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＜前へ 1 2 .... 990 991 992 993 994 995 996 997 998 999 1000 次へ＞- The electrophotographic photoreceptor is obtained by disposing on a support at least a photosensitive layer having a crosslinked surface layer, wherein the photosensitive layer has sensitivity to light having a wavelength of 400-450 nm, and the crosslinked surface layer is formed by crosslinking and curing at least a trifunctional or higher functionality radical polymerizable monomer having no charge transport structure and a monofunctional radical polymerizable monomer having a charge transport structure.
少なくとも、電子写真感光体を帯電し、画像露光し、潜像を形成し、トナーによって潜像を現像してトナー像を形成し、転写材へ転写し、転写材上のトナー像を定着手段によって定着する画像形成方法において、電子写真感光体が支持体上に少なくとも架橋表面層を有する感光層を設けたものであり、該感光層が波長４００ｎｍ〜４５０ｎｍの光に感度を有し、且つ該架橋表面層が少なくとも電荷輸送性構造を有しない３官能以上のラジカル重合性モノマーと１官能性の電荷輸送性構造を有するラジカル重合性モノマーとを架橋硬化することによって形成されたものである画像形成方法。 - 特許庁 - A polishing composition containing water, abrasive grains, surface reforming material, and a polishing promoting agent is designed to polish an aluminum disc, a board having silica at the surface, and aluminum or copper wirings of a semiconductor multi-layer wiring board, wherein the surface reforming material consists of Neuburg silica or kaolin series clay mineral having a mean particle size of 0.1-5 μm.
研磨対象物をアルミニウムディスク、シリカを表面に有する基板のシリカ、並びに半導体多層配線基板のアルミニウム又は銅配線とする、水、砥粒、表面改質材、及び研磨促進剤を含む研磨用組成物において、表面改質材が、０．１〜５μｍの平均粒子径を有する、ノイブルグ珪土又はカオリン族粘土鉱物であることを特徴とする研磨用組成物を調製すること。 - 特許庁 - A slipping preventive fiber sheet having dense short fibers wherein nylon short fibers are flocked on nonwoven fabric constituted of synthetic fibers by flocking (electric flock machining) is used on the back surface of the floor mat for the automobile as a slipping preventive layer, while using the surface on which the nylon short fibers are flocked as an adhesive surface with a floor.
【解決手段】合成繊維で構成された不織布にフロッキー加工（電気植毛加工）によってナイロン短繊維が植毛された緻密な短繊維群を有する滑り止め繊維シートを、ナイロン短繊維が植毛された面を床との接着面にして、自動車用フロアーマットの裏面に滑り止め層として使用することにより、軽量で、滑り防止性に優れた自動車用フロアーマットが得られることを見出した。 - 特許庁 - A metal foil is laminated on the single surface of a multilayered polyimide film, wherein thermal press bonding polyimide layers are provided on both surfaces of a heat-resistant polyimide layer, with adhesive strength twice or more that of a reinforcing material and polyimide and the reinforcing material is laminated to the other surface of the polyimide film with adhesive strength of 0.001-0.5 kg/cm to constitute a polyimide single surface laminate.
耐熱性ポリイミド層の両面に熱圧着性ポリイミド層を有する多層ポリイミドフィルムの片面に金属箔が補強材とポリイミドとの接着強度の２倍以上の接着強度で積層され、他の面に補強材が接着強度０．００１ｋｇ／ｃｍ以上０．５ｋｇ／ｃｍ以下でそれぞれ積層されてなる補強材を有するポリイミド片面積層体およびその製造法。 - 特許庁 - The low-temperature co-fired ceramic substrate comprises a ceramic body in which one or more first dielectric layers having a diopside-based crystallized glass are laminated, and a second dielectric layer which is formed on at least one surface of the upper surface and the lower surface of the ceramic body, fired with the first dielectric layers at a firing temperature for the first dielectric layers, and contains ≥10 wt.% of amorphous substances.
本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。 - 特許庁 - In the manufacturing process of a piezoelectric actuator 16A where a lower electrode film 30, a piezoelectric film 32, and an upper electrode film 34 sequentially overlie a substrate 22 having an insulating layer 26 on the surface, a plurality of upper electrode films are led out individually to the surface different from the surface where the upper electrode film is arranged and then interconnected as a common electrode.
表面に絶縁層２６が形成された基板２２上に下部電極膜３０、圧電体膜３２、及び上部電極膜３４が順次積層された圧電アクチュエータ１６Ａの製造方法であって、複数の上部電極膜を上部電極膜が配置される面とは異なる面にそれぞれ個別に引き出してから互いに接続して共通電極とする圧電アクチュエータの製造方法の提供。 - 特許庁 - The method for manufacturing a support for a lithographic printing plate precursor comprises the steps of roughing at least one surface of a metallic substrate, applying an anodized layer to the at least one roughed surface of the substrate, and treating the at least one roughed and anodized surface of the substrate with an aqueous solution containing a copolymer of an acrylic acid and a vinylsulfonic acid while applying a constant voltage or current thereto.
金属性基質の少なくとも１つの表面を粗面化し、基質の少なくとも１つの粗面化された表面に陽極酸化層を適用し、基質の少なくとも１つの粗面化され且つ陽極酸化された表面を、定電圧又は定電流を適用しながら、アクリル酸とビニルホスホン酸のコポリマーを含む水溶液で処理することを含む平版印刷版前駆体のための支持体の製造法を提供する。 - 特許庁 - In the coated paper for inkjet printing machines of a rotation system in which an ink receiving layer principally composed of a pigment and a binder is prepared at least on one surface of a base paper, the base paper is a surface size press base paper formed by sizing pressing with a size press liquid that includes synthetic silica and a surface size agent.
本発明の課題は、原紙の少なくとも一方の面に顔料とバインダーを主成分とするインク受理層を設けた輪転方式のインクジェット印刷機用塗工紙において、原紙が、合成シリカと表面サイズ剤とを含有するサイズプレス液によってサイズプレスして形成される表面サイズプレス原紙であることを特徴とする輪転方式のインクジェット印刷機用塗工紙によって基本的に達成された。 - 特許庁 - In the belt-shaped inner lead 10 for connecting the solar cell element produced by coating a metal foil 11 with a solder layer 7 and connecting the light receiving surface side electrode of one of two adjacent solar cell elements with the rear surface side electrode of the other solar cell element by soldering, the surface part of the metal foil 11 opposing the electrode has a substantially concave shape.
隣接する２つの太陽電池素子の一方の太陽電池素子の受光面側電極と他方の太陽電池素子の裏面側電極を半田付けにて接続するために設けられた、金属箔１１に半田層７を被覆して成る帯状の太陽電池素子接続用インナーリード１０であって、前記金属箔１１の前記電極と対向する面部が略凹形状を成したことを特徴とする。 - 特許庁 - (2) The surface or the whole of the sieve screen 101 is constituted of a base material made of a resin, wherein a minute rugged layer containing zirconium oxide covered with a silane monomer having an unsaturated bond part and a binder component consisting of tetramethoxy silane is fixed on a base material surface, and the fixing method includes fixing the unsaturated bond part and the base material surface by chemical bonding by graft polymerization.
（２）篩網１０１が、その表面または全体が樹脂からなる基材により構成され、該基材の表面に、不飽和結合部を有するシランモノマーで被覆された酸化ジルコニウムと、テトラメトキシシランからなるバインダー成分を含有する微細凹凸層が固定化され、その固定化方法が、前記不飽和結合部と基材表面とがグラフト重合による化学結合により固定化されているものであること。 - 特許庁 - A slip-preventive fiber sheet 6 with dense short fibers wherein nylon short fibers are partially flocked on nonwoven fabric constituted of synthetic fibers by flocking (electric flocking) is used on the back surface of the floor mat for the automobile as a slip-preventive layer while using a surface on which the nylon fibers are flocked as an adhesive surface with a floor.
【解決手段】合成繊維で構成された不織布にフロッキー加工（電気植毛加工）によって部分的にナイロン短繊維が植毛された緻密な短繊維群を有する滑り止め繊維シートを、ナイロン短繊維が植毛された面を床との接着面にして、自動車用フロアーマットの裏面に滑り止め層として使用することにより、軽量で、滑り防止性、吸音性に優れた自動車用フロアーマットが得られることを見出した。 - 特許庁 - A reverse-surface electrode type photoelectric conversion element which is provided with a semiconductor laser and an electrode for collecting carries only on the reverse surface side of a semiconductor substrate is provided with a semiconductor thin film including elements given the same or different conductivity from the semiconductor substrate and the elements are diffused to form a diffusion layer on the top surface of the semiconductor substrate.
半導体基板の裏面側にのみキャリアを収集するための半導体層及び電極を設けた裏面電極型の光電変換素子において、半導体基板の受光面側に半導体基板よりもバンドギャップが大きく、かつ、半導体基板と同一の又は異なる導電性を付与する元素を含む半導体薄膜を設け、この元素の拡散により半導体基板の表面に拡散層を形成する。 - 特許庁 - The surface emission laser element 100 has an active layer 4 and an upper DBR mirror 7 as a dielectric multilayer film mirror 7 which are laminated on a substrate 1 wherein the upper DBR mirror 7 has a surface roughness exhibiting a predetermined reflectivity for a laser beam emitted from the surface emission laser element 100 at least on one interface in a dielectric multilayer film constituting the upper DBR mirror.
面発光レーザ素子１００は、基板１上に積層された活性層４と誘電体多層膜ミラーとしての上部ＤＢＲミラー７とを備え、上部ＤＢＲミラー７は、それを構成する誘電体多層膜内の少なくとも１つの界面に、面発光レーザ素子１００が射出するレーザ光に対して上部ＤＢＲミラー７が所定反射率となる表面粗さを有する。 - 特許庁 - A semiconductor element 100 according to an embodiment includes: a semiconductor element body 2 formed in a rectangular plate shape and having an element part 5 provided on a first principal surface; and an insulative adhesion layer 13 provided to cover a second principal surface and only one lateral face 2C of the semiconductor element body 2, or the second principal surface and only two lateral faces 2C of the semiconductor element body 2.
実施形態に係る半導体素子１００は、四角のプレート状に形成され、第１主面に設けられた素子部５を有する半導体素子本体２と、前記半導体素子本体２の第２主面と１つの側面２Ｃのみと、または、前記半導体素子本体２の第２主面と２つの側面２Ｃのみとを覆って設けられた絶縁性接着層１３と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - In the method preparing polyurethane foam on blown surface by feeding an urethane stock solution containing a polyol compound as a main component and a polyisocyanate under pressuring state to a mixing head 5 and carrying out spray foaming, gas loading is carried out to the urethane stock solution by carbon dioxide having ≤1 MPa low pressure and formation of physically foamed layer having high stirring property to the blown surface can readily be carried out on the blown surface.
ポリオール化合物を主成分とするウレタン原液とポリイソシアネートとを加圧状態でミキシングヘッド５に供給し、スプレー発泡によって吹付け面にポリウレタンフォームを作製する方法であって、前記ウレタン原液に対して、１ＭＰａ以下の低圧ガスの二酸化炭素によりガスローディングを行い、前記吹付け面に対して攪拌性の高い吹付け面に捨て吹き層の形成を可能とすることを特徴とする。 - 特許庁 - When an insulating film is subjected to be formed on the surface of a semiconductor substrate wherein a base insulating film is formed on the entire surface by the CVD method; the surface layer of the base insulating film is etched by a plasma of a fluorine-containing gas, a plasma of a nitrogen gas or an ammonia gas is given thereto, and then the insulating film is formed by the CVD method.
上記課題を解決するために、全面に下地絶縁膜が形成された半導体基板表面上にＣＶＤ法によって絶縁膜の成膜を行う際に、下地絶縁膜の表面層をフッ素含有ガスのプラズマでエッチングし、さらに、窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、ＣＶＤ法による絶縁膜の成膜を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The production method of the medical material includes a step of preparing the amnion cleared of the sponge layer, a step in which a biocompatible polymer membrane is bonded on one surface of the amnion and undergoes the crosslinking connection processing, a step of making the epithelial stem cells adhere onto the other surface of the amnion and a step of making the epithelial cells breed on the surface of the amnion from the epithelial stem cells.
スポンジ層を取り除かれた羊膜を調製するステップと前記羊膜の一方の表面に生体適合性高分子膜を貼り合わせて架橋結合処理するステップと前記羊膜の他方の表面に上皮幹細胞を付着させるステップと前記羊膜表面に前記上皮幹細胞から上皮細胞を増殖させるステップとを含む前記医療用材料の製造方法。 - 特許庁 - After a dielectric substrate 1 is formed by thermoplastic liquid crystal polymer where palladium is mixed, a resin mask 2 is formed (B) to expose a surface part where a conductive layer 4 with a specific pattern is formed and the other surface parts are covered, and the resin mask and the entire surface of the dielectric substrate 1 that is exposed from the resin mask are subjected to roughening treatment 3 (C).
パラジウムを混入した熱可塑性の液晶ポリマーで誘電体基板１を成形（Ａ）した後、この誘電体基体の表面のうち、所定パターンの導体層４が形成されるべき表面部分を露出させ、これ以外の表面部分を覆うように樹脂マスク２を形成（Ｂ）し、この樹脂マスク及びこの樹脂マスクから露出している誘電体基体１の全表面を粗面化処理３する（Ｃ）。 - 特許庁 - In the composite structure 1 comprising a sintered compact obtained by joining crystal grains 2 and 6 with joining phases 3 and 7 as a long size core material 4 and/or surface material 8, an intermediate layer 9 having a thermal expansion coefficient at the middle between that of the core material 4 and that of the surface material 8 is provided between the core material 4 and the surface material 8.
結晶粒子２、６を結合相３、７にて結合してなる焼結体を長尺状の芯材４および／または表皮材８として含有する複合構造体において、芯材４および／または表皮材８が、構造体中の芯材４と表皮材８の間に芯材４と表皮材８の中間の熱膨張係数を有する中間層９を配設した複合構造体１を作製する。 - 特許庁 - An ion exchanger having a monomolecular film or a bimolecular film of an amphipathic chained organic molecule as the surface top layer on a substrate is manufactured by generating a radical on the substrate surface through irradiating a radiation on it, and by introducing the amphipathic chained organic molecule having an ion exchange group and a hydrophobic part in the part other than the ion exchange group into the substrate surface by a radical reaction.
基体に放射線を照射して該基体表面にラジカルを生成させ、イオン交換基を有し、且つ、該イオン交換基以外の部分に疎水部分を有する両親媒性鎖状有機分子を上記基体表面にラジカル反応により導入することにより、該両親媒性鎖状有機分子の単分子膜又は二分子膜を最表層として基体上に有するイオン交換体を製造する。 - 特許庁 - In the optical amplifier having the reflector of light, a TEC section or a lens for collimation is provided between a reflection surface and optical fiber for expanding the beam waist of propagation light the metal layer on the reflection surface is formed to a thickness of 20 μm or more for increasing the diffusion efficiency of heat, and a dielectric multilayer film is used on the reflection surface for eliminating the absorption of heat.
光の反射体を有する光増幅器において、反射面と光ファイバとの間にＴＥＣ部又はコリメート用のレンズを設けることにより、伝搬光のビームウェストを拡大し、また、反射面の金属の層を２０μｍ以上の厚さで形成することにより熱の拡散効率を高め、また、反射面に誘電体多層膜を用いることによって熱の吸収を無くす構成とした。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a group-III nitride semiconductor device having a p-type group-III nitride semiconductor layer, an insulating film covering a surface of the group-III nitride semiconductor and having a through hole bored, and a metal film contacting the surface of the group-III nitride semiconductor exposed on a bottom surface of the through hole, the semiconductor device being excellent ohmic contact characteristics being actualized.
ｐ型のIII族窒化物半導体層と、そのIII族窒化物半導体層の表面を覆っているとともに貫通孔が形成されている絶縁膜と、貫通孔の底面に露出している前記III族窒化物半導体層の表面に接している金属膜を備えているIII族窒化物半導体装置の製造方法において、良好なオーミック特性を実現できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - This nitride semiconductor structure is provided with a sapphire substrate having processing structures of a recess portion and a projection portion on its surface in advance; a nitride semiconductor buffer layer formed on at least the projection portion on the substrate; and a nitride semiconductor layer formed on the semiconductor structure having an uneven portion by the sapphire substrate and the nitride semiconductor buffer layer.
しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁 - A 2-layer structure antireflection coating is formed between a resist layer and a silicon oxide film formed on the surface of a silicon semiconductor substrate, and is used for exposing the resist layer by an exposure system whose numerical aperture is 0.93-1.2, with a wavelength of 190-195 nm.
２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が０．９３乃至１．２である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン酸化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁 - The layer A and the layer B are laminated by a co-extrusion film-forming method and at the same time a surface of the layer A side is equipped with a design pattern formed by using an embossing roller as a casting roller.
Ａ層：所定のＰＢＴ系樹脂および所定のポリエステル系樹脂からなる樹脂層、Ｂ層：所定のポリエステル系樹脂を主体としてなる樹脂層、Ｃ層：所定のポリエステル系樹脂を主体としてなる樹脂層、Ｄ層：所定のＰＢＴ系樹脂を含有してなる樹脂層、Ａ層とＢ層とを共押出し製膜法により積層すると同時に、キャスティングロールとしてエンボスロールを用いることにより形成された柄意匠をＡ層側表面に備えている。 - 特許庁 - The heat releasing type adhesive sheet for electronic components comprises a thermal expansion layer that contains micro balls of thermal expansion property, and a non thermal expansion adhesive layer formed at least on one surface of the thermal expansion layer.
電子部品用加熱剥離型粘着シートは、熱膨張性微小球を含有する熱膨張性層と、前記熱膨張性層の少なくとも一方の面に形成されている非熱膨張性粘着層とを有し、非熱膨張性粘着層の面をシリコンウエハの表面に貼付し、加熱して剥離させた後のシリコンウエハの表面における炭素元素比率Ｒ_C1（％）が、以下の関係式（１）又は（２）のうち少なくとも何れか一方の関係式を満足する。 - 特許庁 - The transparent conductive film is formed by applying an absorbent-containing liquid containing an absorbent absorptive to laser light to a surface of a transparent conductive film precursor which is formed on a substrate to form a transparent film by sintering, followed by drying, thereby forming an absorbent layer, and irradiating the absorbent layer with laser light having a wavelength to be absorbed by the absorbent layer, thereby sintering the transparent conductive film precursor.
基材上に形成され焼結によって透明導電膜を形成する透明導電膜前駆体の表面に、レーザー光に対して吸収のある吸収剤を含む吸収剤含有液を塗布し乾燥させることにより吸収剤層を形成し、該吸収剤層に吸収のある波長を有するレーザー光を該吸収剤層に照射することにより、前記透明導電膜前駆体を焼結させて透明導電膜を形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal drive side substrate for a transflective liquid crystal display is disposed facing a color filter via a liquid crystal layer and has a region for transmitted light and a region for reflected light, wherein a gap control layer is formed at a site corresponding to the region for the transmitted light on a surface, on the liquid crystal layer side of a transparent substrate.
上記目的を達成するために、本発明は、液晶層を介してカラーフィルタと対向して配置され、透過光用領域および反射光用領域を有する半透過型液晶表示装置用液晶駆動側基板であって、透明基板の前記液晶層側の面の前記透過光用領域に相当する部位にギャップ調整層が形成されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置用液晶駆動側基板を提供する。 - 特許庁 - The liquid crystal display which is constituted by sandwiching a liquid crystal layer between a couple of opposite substrates and has a plurality of pixel areas formed by a couple of electrodes formed on the internal surface of the substrate has a reflection layer provided corresponding to the pixel area; and the reflection layer is sectioned into a plurality of reflection sections which are formed of different constituent components in the pixel area.
対向する一対の基板間に液晶層を挟持してなり、前記基板の内面に形成された一対の電極によって形成される画素領域を複数有する液晶装置において、前記画素領域に対応して設けられた反射層を具備し、前記反射層は、前記画素領域内において各々構成材料が異なる複数の反射区画に区分されてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁 - The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.0-1.1, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.
２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．０を越え１．１以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁 - The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.2-1.3, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.
２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．２を越え１．３以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁 - The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.3-1.4, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.
２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．３を越え１．４以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁 - The double layer structure antireflection film is used in exposing a resist layer in an exposure system having a wavelength of 190-195 nm and having a numerical aperture of 1.1-1.2, and is formed between the resist layer and a silicon nitride film formed on the surface of the silicon semiconductor substrate.
２層構造反射防止膜は、１９０〜１９５nmの波長を有し、開口数が１．１を越え１．２以下である露光系にてレジスト層を露光する際に用いられる、レジスト層とシリコン半導体基板の表面に形成されたシリコン窒化膜との間に形成され、反射防止膜を構成する上層、下層の複素屈折率N_1,N_2を、N_1=n_1−k_1i,N_2=n_2−k_2iとし、上層、下層の膜厚をd_1,d_2とし、[n_10,k_10,d_10,n_20,k_20,d_20]の値の組合せとして所定の組合せを選択したとき、n_1,k_1,d_1,n_2,k_2,d_2が、以下の関係式を満足する。 - 特許庁 - The manufacturing method for a liquid crystal display device comprises irradiating the surface of a photosensitive resin layer 20 having a predetermined film thickness with light having exposure energy in order to form a distribution of a thermal deformation characteristic in the direction of the thickness of the layer 20 (or in the planar direction) and then forming random bumpy microscopic grooves, or microscopic wrinkles on the layer 20 by heat treatment.
本発明は，液晶表示装置の製造方法において，所定の膜厚を有する感光性樹脂層２０の表面に露光エネルギーを有する光を照射して，感光性樹脂層の厚さ方向（または平面方向）に熱的変形特性の分布を形成した後，熱処理を行って感光性樹脂層２０の表面にランダムな凹凸ＭＧ（マイクログルーブ，微細な溝，或いは微細な皺）を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - In the decorative sheet wherein a pattern layer and a color concealing layer are successively formed on the back side of the transparent base material sheet comprising the polyolefinic resin and a transparent resin layer is formed on the surface side of the base material sheet, the base material sheet contains 100-10,000 ppm of a benzotriazole type ultraviolet absorber and/or 50-10,000 ppm of a hindered amine type light stabilizer.
ポリオレフィン系樹脂からなる透明性基材シートの裏側に絵柄模様層及び着色隠蔽層が順に形成されており、基材シートのおもて側に透明樹脂層が形成されている化粧シートであって、基材シートが、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤１００〜１００００重量ｐｐｍ及び／又はヒンダードアミン系光安定剤５０〜１００００重量ｐｐｍを含有していることを特徴とする化粧シートに係る。 - 特許庁 - The dye-sensitized solar cell 1 is structured of a conductive base material 10, a porous semiconductor layer 20 formed on the conductive base material 10 with sensitizing dyes carried on the surface of pores, an opposed electrode 40 arranged in opposition to the porous semiconductor layer 20, and an electrolyte layer 30 formed between the conductive base material 10 and the opposed electrode 40 and containing potassium iodide and thermoplastic cellulose resin.
導電性基材１０と、導電性基材１０上に形成され増感色素を細孔表面に担持させた多孔質半導体層２０と、多孔質半導体層２０に対向して配置された対向電極４０と、導電性基材１０及び対向電極４０の間に形成され、ヨウ化カリウム及び熱可塑性セルロース系樹脂を含む電解質層３０と、から構成される色素増感型太陽電池１である。 - 特許庁 - The nitride based compound semiconductor light emitting element comprising a first ohmic electrode, a first bonding metal layer, a second bonding metal layer and a second ohmic electrode formed in this order on a conductive substrate is provided with a nitride based compound semiconductor layer on the second ohmic electrode, and one surface of the second ohmic electrode is exposed.
本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁 - The dye-sensitized solar cell is composed of an electrode substrate, a semiconductor layer which is formed on the electrode substrate and which includes porous semiconductor particles on the fine-pore surface on which sensitized dye is carried and polysaccharide containing an amino group or its derivative, a counter electrode substrate arranged face to face with the semiconductor layer, and an electrolyte layer which is formed between the electrode substrate and the counter electrode substrate and includes a redox pair.
電極基材と、該電極基材上に形成され、増感色素を細孔表面に担持させた多孔質半導体粒子、及びアミノ基を含む多糖類又はその誘導体を含む半導体層と、該半導体層に対向して配置された対極基材と、電極基材及び対極基材の間に形成され、酸化還元対を含む電解質層とから構成される色素増感型太陽電池を提供する。 - 特許庁 - The image forming body has a plurality of anisotropic diffusion reflectors arrayed adjacently on a substrate, wherein the anisotropic diffusion reflectors have a reflection layer laminated at least on a resin layer, the resin layer has a plurality of projection parts formed on its surface, the projection parts have a different length in its orthogonally crossing long side and short side, and the plurality of projection parts are arranged in parallel and with an equal pitch.
基材上に、複数の異方性拡散反射体が隣接して配列された画像形成体であって、前記異方性拡散反射体は、少なくとも樹脂層の上に反射層が積層されており、前記樹脂層は、表面に凸部が複数形成されており、前記凸部は、直行する長辺と短辺の長さが異なっており、前記凸部は、平行かつ等ピッチで複数配置されていることを特徴とする画像形成体。 - 特許庁 - The solid electrolytic capacitor 10 includes at least a porous anode body 11, a dielectric layer 12 formed on the surface of the anode body 11, and a cathode body 13b, and a solid electrolyte layer 13a formed in contact with the dielectric layer 12, wherein the solid electrolyte 13a includes at least a hydroxy compound having three or more hydroxyl groups, and the hydroxy compound has a melting point of ≥170°C.
固体電解キャパシタ１０は、少なくとも、多孔質からなる陽極体１１と、陽極体１１の表面に形成されている誘電体層１２と、陰極体１３ｂとを具備し、誘電体層１２と接して形成された固体電解質層１３ａを有し、該固体電解質層１３ａには少なくとも３つ以上の水酸基を有するヒドロキシ類化合物が含まれ、該ヒドロキシ類化合物が１７０℃以上の融点を有する。 - 特許庁 - The dye-sensitized solar cell is constructed of a conductive substrate, a porous semiconductor layer which is formed on the conductive substrate and carries sensitized dye on the hole surface, a counter electrode which is arranged opposed to the porous semiconductor layer, and an electrolyte layer which is formed between the conductive substrate and the counter electrode and is composed of a redox pair and an ionic liquid of which anion is a carboxylic acid ion with bivalence or more.
本発明の色素増感型太陽電池は、導電性基材と、前記導電性基材上に形成され、増感色素を孔表面に担持させた多孔質半導体層と、前記多孔質半導体層に対向して配置された対向電極と、前記導電性基材と前記対向電極の間に形成され、酸化還元対と、アニオンが二価以上のカルボン酸イオンであるイオン液体とを含む電解質層と、から構成される。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a semiconductor wafer 1; an Al-Si metal layer 2 which is patterned on the wafer 1 and provides a plurality of concaves 9 on the top surface; an oxide film 11 which is formed at the section to which the layer 2 and the wafer 1 are exposed; and Ni plated film 3 and Au plated film 4 which are formed to fill the concaves 9 through the film 11 on the layer 2.
半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 having electrodes 12, resin protrusions 20 formed on a surface 15 whereon the electrodes 12 of the semiconductor substrate 10 are formed, and wiring 30 connected electrically with the electrodes 12 each of which comprises an electrically connective portion 32 disposed on each resin protrusion 20 and a first metal layer 34 and a second metal layer 36 so formed as to cover the first metal layer 34.
半導体装置は、電極１２が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０における電極１２が形成された面１５に形成された樹脂突起２０と、樹脂突起２０上に配置された電気的接続部３２を有し、第１の金属層３４と、第１の金属層３４を覆うように形成された第２の金属層３６とを有する、電極１２と電気的に接続された配線３０と、を含む。 - 特許庁 - The ultraviolet curable resin is supplied to either one of a mold 1 having an optical surface for forming a desired resin layer 5 and a substrate 2 and spread by allowing the mold 1 and the substrate 2 to approach relatively to form the desired resin layer 5 between the mold 1 and the substrate 2 and the resin layer is irradiated with ultraviolet rays to be cured.
所望の樹脂層５を形成するための光学面を有する金型１と基材２のいずれかに紫外線硬化型樹脂を供給し、金型１と基材２とを相対的に接近させて紫外線硬化型樹脂を押し広げて金型１と基材２との間に所望の樹脂層５を形成した後、紫外線の照射により樹脂層を硬化させ、硬化した樹脂層から金型を剥離して複合型光学素子を製造する。 - 特許庁 - The semiconductor optical sensor device comprises a semiconductor substrate, semiconductor layer which is formed on the semiconductor substrate and is divided by an insulation film, first photo diode formed near a surface of the semiconductor layer, second photodiode formed below the first photo diode, and signal processing circuit formed in the semiconductor layer to process output signals of the first and second photodiodes.
半導体光センサ装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜により分離されて形成された半導体層と、前記半導体層の表面近傍に形成された第１のフォトダイオードと、前記半導体層の前記第１のフォトダイオードの下方に形成された第２のフォトダイオードと、前記半導体層に形成された、前記第１及び第２のフォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路とを有する。 - 特許庁 - The electrophotographic photoreceptor used for an image forming apparatus carrying out contact charging has an undercoat layer and a photosensitive layer layered in this order on a conductive supporting body, wherein the undercoat layer contains at least metal oxide particles and a binder resin, the metal oxide particles are subjected to a surface treatment with an organosilicon compound and the binder resin contains a nylon resin into which an alkoxyalkyl group is introduced.
接触帯電を行う画像形成装置に用いる電子写真感光体であって、導電性支持体上に下引き層及び感光層をこの順に有し、下引き層が少なくとも金属酸化物粒子とバインダー樹脂を含有しており、金属酸化物粒子が有機珪素化合物で表面処理されており、かつバインダー樹脂がアルコキシアルキル基を導入したナイロン樹脂を含むように構成して、上記課題を解決した。 - 特許庁 - In the lithographic printing plate material, including a structural layer having a layer, containing a photothermal conversion material on a support, having a hydrophilic surface, and an unexposed part of the lithographic printing plate material which is removable with a developer having pH ranging from 3 to 9, after exposing and recording image information thereon with an infrared laser light source, the structural layer contains thermally molten particles.
親水性表面を有する支持体上に光熱変換材料を含有する層を有する構成層を有する平版印刷版材料を赤外レーザ光源により画像情報を露光記録した後、該平版印刷版材料の未露光部分をｐＨが３から９の範囲の現像液で除去できる平版印刷版材料において、該構成層中に熱溶融粒子を含有することを特徴とする平版印刷版材料。 - 特許庁 - An N-type island shaped region 14 surrounded by a separation region 13 comprises a collector region 16 extending from the upper surface of the epitaxial layer EL to the second buried layer 12, island shaped base regions 15, 17 surrounded by the second buried layer 12 and the collector region 16, and an emitter region 18 whose periphery keeps an approximately constant distance away from the collector region 16.
分離領域１３に囲まれたＮ型の島状領域１４の中に、エピ層ＥＬの上面から第２の埋め込み層１２まで延びるコレクタ領域１６と、第２の埋め込み層１２とコレクタ領域１６に囲まれて島状を呈するベース領域１５、１７と、内側の窓部分よりベース電極を取り出せるようにしたリング状で、その外周がコレクタ領域１６とほぼ一定の距離だけ離れているエミッタ領域１８と、を形成する。 - 特許庁 - Cut grooves 18, arriving at a substrate from a surface oxide film 14, are formed to separate chips 10 of semiconductor circuits on a substrate wafer 11A having a semiconductor layer 13, including many same semiconductor circuits collectively formed on the wafer 11A via an insulating layer 12, the film 14 covering the layer 13 and electrode pads 16 formed at the respective circuits thereon for the substrate.
基板ウエハ１１Ａ上に絶縁層１２を介して、多数の同一の半導体回路が集合的に形成された半導体層１３と、これを覆う表面酸化膜１４と、その上に前記各半導体回路ごとに形成された前記基板のための電極パッド１６とを備えるウエハ１１Ａを前記各半導体回路毎のチップ１０に分離すべく表面酸化膜１４から前記基板に達する切り溝１８をウエハ１１Ａに形成する。 - 特許庁 - In the electrophotographic image receiving material with a thermoplastic resin-containing toner image receiving layer on the substrate, at least one constituent layer of the image receiving material on the side with the toner image receiving layer contains one or more sorts of organic and/or inorganic fine particles and has a surface glossiness Gs (45°) of ≥40 measured at 45° incident angle according to JIS Z 8741.
支持体上に熱可塑性樹脂を含むトナー受像層を有する電子写真用受像材料において、該電子写真用受像材料を構成する層でトナー受像層を設けた側の少なくとも一層が有機及び／または無機の微粒子を１種以上含有し、かつ、ＪＩＳ Ｚ ８７４１に従い入射角４５度で測定した表面光沢度Ｇｓ（４５°）が４０以上であることを特徴とする電子写真用受像材料。 - 特許庁
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