「surface oxidation」を含む例文一覧(1670)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 33 34 次へ＞- To prevent the deterioration of the surface of a wiring due to an oxidation and an increase in the wiring resistance of the wiring, and to realize to raise the electromigration resistance of the wiring.
酸化による配線表面の劣化や配線抵抗の増大を防止でき、エレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁 - To properly remove surface oxidation from selected conductive bodies, while avoiding damaging a memory structure.
メモリ構造に対して損傷を与えることを防止しながら選択された導電体から表面酸化物を適切に除去する。 - 特許庁 - Consequently, the oxidation of the surface of the film 21 can be suppressed and the adhesion between the films 21 and 22 can be improved.
これにより、絶縁膜２１表面の酸化を抑制し、絶縁膜２１と絶縁膜２２の間の接着性を向上できる。 - 特許庁 - To prevent oxidation of a non-joined surface of a processed substrate during peeling processing between the processed substrate and a support substrate, which involves heating processing.
加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。 - 特許庁 - (1) Screening of a damage portion and ranking of an evaluation portion are carried out from the oxidation scale thickness of an outer surface on the water-wall tube furnace side.
（１）水壁管火炉側外面の酸化スケール厚さより、損傷部位のスクリーニング及び評価部位のランキングを行なう。 - 特許庁 - To provide a surface-coated cutting tool having a coat with a superior oxidation resistance under a high temperature and superior toughness.
高温時の耐酸化性に優れるとともに、靭性にも優れた被膜を有する表面被覆切削工具を提供する。 - 特許庁 - To provide a surface covered cermet member capable of improving oxidation resistance while keeping superior performance of a titanium based sintered body.
チタン系焼結体の優れた性能を維持しつつ、耐酸化性を向上できる表面被覆サーメット部材を提供する。 - 特許庁 - The oxidation control layer 4 is composed of the nitride of the lower magnetic layer 3 obtained by nitrifying the surface of the lower magnetic layer 3.
酸化抑制層４は、下部磁性層３の表面を窒化することによって得られた下部磁性層３の窒化物からなる。 - 特許庁 - A moving blade 1 formed of γ' phase precipitation strengthened Ni-base alloy has an oxidation-resistant coating on the surface.
γ’相析出強化型Ｎｉ基合金により形成された動翼１の表面には、耐酸化コーティングが施されている。 - 特許庁 - The silver oxide 140 is formed as the covering layer by conducting the heat treatment in the oxidation atmosphere and oxidizing the surface area of fine particle.
酸化雰囲気中で熱処理をして、微粒子の表面部分を酸化して、被覆層としての酸化銀１４０を形成する。 - 特許庁 - By the covering layer 40, corrosion and formation of a surface oxidation film of the first electrode 13 and the auxiliary wiring 17 are suppressed.
被覆層４０により、第１電極１３および補助配線１７の腐蝕や表面酸化膜の生成が抑えられる。 - 特許庁 - To accurately determines profiles of interface between an oxide film formed by an oxidation process of a surface of a semiconductor film and the semiconductor film.
半導体膜の表面の酸化工程により形成される酸化膜と半導体膜の界面の形状を精度良く求める。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the support for PS plate, surface roughening treatment and anodic oxidation treatment are applied to an aluminum alloy sheet.
アルミニウム合金板に粗面化処理及び陽極酸化処理を施す平版印刷版用支持体の製造方法である。 - 特許庁 - With the silicon nitride film 3 as the anti-oxidation mask, a second oxide film 4b is formed at the bottom surface, the sidewall, and the gap of the groove part.
シリコン窒化膜３を耐酸化マスクとして、溝部の底面、側壁及び隙間に第２の酸化膜４ｂを形成する。 - 特許庁 - When oxidation of the surface of the first conductive film is prevented, the second conductive film can be successfully formed on the first conductive film.
第１導電膜の表面の酸化を防止できれば、第２導電膜を第１導電膜上に良好に形成できる。 - 特許庁 - In the oxidation step, the treatment of oxidizing the cured layer formed on the surface of the resist film pattern by the ion injection is performed.
酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。 - 特許庁 - This method includes arranging the serviced turbine part in a vacuum furnace constituted so as to restrain surface oxidation.
この方法には供用タービン部品を、表面酸化が抑制されるように構成された真空炉の中に配置することを含む。 - 特許庁 - To provide a metallic fine wire excellent in high temp. oxidation resistance and to provide a mat for a surface combustion burner using the metallic fine wire.
耐高温酸化性に優れた金属細線と、この金属細線を用いた表面燃焼バーナ用マットを提供する。 - 特許庁 - With the silicon nitride film 3 as an anti-oxidation mask, a first oxide film 4a is formed on the bottom surface and side wall of the groove part.
次に、シリコン窒化膜３を耐酸化マスクとして、溝部の底面及び側壁に第１の酸化膜４ａを形成する。 - 特許庁 - A thermal oxidation film 113 is formed on a wall surface of the n-type semiconductor substrate 105 defining the through-hole 105c.
貫通孔１０５ｃを画成するｎ型半導体基板１０５の壁面上には、熱酸化膜１１３が形成されている。 - 特許庁 - On the outer circumferential surface of the upper and lower molds of the mold set, an oxidation-resistant film is previously formed uniformly.
この金型組の上金型と下金型の外周面には、予め、耐酸化性皮膜が均一になるよう施されている。 - 特許庁 - The surface of the Ru film is exposed to oxygen atmosphere and subjected to oxidation treatment before reduction treatment by hydrogen plasma, and then cleaned.
酸素雰囲気にさらすことによりＲｕ膜表面を酸化処理し、次に水素プラズマによる還元処理をし、清浄化する。 - 特許庁 - A catalyst layer (5) which keeps the low-temperature oxidation catalyst fixed to a substrate wall surface (4) with a binding component is formed inside the ventilation flue (3).
低温酸化触媒を粘結成分で基材壁面(４)へ固定した触媒層(５)を、通風路(３)の内面に形成する。 - 特許庁 - Oxidation is performed in the state that an upper surface edge part of the Si layer 2 is exposed by eliminating the side wall 8.
そして、ダミーサイドウォール８を取り除くことによってＳｉ層２の上面エッジ部を露出させた状態で酸化を行う。 - 特許庁 - An STI groove 60 is formed on the N-type epitaxial layer 3, and a thermal oxidation film 6 is formed on the concave inner surface of the STI groove 60.
Ｎ型エピタキシャル層３にはＳＴＩ溝６０が形成され、その凹部内面には熱酸化膜６が形成されている。 - 特許庁 - The membrane for culturing the cells has inorganic materials on the surface and/or in the insides of fine pores of an anodic oxidation film of aluminum.
アルミニウムの陽極酸化皮膜の表面および／または細孔の内部に無機材料を有する細胞培養用メンブレン。 - 特許庁 - A metal forming the pulley 5 is a magnesium alloy, and an anodic oxidation coating treatment is applied to the surface of the pulley 5.
このプーリ５を構成する金属は、マグネシウム合金であり、プーリ５の表面には、陽極酸化被膜処理が施されている。 - 特許庁 - Methods of protecting a surface of a copper layer or a copper bonding pad on a semiconductor device against oxidation are provided.
本発明は、半導体デバイス上の銅層又は銅ボンディングパッドの表面を酸化に対して保護する方法を提供する。 - 特許庁 - On the surface of a base material part 10 made of a magnesium alloy, an anodically oxidized coating film layer 11 is formed by an anodic oxidation method.
マグネシウム合金製の基材部１０表面には、陽極酸化法により陽極酸化被膜層１１が形成されている。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of a leakage current by shortening the bird's beak of an element isolation oxide film by preventing unwanted oxidation of the surface of a silicon film.
シリコン表面の不要な酸化を防止して、素子分離酸化膜のバーズビーグを短くし、リーク電流の発生を抑制する。 - 特許庁 - A first cavity 102 is formed from one surface, to join a second cavity forming surface of a silicon base body 100 forming a second cavity 104 communicating with the first cavity from an opposite side surface, to a thermal oxidation vibrating plate surface of a vibrating plate base body 110 composed of a separate silicon support substrate 108 and a thermal oxidation film vibrating plate 106 formed on the surface.
片面から第一の空洞１０２を形成し、反対側の面から前記第一の空洞と連通する第二の空洞１０４を形成したシリコン基体１００の前記第二の空洞形成面と、別のシリコン支持基板１０８とその表面に形成した熱酸化膜振動板１０６からなる振動板基体１１０の熱酸化振動板面を接合する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing an optical waveguide including a process of thermally oxidizing at least a silicon substrate to form a thermal oxidation film to be a lower clad film on the surface of the substrate, the process of forming the thermal oxidation film is a process of forming a thermal oxidation film containing aluminum.
少なくともシリコン基板を熱酸化して下側クラッド膜となる熱酸化膜を基板表面に形成する工程を有する光導波路基板の製造方法において、前記熱酸化膜の形成は、アルミニウムを含有する熱酸化膜を形成する光導波路基板の製造方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing the multilayer printed-wiring board includes a roughening process for roughening a surface 4a by bringing a chemical roughening liquid into contact with the surface 4a of the wiring circuit 4, an oxidation process for oxidizing the surface 4a of the wiring circuit 4 after the roughening process, and a reduction process for reducing the surface 4a of the wiring circuit 4 after the oxidation process.
実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法は、配線回路４の表面４ａに化学粗化液を接触させて表面４ａを粗化する粗化工程と、粗化工程の後に配線回路４の表面４ａを酸化する酸化工程と、酸化工程の後に配線回路４の表面４ａを還元する還元工程とを含む。 - 特許庁 - The production method is for producing a hydrogen separation membrane and involves steps of forming an oxidation suppressing layer for suppressing oxidation of a hydrogen-permeable metal layer on the surface of a hydrogen-permeable metal as a substrate and depositing a catalytic metal active to dissociation or bonding reaction of hydrogen on the surface of the oxidation suppression layer in granular state.
水素分離膜の製造方法であって、基材としての水素透過性金属の表面に、水素透過性金属層の酸化を抑制するための酸化抑制層を形成する工程と、酸化抑制層の表面に水素の解離もしくは結合反応に活性のある触媒金属を粒子状に付着させる工程と、を備える。 - 特許庁 - The oxidation resistant carbonaceous material is formed by applying the oxidation resistant coating film (preferably, a laminated body containing a boron-containing layer 2 and an oxide ceramic layer 3) on the surface of a carbonaceous material 1 and the adhesive strength of the oxidation resistant coating film to the surface of the carbonaceous material is ≥2 MPa.
炭素質材料１の表面に耐酸化性皮膜（好ましくは、ホウ素含有層２及び酸化物セラミックス層３を含む積層体）を被覆してなる耐酸化性炭素質材料であって、前記耐酸化性皮膜の、前記炭素質材料の表面に対する接着強度が、２ＭＰａ以上であることを特徴とする耐酸化性炭素質材料。 - 特許庁 - In this surface treated aluminum material 1, the anodic oxidation film 2 is formed on the surface of aluminium or the aluminium alloy, the anodic oxidation film 2 has further fine pores 5 inside pores 4 of a porous layer 3 and, thereby, the adhesion with the laminating resin material is improved.
アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面に陽極酸化皮膜２が形成された表面処理アルミニウム材１であって、その陽極酸化皮膜２が、ポーラス層３の孔４の内部に微細な細孔５を有することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁 - A method for forming a corrosion resistant film on a zinc surface is characterized in that (1) the zinc surface is subjected to oxidation treatment, (2) the zinc surface subjected to the oxidation treatment is brought into contact with a coating treatment liquid containing a silicic compound having a pH of 9 to 14, or the steps of (1) and (2) are simultaneously performed.
本発明は、（１）亜鉛表面を酸化処理し、（２）当該酸化処理した亜鉛表面に、ｐＨが９〜１４の珪酸化合物を含有するコーティング処理液を接触させるか、又は（１）及び（２）の工程を同時に行うことを特徴とする、亜鉛表面に耐食性被膜を形成させる方法を提供する。 - 特許庁 - At least, a step 20 for preparing a substrate with an insulation layer on a surface, a step 24 for applying ultraviolet rays to the surface of the insulation layer, a step 26 for performing the oxidation treatment of the surface of the insulation layer after applying ultraviolet rays, and a step 29 for providing a conductor layer on the insulation layer after the oxidation treatment, are included.
少なくとも表面に絶縁層を有する基板を準備するステップ２０と、絶縁層表面に紫外光を照射するステップ２４と、紫外光照射後の絶縁層表面を酸化処理するステップ２６と、酸化処理後の絶縁層上に導体層を設けるステップ２９とを含む。 - 特許庁 - A surface of the at least one blind via is passivated by an oxidation material, and a seed material 228 containing copper is formed on the surface of the oxidation material of the at least one blind via so as to confine the seed material inside the at least one blind via and expose the first surface of the substrate.
酸化材料によって前記少なくとも１つのブラインドビアの表面をパッシベーションし、少なくとも一つのブラインドビアの酸化材料の表面に銅を含むシード材料２２８を、シード材料を前記少なくとも一つのブラインドビアの内部に閉じ込め、かつ、基板の前記第１の表面を露出させるように形成する。 - 特許庁 - To provide equipment which is high in productivity, with which a series of treatments including heating treatment before hot-working following the forming of an oxidation preventing film after forming an oxidation preventing film by applying chemical to the surface of a metal sheet.
金属板の表面に薬剤を塗布することで酸化防止皮膜を形成した後、それにつづく熱間加工前の加熱処理も含めた一連の処理を効率よく行える、生産性の高い設備を提供する。 - 特許庁 - In the semiconductor storage device according to an embodiment, an oxidation film is formed on a substrate surface between mutually-adjacent selection transistors, and a cross section in a direction vertical to the predetermined direction below the oxidation film has a convex shape.
実施形態の半導体記憶装置は、互いに隣接する選択トランジスタ間の基板表面に酸化膜が形成され、その下の所定方向に垂直方向の断面が凸型形状になっている。 - 特許庁 - The wiring board includes a metallic core substrate 1, an oxidation-resisting coating layer 2 formed over the entire surface of the core substrate 1, an insulating layer 3 formed on the oxidation-resisting coating layer 2, and a wiring layer 4.
本発明の配線基板は、金属製のコア基板１と、このコア基板１の全面に形成された耐酸化性被覆層２と、耐酸化性被覆層２の上に形成された絶縁層３と、配線層４とを備える。 - 特許庁 - The silicon wafer is cut out from the silicon single crystal grown by the CZ method and doped with the nitrogen, and generates the oxidation-induced stacking faults in a density of ≥103/cm2 on the surface, when a high temperature oxidation treatment is applied.
(2) ＣＺ法によって窒素をドープして育成されたシリコン単結晶から切り出され、高温酸化処理を施した場合にその表面に10^3/cm^2以上の酸化誘起積層欠陥が発生するシリコンウェーハである。 - 特許庁 - On a Cu wiring layer 2 formed on the surface of a BGA package 1, an Ni junction layer 3 and an oxidation prevention layer 4 are laminated by an electroless plating method, and flux 5 is so applied as to cover the oxidation prevention layer 4.
ＢＧＡパッケージ１表面に形成したＣｕ配線層２上に、Ｎｉ接合層３と酸化防止層４とを無電解メッキ法で積層して形成し、酸化防止層４を覆うようにしてフラックス５を塗布する。 - 特許庁 - The amount of the -OH groups or the like existing on the surface, which reduces the oxidation reduction resistance can be reduced in the reaction process or the like, and the oxidation reduction resistance of the manufactured separator for the lithium battery can be enhanced.
つまり、反応工程等によって、耐酸化還元性を低下させている表面に存在する−ＯＨ基等の存在量を減少でき、製造されるリチウム電池用セパレータの耐酸化還元性を向上できる。 - 特許庁 - To prevent oxidation combustion of impurity during removing work of the impurity by enabling oxidation prevention gas or combustion prevention gas to be spouted to a scooping part from a handle part of a removing implement thereby protecting the impurity scooped up from molten metal surface by gas atmosphere.
除去具の柄部から掬い部に酸化防止ガス又は防燃ガスを噴出できるようにして、溶湯面から掬い取った不純物をガス雰囲気で保護し、除去作業中での不純物の酸化燃焼を防止する。 - 特許庁 - (2) In the fuel cell interposing the membrane-electrode assembly between the pair of separators, the catalyst 50 is arranged on the surface of only an oxidation gas passage out of a fuel gas passage and the oxidation gas passage of the separator.
（２）膜−電極アッセンブリを一対のセパレータで挟んだ燃料電池であって、セパレータの燃料ガス流路と酸化ガス流路のうち酸化ガス流路２８のみの表面に触媒５０を設けた燃料電池。 - 特許庁 - To provide a plasma surface layer heating device having a structure for reducing an oxygen concentration in order to prevent the oxidation of the surface of a slab when the surface of the continuously cast slab of steel is heated with plasma while being sealed with a shielding gas, and to provide a plasma surface layer heating method.
鋼の連続鋳造鋳片の表面をシールドガスでシールしつつプラズマにより加熱するに際し、鋳片表面の酸化防止のため、酸素濃度を低くする構造のプラズマ表層加熱装置およびプラズマ表層加熱方法を提供する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR OXIDATION APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF SURFACE EMITTING LASER ELEMENT USING IT, SURFACE EMITTING LASER ARRAY PROVIDED WITH SURFACE EMITTING LASER ELEMENT MANUFACTURED BY THE SAME, OPTICAL TRANSMITTING SYSTEM EQUIPPED WITH SURFACE EMITTING LASER ELEMENT MANUFACTURED BY THE METHOD OR SURFACE EMITTING LASER ARRAY AND IMAGE FORMING DEVICE
半導体酸化装置、それを用いた面発光レーザ素子の製造方法、その製造方法によって製造された面発光レーザ素子を備えた面発光レーザアレイ、その製造方法によって製造された面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光伝送システムおよび画像形成装置。 - 特許庁 - To provide a long-lasting die which has a surface coating film and has improved thermal crack resistance and oxidation resistance.
耐熱亀裂性及び耐酸化性を同時に向上させる表面被膜を有する長寿命の金型等を提供することである。 - 特許庁
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