silicon substrate 21, is formed at the side of the second main surface 21b, and irregularities 10 are formed in a region opposite to at least the semiconductor region 23 on the second main surface 21b.
    シリコン基板21には、第2主面21b側にシリコン基板21よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層31が形成されていると共に、第2主面21bにおける少なくとも半導体領域23に対向する領域に不規則な凹凸10が形成されている。 - 特許庁
  • In the metal-matrix composite material, the external surface of a porous preform composed of metal/alloy and the internal surface of its pores are coated with a layer of composing-accelerating material composed of noble-metal elements and also the pores of the preform are impregnated with matrix metal/alloy composed of Al or its alloy.
    金属・合金からなる多孔質プリフォームの外表面ならびに空隙内表面が、貴金属類元素からなる複合化促進材層によって覆われていると共に、そうしたプリフォームの空隙中に、Alまたはその合金からなるマトリックス金属・合金を含浸してなる金属基複合材料。 - 特許庁
  • The dopant seed is activated by annealing the substrate, the sacrifice oxide layer is removed by etching the substrate surface, the first subset is set to the height of a first level, and a topology is formed such that the first subset has the first level different from a second level of the marker structure surface part different from the first subset.
    この基板をアニールしてドーパント種を活性化させ、半導体表面をエッチングして犠牲酸化物層を取り除き、第1サブセットを第1レベルの高さにし、第1サブセットが、第1サブセットと異なるマーカ構造表面部分の第2レベルと異なる第1レベルを有するようにトポロジーを生成する。 - 特許庁
  • To form a porous layer capable of immobilizing optimally a large amount of, for example, a protein such as an enzyme and an antigen, a catalyst or the like, with a uniform thickness, on a surface of a fine flow passage, without blocking the flow passage, in the surface inside the flow passage of a micro fluid element.
    マイクロ流体素子の微細な流路の内表面に該流路を閉塞することなく、また、例えば酵素や抗原などのタンパク質、あるいは触媒などを最適に多く固定できる多孔質層を該流路の表面に均一な厚さで形成するマイクロ流体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • The method includes immersing a substrate having a miscut surface into a reaction solution containing a precursor compound for a perovskite-type ferroelectric and water, and implementing a hydrothermal reaction in the reaction solution at a temperature lower than the phase transition temperature of the perovskite-type ferroelectric, thereby a perovskite-type ferroelectric layer is formed on the miscut surface of the substrate.
    ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に、ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応液を水熱合成することにより、基板のミスカット表面上にペロブスカイト型強誘電体層が形成される。 - 特許庁
  • When a magnetic tunnel effect type magnetic head 20 having a magnetic tunnel junction element 33 disposed between a pair of magnetic shield layers 25 and 27 via a gap layer is manufactured, a surface to be the medium-facing surface of the magnetic tunnel junction element is subjected to etching machining after polishing machining.
    一対の磁気シールド層25,27の間にギャップ層を介して磁気トンネル接合素子33が配されてなる磁気トンネル効果型磁気ヘッド20を製造する際に、磁気トンネル接合素子の媒体対向面となる面に対して研磨加工を施した後に、当該媒体対向面となる面に対してエッチング加工を施す。 - 特許庁
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