Pb dopedとは 意味・読み方・使い方

In the transistor PB, a P+ type impurity doped region 14 and an N type lightly doped well region 12 form a diode D1 whereas, in the transistor NB, an N type lightly doped well region 22, a P type lightly doped well region 20 and a P type lightly doped substrate 10 form a diode D3.例文帳に追加

トランジスタＰＢではＰ^＋型不純物ドープ領域１４とＮ型低濃度ウエル領域１２とでダイオードＤ_１を形成し、トランジスタＮＢではＮ型低濃度ウエル領域２２とＰ型低濃度ウエル領域２０及びＰ型低濃度基板１０とでダイオードＤ_３を形成する。 - 特許庁

The thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or the thin line of the SiMC layer 14 doped with Al is formed inside the SiC substrate 11 to allow the SiC substrate 11 to emit light.例文帳に追加

また、ＳｉＣ基板１１の内部に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設け発光させる。 - 特許庁

A thin film made of an Si_0.9M_0.1C compound crystal doped with Al (M represents at least one of Ge, Sn, and Pb) or a thin line of an SiMC layer 14 doped with Al is formed on an SiC substrate 11.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１１上に、ＡｌドープされたＳｉ_０．９Ｍ_０．１Ｃ混晶（Ｍは、Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂの少なくとも一種）よりなる薄膜または細線のＡｌドープＳｉＭＣ層１４が設けられている。 - 特許庁

The long-afterglow fluorophor is doped with 0.1 to 1.0 mol% of Ce and either one or more of Hf, Ti, Zr, W and Pb, the sum being 0.1 to 1.0 mol%, and has one or more peaks in the wavelength of 400 to 450 nm.例文帳に追加

Ｃｅを０．１〜１．０モル％と、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｗ、またはＰｂのいずれか一つ以上を合計で０．１〜１．０モル％とをドープしてなり、４００〜４５０ｎｍの波長に１以上の吸収ピークを持つ。 - 特許庁