「tan」を含む例文一覧(656)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 13 14 次へ＞- METHOD OF ACHIEVING HIGH ADHESION PROPERTY OF THIN CVD COPPER FILM ON TAN SUBSTRATE
ＴａＮ基板上でのＣＶＤ銅薄膜の高密着性を達成する方法 - 特許庁 - The value of θ in the tan-1θ=a/b (numerical formula 1) for the metering cap 106 is 45° or less.
計量キャップ１０６では、tan^-1θ＝ａ/ｂ（数式１）におけるθの値が４５°以下である。 - 特許庁 - The barrier metal layer BMTL includes a multilayer of Ti/TiN, a TaN layer, a WN layer, and the like.
バリアメタル層ＢＭＴＬはＴｉ／ＴｉＮ積層や、ＴａＮ、ＷＮその他様々考えられる。 - 特許庁 - A diffusion barrier layer is formed of a TiN layer, a Ta layer, a TaN layer or a TaSix layer.
拡散バリア層はＴｉＮ層、Ｔａ層、ＴａＮ層またはＴａＳｉｘ層で形成する。 - 特許庁 - Various materials such as Ti/TiN laminate, TaN, or WN can be used for the barrier metal layer BMTL.
バリアメタル層ＢＭＴＬはＴｉ／ＴｉＮ積層や、ＴａＮ、ＷＮその他様々考えられる。 - 特許庁 - To provide a rubber composition for a tire being excellent in low heat generation property (tan δ) and being excellent in breaking strength.
低発熱性（ｔａｎδ）に優れ、かつ、破断強度に優れたタイヤ用ゴム組成物を提供する。 - 特許庁 - A TaN film 11 and a Cu film 12 are deposited sequentially on an insulating film 10 in which a trench is formed.
トレンチを形成した絶縁膜１０上にＴａＮ膜１１、Ｃｕ膜１２を順次堆積する。 - 特許庁 - Upper electrodes 406 of TiN or TaN on an oxide layer protect the oxide from Ti reducing the oxide layer and deteriorating dielectric characteristics.
最後に上部電極層が、この誘電体材料層の上に形成される。 - 特許庁 - Alternatively, tan electrically conductive resin is employed for a base material for the artificial nail 1.
あるいは、付け爪１の、ベース材料自体に電気伝導性樹脂を用いる。 - 特許庁 - Then, the TaN film 108 on the FSG film 105 is removed by second grinding.
次に、第２研磨でＦＳＧ膜１０５上のＴａＮ膜１０８を除去する。 - 特許庁 - To provide a TaN film for a semiconductor device having an improved in-plane uniformity of thickness of a formed film.
膜厚の面内均一性を高めた半導体デバイス用ＴａＮ膜を提供する。 - 特許庁 - That is, a light beam from each of the projectors 61 and 65 satisfies θ>tan^-1(W/D).
つまり、プロジェクタ６１及びプロジェクタ６５からの光線がθ＞ｔａｎ^−１（Ｗ／Ｄ）を満たす。 - 特許庁 - The thickness (h) of a mask 13 and opening width (w) are set so that they satisfy h≥(w/2) tan θ.
マスク１３の厚みｈ、開口幅ｗは、ｈ≧（ｗ／２）tanθを満たすように設定する。 - 特許庁 - During the time of the second head of the family, Shirobei, the family owned the fields measuring 2 cho 6 tan 7 se and 2 bu according to the cadastral register of 1680, and during the time of the third head Jihei, the family owned the fields measuring 4 cho 9 tan and 8 se.
二代四郎兵衛の頃、延宝八年（1680年）検地帳に、二町六反七畝二歩の田と一町五反四畝二歩の畑を所有、三代治兵衛の頃には、田畑四町九反八畝の地主になった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - According to `Sassyu Kagoshima shuchu residence cadastral register' established in 1636, "Naka Yashiki 3 tan (1 tan = length app 10.6m and width app. 34cm) 6 se (1 se = approximately 99.174 m.sq.) 20 bu NAKANISHI Nagato no kami (Governor of Nagato Province) dono" is described in "Nippori noue."
寛永13年；この年作成の「薩州鹿児島衆中屋敷御検地帳」によると、『新堀の上』に『中屋敷 3反6畝20分 中西長門守殿』とある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - Donated to the Ise-jingu Shrine were 'profits from use of the land,' (about 27 liters per a tan [an old unit indicating an area of land, which is 991.7 square meters] of a rice paddy and about nine liters per a tan of a field of crops other than rice, which are significantly high rates for that time), and 'local products,' (100 Japanese pheasants and 30.03 meters of salted salmon).
「地利の上分」（田１段（反）につき1斗5升、畠１段につき5升、当時としてはかなりの高率）と、「土産のもの」（雉100羽、塩曳き鮭100尺）を、伊勢神宮に納める - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス - A semiconductor device including poly-Si comprises a TaN_X material layer and a poly-Si layer on the TaN_X material layer.
ポリシリコンを含む半導体素子において、ＴａＮ_Ｘ物質層と、ＴａＮ_Ｘ物質層上に形成されたポリシリコン層と、を備えるポリシリコンを含む半導体素子である。 - 特許庁 - A wiring film is equipped with a TaN film formed using the above sputtering target, and concretely the wiring film is equipped with a barrier layer of a TaN film and a Cu film formed on it.
配線膜はこのようなスパッタターゲットを用いて成膜したＴａＮ膜を具備し、具体的にはＴａＮ膜からなるバリア層とその上に形成されたＣｕ膜とを有する。 - 特許庁 - By depositing the TaN film by means of reactive sputtering using such a sputtering target, the TaN film (barrier layer) excellent in Cu barrier property can be obtained with superior reproducibility.
このようなスパッタリングターゲットを用いて、化成スパッタによりＴａＮ膜を成膜することによって、Ｃｕバリア性に優れるＴａＮ膜（バリア層）が再現性よく得られる。 - 特許庁 - To provide a method for producing a modified rubber obtained by modifying a diene rubber and having a lowered tan δ value in the viscoelasticity test, that is, having lowered heat generating properties.
ジエン系ゴムを変性した変性ゴムであって、粘弾性試験におけるtan δの値を低下せしめ、すなわち発熱性を低下せしめた変性ゴムの製造法を提供する。 - 特許庁 - Then to remove the barrier layer 12 and control dishing to less than 100 Å, selective buff processing is made concerning Cu: Ta or TaN and Cu: silicon dioxide.
次に、障壁層12を取り除き100Å以下にディッシングを制御するために、Cu：Ta又はTaN及びCu：二酸化珪素に関して、選択的にバフ加工を行う。 - 特許庁 - To improve the Cu barrier property of TaN film the superior reproducibility in depositing a TaN film used, e.g. as a barrier layer for a Cu wiring film by means of reactive sputtering using a Ta target.
Ｃｕ配線膜に対するバリア層などとして用いられるＴａＮ膜を、Ｔａターゲットを用いて化相スパッタすることにより形成する際に、ＴａＮ膜のＣｕバリア性をより一層かつ再現性よく高める。 - 特許庁 - To provide a vibration-proof/vibration-damping/sound-absorbing material having essentially low outgassing property and comprising a thermoplastic polymer material having a peak temperature of loss coefficient (tan δ) around under a room or outdoor temperature condition.
本質的に低アウトガス性を有し、しかも室温もしくは外気温度条件下付近に損失係数(tan δ)のピーク温度を有する熱可塑性高分子材料よりなる防振・制振・吸音材料を提供する。 - 特許庁 - The inclination angle of the chain coming-off prevention surfaces 2f is set to θ<tan^-1 (μ), where a friction coefficient between the power transmission chain 1 and sheave surfaces 2c, 2d is represented as μ.
チェーン抜け止め面2fの傾斜角度は、動力伝達チェーン1とシーブ面2c,2dとの間の摩擦係数をμとして、θ＜tan^−１（μ）とされている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of forming a thin-film resistor having a small TCR (temperature coefficient of resistance) value and formed of a TaN film ensuring a practically necessary film thickness while preventing TaN film damage in forming a wiring of the resistor.
ＴＣＲ値が小さく、実用上必要な膜厚を確保できるＴａＮ膜からなる薄膜抵抗体を、その配線形成時のＴａＮ膜の損傷を防止して形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - This bittern bean curd is produced using a coagulant consisting mainly of bittern; wherein G' and G" each representing the physical measurement value of the bean curd are respectively ≥11,000 and ≥2,000, and also Tan (δ) is ≤0.185.
苦汁を主体とする凝固剤を用いた豆腐において、その豆腐の物測値であるＧ' が11000 以上、Ｇ" が2000以上であり、且つTan(δ）が0.185以下の物性を有する苦汁豆腐。 - 特許庁 - To provide a glass laminate for a car capable of developing high tan δ capacity, high transparency and high sound insulating effect in a temp. region and frequency region to be used in a car.
自動車で使用する温度領域並びに周波数領域で高いtan δ性能を発現し、高い透明性を発現すると共に高い防音効果を発現し得る自動車用ガラス積層体を提供すること。 - 特許庁 - The smoothing layer 54 is preferably formed of SiN or SiO_2, on the other hand, the binder layer 56 is formed of an N-rich TaN compound which has an N/Ta ratio of 1 or above or an amorphous TaN compound.
平滑化層５４は、好ましくはＳｉＮ又はＳｉＯ_2からなり、一方、バインダ層５６は、Ｎ／Ｔａが１を超えるＮリッチなＴａＮ化合物、又は、アモルファスＴａＮ化合物からなる。 - 特許庁 - To provide a rubber composition which has high tan δ at temperatures near to 0°C and 30°C, and low tan δ at temperature near to 60°C, and can improve the dry performance, wet performance and low fuel cost of tires.
0℃付近及び30℃付近でのtanδが高く、60℃付近でのtanδが低く、タイヤのドライ性能及びウェット性能、並びに低燃費性を向上させることが可能なゴム組成物を提供する。 - 特許庁 - The lip portion 13 (hereinafter the whole of an elastic element 3) made from a rubber molding element of the seal 1 is formed to have the maximum value of a loss tangent (tan δ) at a temperature of 20°C to 70°C of not more than 0.40.
シール１のゴム成形体からなるリップ部１３（ここでは弾性体３の全体）を、温度２０℃〜７０℃での損失正接（tan δ）の最大値が０．４０以下となるように形成する。 - 特許庁 - The spectrum of cos Δ, tan Ψ that follow change of measurement light is measured: where a phase difference between p-direction component and s-direction component of reflected light which is a polarized elongated light is Δ and an amplitude ratio between them is Ψ.
そして、楕円偏光となった反射光のうちｐ方向の成分とｓ方向の成分との位相差をΔとし両者の振幅比をΨとしたときに、測定光の変化に伴うcos Δ，tan Ψのスペクトルを測定する。 - 特許庁 - As toner stored in a developing device; the toner in which the range of tangent loss tanδ(=G"/G') obtained when loss elastic modulus G"(ω) is 1×104 [Pa] is 0.5≤tanδ≤7.0 is used when complex elastic modulus being dynamic visco-elasiticity characteristic is G=G'+iG".
現像装置内に収容されるトナーとしては、動的粘弾性特性である複素弾性率をＧ＝Ｇ’＋ｉＧ”とすると、損失弾性率Ｇ”（ω）が10^4 [Pa]のときの正接損失tan δが、0.5 ≦tan δ≦7.0 の範囲のものが用いられる。 - 特許庁 - The width of the sound suppression sheet 11 is 10-90% of tread grounding width TW, the thickness thereof is 30-100μm, and a tangent loss (tan δ) at 25°C is set to be 0.03-0.08.
制音シート１１は、その巾Ｗがトレッド接地幅ＴＷの１０〜９０％、かつ厚さが３０〜１００μｍであり、しかも２５℃における正接損失（tan δ）を０．０３〜０．０８とした。 - 特許庁 - When the dynamic viscoelasticity of the composition is measured at a frequency of 6.28 rad/s and at 0-100°C, the peak temperature of tan δ is 40°C or higher and the tan δ at 30°C is 0.05 or higher.
この樹脂組成物は、周波数6.28rad/s 、０〜 100℃の範囲で動的粘弾性を測定した際の tanδのピーク温度が40℃以上であり、かつ、30℃における tanδが0.05以上である。 - 特許庁 - An integration circuit 35 generates an Rad tilt calculation signal by integrating a Tan tilt detection signal outputted by a Tan (tangential) tilt sensor 17 with a rotation angle based on a rotation signal outputted by a spindle motor 2.
積分回路３５は、Ｔａｎ（タンジェンシャル）チルトセンサ１７が出力したＴａｎチルト検出信号を、スピンドルモータ２が出力する回転信号を基に、回転角で積分してＲａｄチルト演算信号を生成する。 - 特許庁 - To provide a rubber composition which has a high tan δ at temperatures near to 0°C and 30°C, and a low tan δ at temperature near to 60°C, and can improve the dry performance, wet performance and low fuel cost of tires.
0℃付近及び30℃付近でのtanδが高く、60℃付近でのtanδが低く、タイヤのドライ性能及びウェット性能、並びに低燃費性を向上させることが可能なゴム組成物を提供する。 - 特許庁 - In a semiconductor device, the laminated film of a Ta film and a TaN film is interposed between the insulating film having the Si-H coupling and Cu wiring as the barrier metal film, with the TaN film being positioned on the insulating film side.
Ｓｉ−Ｈ結合をもつ絶縁膜とＣｕ配線との間にバリアメタル膜としてＴａ膜とＴａＮ膜との積層膜が、ＴａＮ膜が絶縁膜側となるように介在させる。 - 特許庁 - A universal primer for amplifying the first adhesive protein of the barnacle is represented by TCN CAR GGN ATH CAR CC, AGY CAR GGN ATH CAR CC, GGN ACN ARD ATR TT, ADNACR TTY TGR TAY TCR AA, TGN GGD ATN ACR TAN CC, ATN ARD ATN GTR TG, AAY ATH YTN GTN CC, TTY GAR TAY CAR AAY GTN HT, or GGN TAY GTN ATH CCNCA.
TCN CAR GGN ATH CAR CC、AGY CAR GGN ATH CAR CC、GGN ACN ARD ATR TT、ADNACR TTY TGR TAY TCR AA、TGN GGD ATN ACR TAN CC、ATN ARD ATN GTR TG、AAY ATH YTN GTN CC、TTY GAR TAY CAR AAY GTN HT、又はGGN TAY GTN ATH CCNCAで表されるフジツボ第１接着タンパク質遺伝子増幅用ユニバーサルプライマー。 - 特許庁 - α_1≤α≤α_2, α_1=tan^-1[(D/2)×(1/L)], α_2=tan^-1(D/L), where L is the length from the shaft end face of the step part, and D is the diameter of the shaft part from the shaft end part to the step part.
α_1 ≦α≦α_2 α_1 ＝ｔａｎ^-1［（Ｄ／２）×（１／Ｌ）］ α_2 ＝ｔａｎ^-1（Ｄ／Ｌ） ただし、Ｌは軸端面から段付部までの長さ、Ｄは軸端面から段付部までの軸部分の直径である。 - 特許庁 - A lip portion 13 (here, the whole elastic body 3) constituted of a molded rubber of the seal 1 is formed so as to have a maximum value of loss tangent (tan δ) of not less than 0.08 and not more than 0.19 in the temperature range of 20 to 70°C.
シール１のゴム成形体からなるリップ部１３（ここでは弾性体３の全体）を、温度２０℃〜７０℃での損失正接（tan δ）の最大値が０．０８以上０．１９以下となるように形成する。 - 特許庁 - The expression 1: 0<πtan(α/2)tan(β/2)<0.015 (in the case that a converged light image is circular or elliptic), 0<4tan(α/2)tan(β/2)<0.015 (in the case that a converged light image is almost rectangular).
０＜πｔａｎ（α／２）ｔａｎ（β／２）＜０．０１５（集光された光像が円、楕円の場合） ０＜４ｔａｎ（α／２）ｔａｎ（β／２）＜０．０１５（集光された光像が略矩形の場合） - 特許庁 - The arranged non-foamed base rubber layer 3d is a rubber having a tan δ value lower than the non-foamed cap rubber layer 3c, preferably having a tan δ value being 0.18 or less at 20 degrees C.
未発泡ベースゴム層３ｄとして未発泡キャップゴム層３ｃよりもｔａｎδ値が低いゴム、好ましくは２０℃でのｔａｎδ値が０．１８以下のゴムが配設されている。 - 特許庁 - The TaN film for the semiconductor device is a TaN film used as a barrier layer to a wiring film made of Cu or Cu alloy, and is characterized by having 5% or less of the in-plane uniformity of thickness of the formed film.
半導体デバイス用ＴａＮ膜はＣｕまたはＣｕ合金からなる配線膜に対するバリア層として用いられるＴａＮ膜であって、膜厚の面内均一性が5％以下とされている。 - 特許庁 - The lip part 13 (the whole elastic body 3) formed of a molded rubber of the seal 1 is formed to have a maximum value of loss tangent (tan δ) of 0.40 or less in a temperature range of 20-70°C.
シール１のゴム成形体からなるリップ部１３（ここでは弾性体３の全体）を、温度２０℃〜７０℃での損失正接（tan δ）の最大値が０．４０以下となるように形成する。 - 特許庁 - The friction coefficient μ corresponding to the temperature is obtained by the formula expressed by the sum of the term of adhesion A × s/W and the term of histeresis k × tan δ × E'^-n/W by using the obtained values, respectively.
得られた値をそれぞれ用いて、凝着の項Ａ・ｓ／Ｗとヒステリシスの項ｋ・tan δ・Ｅ’^-n／Ｗとの和で表す式により、温度に対応した摩擦係数μを求める。 - 特許庁 - The vibration-proof/vibration-damping/sound-absorbing material comprises a thermoplastic fluorine-containing copolymer having a peak temperature of loss coefficient (tan δ;1 Hz) ranging from 0 to 70°C and a peak strength of 0.05 or more.
損失係数(tan δ;1Hz)のピーク温度が0〜70℃であり、かつピーク強度が0.05以上である熱可塑性含フッ素共重合体よりなる防振・制振・吸音材料。 - 特許庁 - Further, in the above rheological characteristics mentioned, it is especially preferable that the product of tan δ at 120°C and the distortion quantity is 15 to 25, the storage modulus G' is ≤1,000 Pa and a temperature at which the tan δ is higher by 4 or more than the tan δ at a temperature lower by 5°C is ≥170°C.
このトナーの上記レオロジー特性では、１２０℃のｔａｎδと歪み量γとの積が１５以上、２５以下であること、貯蔵弾性率Ｇ’が１０００Ｐａ以下であり、かつ、５℃低い温度でのｔａｎδに比べて、ｔａｎδが４以上大きくなる温度が１７０℃以上であることが、それぞれ特に好ましい。 - 特許庁 - A rotation angle device calculates tan θ from a cos θ signal and a sin θ signal, obtained by filtering the double frequency modulated components of the signal output by the resolver, in response to the rotation angle θ of the output shaft of the motor by the low-pass filters 55, 57, and retrieves the rotation angle θ by applying the value of the tan θ to a tan θ to θ conversion map 59.
回転角検出装置は、モータの出力軸の回転角θに応じてレゾルバが出力する信号の倍調成分をローパスフィルタ５５，５７で濾波したｃｏｓθ信号およびｓｉｎθ信号からｔａｎθを算出し、ｔａｎθの値をｔａｎθ→θ変換マップ５９に適用して回転角θを検索する。 - 特許庁 - English breed of small short-legged terrier with a straight wiry red or grey or black-and-tan coat and erect ears
英国原産の小型の短足のテリアで、まっすぐで針金のような赤色、灰色、または黒褐色の被毛とピンと立った耳を持つ - 日本語WordNet - a lightweight belted raincoat typically made of tan gabardine with a distinctive tartan lining
一般的に特徴的な格子縞の線のある黄褐色のギャバジンでできている軽量ベルト付きのレインコート - 日本語WordNet
- 特許庁
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