アルカリ珪酸塩（珪酸ソーダ、珪酸カリウム、あるいは珪酸リチウム等）あるいは金属燐酸塩（燐酸アルミニウム、あるいは燐酸マグネシウム等）をバインダーとして含み半導体表面を不活性化する接着剤層５を用いて拡散反射基板６と半導体基板１とを接着することで、半導体表面の不活性化を行なうものである。例文帳に追加

The surface of a semiconductor is inactivated by bonding a diffusion reflection substrate 6 and a semiconductor substrate 1 using an adhesive layer 5 for inactivating the surface of the semiconductor containing an alkaline silicate (e.g. sodium silicate, potassium silicate, or lithium silicate) or a metal phosphate (e.g. aluminum phosphate, or magnesium phosphate) as a binder. - 特許庁