ダブル・ゲートの英語

４つのダブル・ゲートのトランジスタを備える非対称ＳＲＡＭセル例文帳に追加

ASYMMETRICAL SRAM CELL WITH FOUR DOUBLE-GATE TRANSISTORS - 特許庁

ダブル・ゲートＦｉｎＦＥＴ設計のための自動層生成法および装置例文帳に追加

METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATED LAYER GENERATION FOR DOUBLE-GATE FINFET DESIGN - 特許庁

異なる垂直寸法のフィンを有するトリプル・ゲート・フィンＦＥＴおよびダブル・ゲート・フィンＦＥＴ例文帳に追加

TRIPLE GATE FINFET AND DOUBLE GATE FINFET WITH DIFFERENT VERTICAL DIMENSION FINS - 特許庁

ＦｉｎＦＥＴは、少なくとも１つの垂直フィン１２５および少なくとも１つの角度付きフィン１３０を有するか、あるいは少なくとも１つのダブル・ゲート・フィンおよび少なくとも１つのスプリット・ゲート・フィンを有する。例文帳に追加

The FinFET has either at least one perpendicular fin 125 and at least one angled fin 130 or has at least one double-gated fin and at least one split-gated fin. - 特許庁

金属酸化物半導体（ＭＯＳ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）のデバイス、並びにそれらのチップ設計に於いて、既存の非フィン設計構造からＦｉｎＦＥＴ（ダブル・ゲート・フィン・ベース電界トランジスタ）技術に基づく機能的に同一の構造に設計を維持したまま移行する事ができる信頼できる方法及び装置の提供。例文帳に追加

To provide a reliable method and a device which enable design-keeping transition from an existing non-fin design structure to a functionally identical structure based on a technology of a double-gate fin-base field-effect transistor FinFET in a metal-oxide semiconductor MOS, a device of a complementary metal-oxide semiconductor CMOS, and designing chips of the semiconductors. - 特許庁