「upper- layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 183 184 185 186 187 188 189 190 191 .... 221 222 次へ＞- To provide a treating apparatus for molten metal in which the molten metal having a desired depth can be left at the bottom part of a pouring basin and a treating vessel can surely be air-tightly sealed to the atmosphere at the upper part of the molten metal by which molten metal layer.
貯留槽の底部に所望の深さの溶湯を残留させることができ、この溶湯層によって処理槽を溶湯上方の大気に対して確実に気密シールすることができる溶湯処理装置を提供する。 - 特許庁 - The user of the terminal unit selects, as a connection target candidate, at least one terminal unit among the plurality of terminal units of which participation statuses are displayed, and connects the above connection target candidate as an upper layer terminal unit.
端末装置の利用者は、参加状況を表示した複数の端末装置のうち少なくとも一つの端末装置を接続先候補として選択し、この接続先候補を上層の端末装置として接続する。 - 特許庁 - Antiferromagnetic layers 41 and 42 have lower surfaces partially overlapping the upper surface of the free layer 301 of the MR film 300 and exchange bonding takes place at the overlapped part thus applying a bias field due to exchange bonding to the MR film 300.
反強磁性層４１、４２は、下面がＭＲ膜３００のフリー層３０１の上面と、部分的に重なり、重なり部分で交換結合を生じ、ＭＲ膜３００に交換結合によるバイアス磁界を印加する。 - 特許庁 - On the other hand, on the second inter-layer film 20, there are provided main wiring 36 of X-bridge wiring 31 and main wiring 36 of Z-detection upper electrode wiring 33 in a direction crossing the inter-element wiring 43.
一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。 - 特許庁 - In the control rod guide thimble tube 2 of a fuel assembly for a pressurize water reactor, an inner surface treatment layer (a) is formed in the inner surface of the thimble tube 2, in the range starting from the upper end, to the location of a dashpot part (b).
加圧水型原子炉用燃料集合体の制御棒案内シンブル管２において、シンブル管２内面に、上端からダッシュポット部ｂ位置までの範囲において内面処理層ａを形成した。 - 特許庁 - An NiSi layer 102 is formed on the upper surface of a semiconductor substrate 101, then, an interlayer insulating film 103 is deposited on the semiconductor substrate 101, and the contact hole 104 is formed on the interlayer insulating film 103 thereafter.
半導体基板１０１の上面にＮｉＳｉ層１０２を形成し、半導体基板１０１の上に層間絶縁膜１０３を堆積した後、層間絶縁膜１０３にコンタクトホール１０４を形成する。 - 特許庁 - Preferably, a gold (Au)-made conductive bump is formed on the passivation layer and makes electrical contact with the upper surface region which extends via the opening in the passivation and to which the contact pad is exposed.
好適には金（Ａｕ）からなる導電性バンプが該パッシベーション層の上に形成されて該パッシベーションにおける開口を介して延在し該コンタクトパッドの露出されている上表面区域と電気的に接触している。 - 特許庁 - A sewage treating device having the anaerobic treating tank 1 is provided with a carrier layer 4 filled with soft porous carriers 3 having water absorbing property and water holding property at the upper part in the neighborhood of the water surface A of the anaerobic tank 1.
嫌気処理槽１を有する汚水処理装置に於いて、嫌気処理槽１の水面Ａ付近の上方に、吸水性及び保水性を有する軟質の多孔質担体３を充填した担体層４を設ける。 - 特許庁 - In the method for removing the slag 5 on the upper layer of the molten iron from a furnace opening part by sidewise tilting the converter while leaving the molten iron 4 in the converter, the removal of the slag is performed while adjusting the tilting speed of the converter so as to satisfy expression (1), T2/T1≥2.1.
溶鉄４を転炉内に残したまま、転炉を横転させて溶鉄の上層のスラグ５を炉口から排滓する方法において、転炉の傾動速度を式（１）を満足するように調整しながら排滓する。 - 特許庁 - To provide an elevator supporting structure which can follow the relative displacement of lower and upper structures 11 and 12 of a building by a base-isolated layer 13, without constructing a special framework around an elevator shaft 22a.
エレベーターシャフト２２ａの周囲に特別な骨組を構築することなく、免震層１３による建物の下層構造体１１と上層構造体１２の相対変位に追随可能なエレベーター支持構造を提供する。 - 特許庁 - The difference in oxidizing speed of an oxide film by thermal oxidation between a polysilicon of a gate electrode 13 and a semiconductor substrate is utilized to form an inter-layer insulating film 17 embedded in the opening part of a trench 7 at the upper part of the gate electrode 13.
ゲート電極１３のポリシリコンと半導体基板の熱酸化による酸化膜の酸化速度の違いを利用し、ゲート電極１３上部のトレンチ７開口部に埋め込まれた層間絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁 - The LED carrier includes a metallic core jointed with a circuit layer having a mounting pad on an upper face for mounting each LED and a connector, and the connector offer connection to a circuit conductor connected with the mounting pad.
ＬＥＤキャリアは、上面が各ＬＥＤおよびコネクタのための装着パッドを有する回路層に結合された金属コアを含んでおり、コネクタは、装着パッドに接続された回路導体への接続を提供する。 - 特許庁 - To provide a highly usable drawer cabinet facilitating the arrangement of articles stored in an upper-layer side drawer immediately before and, even if an article having an extremely large height, storing it in a drawer.
直前まで上段側の引出しに収納されていた物品整理が容易で、高さが著しく大きな物品であっても引出し内に収納できる使い勝手の良い引出しキャビネットを提供を提供すること。 - 特許庁 - An auxiliary pad 2 formed by laminating soft/hard layers and a polishing pad 3 are secured by this order to an upper surface of a polishing base 1, the hard layer of the auxiliary pad 2 is opposed to the polishing base 1.
研磨台１の上面には、軟質層及び硬質層を積層してなる補助パッド２及び研磨パッド３がこの順番で固着してあり、補助パッド２は硬質層が研磨台１に対向させてある。 - 特許庁 - In a purifying layer 10 composed of cobble stones (a) or the like, a plate 5 is laid on the under surface, a cleaning pipe 8 is arranged in the recessed part (a groove) 7, and a purifying body such as the cobble stones (a) is filled in the upper surface.
玉石ａなどから成る浄化層１０はその下面に板５を敷き、その凹部（溝）７に洗浄管８を配置するとともに、上面に玉石ａなどの浄化体を充填したものである。 - 特許庁 - The exterior wall 2 of a lower floor and the exterior wall 3 of an upper floor are continued, and only the exterior wall 2 of the lower floor has an air flow path (an air layer) 5 on the inside of a sheathing material 6 forming the external surface of the exterior wall 2.
下階の外壁２と上階の外壁３とが連なっており、下階の外壁２のみが外壁２の外表面を形成する外装材６の内側に空気流通路（空気層）５を備えている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a thin film magnetic head which allows the throat height of a recording head to be controlled precisely, allows not only a magnetic pole tip but an upper magnetic pole layer to be processed ultra-finely with submicron-width precision.
記録ヘッドにおけるスロートハイトの正確な制御が可能であり、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロン幅の極微細加工が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The substrate 2 has a hemispherical projection portion 13 formed on the backside 14 on the opposite side from the upper surface where the nitride semiconductor layers are formed by removing a processing deterioration layer on the backside 14.
基板２において、窒化物半導体層が形成された表面と反対側の裏面１４には、裏面１４の加工変質層を除去することにより形成された半球状の凸部１３が形成される。 - 特許庁 - In the atmosphere an inert gas, sputtering is executed using a second target comprising tungsten to deposit it on a tungsten film 105, which is to be come the upper layer part of the gate electrode on the tungsten nitride film 104.
不活性ガスの雰囲気中において、タングステンからなる第２のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、タングステン窒化膜１０４の上に、ゲート電極の上層部となるタングステン膜１０５を堆積する。 - 特許庁 - The conductive impurity region 3 for transferring the electric signal from the light receiving element 14 to the signal processing circuit 15 is formed from the bottom of the trench as far as the upper surface of the semiconductor growth layer 2.
受光素子１４からの電気信号を信号処理回路１５へ伝送するための導電性不純物領域３は、トレンチの底部から半導体成長層２の上面まで至るように形成されている。 - 特許庁 - In this case, preferably, the magnet layer 4 is constituted by providing the magnet capsules 5 with connection links 7 at upper and lower parts and vertically connecting many magnet capsules 5 by passing a connection thread 9 through the links 7.
好ましくは、前記磁石層４は、前記磁石カプセル５が上下に連結リングを備えていて、そこに連結糸を通すことによって多数の磁石カプセルが縦向きになって連結されて構成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor laser device capable of suppressing increase of contact resistance between an upper electrode and a semiconductor layer and decreasing an operational voltage of the laser element, and a method of manufacturing the same.
半導体レーザ素子において上部電極と半導体層とのコンタクト抵抗の増加を抑制し、レーザ素子の動作電圧を低減させ得る半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁 - Moreover, a wiring electrode 108 for connecting the lower electrode 102 and the upper electrode 103 to an input/output electrode 107 is prepared on one side principal plane and the other side principal plane of the piezoelectric material layer 101, respectively.
また、下部電極１０２及び上部電極１０３を入出力電極１０７に接続するための配線電極１０８が、圧電体層１０１の一方主面及び他方主面にそれぞれ設けられる。 - 特許庁 - To provide a wiring method capable of reducing an effect of a crosstalk between adjacent wirings in the same wiring layer or between the upper and lower wirings concerning a semiconductor integrated circuit having not less than two wiring layers.
２層以上の配線層を有する半導体集積回路の同一配線層あるいは上下の配線層間で隣接する配線間のクロストークの影響を低減させることのできる配線方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a hard coat film having weatherable life, transparency, scratch resistance, curl resistance and the solvent resistance and adhesion with a resin of an upper layer to be laminated and suitably used for laminating an outdoor window.
本発明は、耐候寿命、透明性、耐スクラッチ性、耐カール性および積層される上層の樹脂との耐溶剤性、密着性、屋外窓貼り用等に好適に用いられるハードコートフィルムを提供せんとするものである。 - 特許庁 - A semiconductor device package is formed from a DBC and in the DBC, a thinned MOS gated die or a diode 31 is soldered to the lowermost part of a recess 50 etched in an upper conductive layer 43.
半導体デバイスパッケージが、ＤＢＣから形成され、このＤＢＣでは、薄くされたＭＯＳｇａｔｅｄダイまたはダイオードダイ３１が、上側導電層内４３のエッチングされたくぼみ５０の最下部にはんだ付けされる。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor having a structure that facilitates semiconductor formation and uses a bank layer so that the semiconductor formation does not cause any problem to application of a voltage to an upper pixel electrode.
電界効果型トランジスタにおいて、半導体形成が簡便であり、かつ半導体形成によって前記上部画素電極への電圧の印加に問題が生じないようにバンク層を用いた構造を提供すること。 - 特許庁 - The protrusive structures 5 are formed by radiating, through the lenses on the light guide body upper surface, an ultraviolet ray to an ultraviolet curing resin layer applied and formed on the bottom surface 7c of the guide body 7 to pattern it.
突起状構造物５は、導光体７の底面７ｃに塗布形成された紫外線硬化樹脂層に対して、導光体上面のレンズを介して紫外線を照射しパターニングすることで形成される。 - 特許庁 - Also since the oxide layer, composed of a silicon oxide, is etched more strongly than the semiconductor substrate 1 which is composed of silicon, the upper edge of the trench 7 on the semiconductor substrate 1 is given roundness.
また、シリコン酸化物で構成される酸化物層２が、シリコンで構成される半導体基板１よりも、強くエッチングされるために、半導体基板１におけるトレンチ７の上端縁１１に丸みが付与される。 - 特許庁 - On an upper surface of the piezoelectric layer 42, individual electrodes 43 are disposed in positions opposed to substantially central portions of pressure chambers 10, and auxiliary electrodes 44 are disposed around the individual electrodes 43.
圧電層４２の上面には、圧力室１０の略中央部と対向する位置に個別電極４３が配置されているとともに、補助電極４４が個別電極４３を取り囲むように配置されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its production process for restricting ferroelectric capacitor impairment caused by hydrogen, by improving coating property of a barrier metal layer on an upper electrode of the ferroelectric capacitor.
強誘電体キャパシタの上部電極に対するバリアメタル層の被覆性を改善し、水素による強誘電体キャパシタの劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The present invention relates to a piezoelectric thin film resonator including a piezoelectric resonant stack 14 comprising a piezoelectric layer 2, an upper electrode 12 and a lower electrode 10, a gap 4 formed thereunder, and a substrate 8 supporting the piezoelectric resonant stack.
圧電層２と上部電極１２及び下部電極１０とを有する圧電共振スタック１４と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタックを支持する基板８とを含んでなる薄膜圧電共振器。 - 特許庁 - On the upper surface of the restriction layer 4, individual terminal electrodes 11 for applying a voltage to the internal individual electrodes 6, and a common terminal electrode 12 for applying a voltage to the internal common electrode 7 are provided.
拘束層４の上面には、内部個別電極６に電圧を印加するための個別端子電極１１と、内部コモン電極７に電圧を印加するためのコモン端子電極１２とが設けられている。 - 特許庁 - The photo mask is disposed on the upper layer side of the long-wavelength light reflective film, and includes a mask pattern formed by using an absorption film which absorbs the EUV light and the long wavelength light.
また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。 - 特許庁 - According to this structure, the diffusion of the hydrogen into the metal oxide ferroelectrics 25-1, 25-2 via the wiring layer 160 and the upper electrodes 26-1, 26-2 can be prevented or suppressed.
この構造によれば、水素が該配線層１６０及び該上部電極２６−１、２６−２を介して該金属酸化物強誘電体２５−１、２５−２中に拡散するのを防止或いは抑制することができる。 - 特許庁 - A resistance change element 30 includes a lower electrode 30a, an upper electrode 30c, and a variable resistance layer 30b that is sandwiched between them and whose resistance value reversibly changes based on electrical signals having different polarities.
抵抗変化素子３は、下部電極３０ａ及び上部電極３０ｃと、その間に挟まれ且つ極性が異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する可変抵抗層３０ｂとを有する。 - 特許庁 - To give a semiconductor device having at least two layers of wiring layers a structure, where the connection of an upper wiring layer with a semiconductor substrate can be reliably made.
少なくとも２層の配線層を有する半導体装置であって、上層配線層と半導体基板との接続を確実に行なうことの可能な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The nonlinear element 10x includes: the lower electrode 13x composed of a tantalum film containing nitrogen and tungsten; the insulating layer 14x covering the surface side of the lower electrode 13x; and an upper electrode 15x.
非線形素子１０ｘは、窒素およびタングステン含有のタンタル膜からなる下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、および上電極１５ｘを備えている。 - 特許庁 - To reduce the residual amount of a lubricant after wire drawing without lowering wire drawability by forming the film of zinc phosphate on the surface of a steel wire before wire drawing and using slaked lime in its upper layer as a rust preventive.
伸線前鋼線の表面に燐酸亜鉛被膜を形成し、防錆剤として消石灰をその上層に用いる事により、伸線性を低下させることなく、伸線後の潤滑剤の残留量を低減する事。 - 特許庁 - An increase in the number of processes required for manufacturing a second gate electrode is reduced by forming a gate electrode to be provided at the upper part of an oxide semiconductor layer simultaneously when patterning the oxide semiconductor takes place.
酸化物半導体層の上方に設けるゲート電極を形成するとき、酸化物半導体層のパターニングと同時に形成することで、第２のゲート電極の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 - 特許庁 - The apparatus for separating a gaseous pollutant from a gas includes a perforated plate 8 which enables a gas containing the gaseous pollutant to pass through from below, and holds the flow layer of the absorbing liquid 14 on its upper face 12.
ガス状汚染物質をガスから分離する装置は、ガス状汚染物質を含有するガスの下からの通過を可能にし、かつその上面１２上に、吸収液のフロー層１４を保持する多孔板８を包含する。 - 特許庁 - A Cu-based Cu wiring member 12 accompanying the coating of a barrier metal 11 and a diffusion barrier layer formed in an upper part is buried in an interlaminar insulation film 10 (101, 102) in multilayer wiring.
多層配線における層間の絶縁膜１０（１０１，１０２）中にバリアメタル１１の被覆及び上部の拡散バリア層形成を伴うＣｕを主成分としたＣｕ配線部材１２が埋め込み形成されている。 - 特許庁 - Thus, even during the calcination for forming the upper layer, the base material is not softened nor deformed and stress due to the difference of the thermal expansion coefficients to deform the base material is not generated.
そのため、上層を形成するための焼成時にも、その基材が軟化し延いては変形することもなく、また、熱膨張係数の相違に起因する応力が生じ延いては基材が変形させられることもない。 - 特許庁 - Out of these, upper layer electrodes 15a and 15b of the capacitors C1 and C2 are formed in parallel with a gate electrode 15c as the n-type polysilicon having an identical impurity concentration.
このうち、キャパシタＣ１およびＣ２の上層電極１５ａおよび１５ｂは、上記トランジスタのゲート電極１５ｃと同時に形成されて、同一の不純物濃度を有するｎ型ポリシリコンとして形成されている。 - 特許庁 - The high frequency module 1 includes a multilayer substrate 10, a power amplifier IC11 mounted on an upper surface of the multilayer substrate 10, and first and second filters 12, 13 formed in an inner layer of the multilayer substrate 10.
高周波モジュール１は、多層基板１０と、多層基板１０の上面に実装されたパワーアンプＩＣ１１と、多層基板１０の内層に形成された第１及び第２のフィルタ１２，１３とを備えている。 - 特許庁 - Since the dielectric film has a multilayer structure where each layer is thinner than the upper limit critical thickness, crystallization temperature of the dielectric film is increased while reducing the leakage current.
又、各層が臨界厚さの上限値より薄い厚さを有する多層構造で誘電体膜を形成することによって、誘電体膜の結晶化温度を増加させると共に、漏洩電流を減少させることができる。 - 特許庁 - To provide a sealing agent for a liquid crystal display element capable of manufacturing a liquid crystal display panel having excellent adhesion strength of upper and lower substrates even when the sealing agent is disposed on an organic film such as an alignment layer.
配向膜等の有機膜上にシール剤が配置された場合であっても、上下基板の接着強度に優れた液晶表示パネルを製造することができる液晶表示素子用シール剤を提供する。 - 特許庁 - To improve a S/N ratio of a reproduced signal by making it hard that an outer magnetic field penetrating from an upper part magnetic shield layer passes through a magneto-resistance effect element, in the thin film magnetic head provided with the magneto-resistance effect type magnetic head element.
磁気抵抗効果方磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気シールド層から進入する外部磁界が磁気抵抗効果素子を通過しにくくし、再生信号のＳ／Ｎ比の向上を図る。 - 特許庁 - The open ceiling section 17 is provided with a height equivalent to one and one-half layer from the floor surface of the lower floor living section 15 and an accommodating section 19 allowing articles to be taken in/out from the upper floor section is provided above the open ceiling section 17.
吹抜け部１７は、下階居住部１５の床面から１．５層分の高さで設けられており、吹抜け部１７の上方には、上階部分から出し入れ可能な収納部１９が設けられている。 - 特許庁 - In the step (c), by forming the intermediate layer opening 15 in such a shape that the second dimension becomes smaller at a lower portion lower than at an upper portion, the third dimension is made smaller than the first dimension in the step (d).
工程（ｃ）において、第２の寸法が上部よりも下部において小さくなる形状に中間層開口１５を形成することにより、工程（ｄ）において、第３の寸法を第１の寸法よりも小さくする。 - 特許庁
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