チャネル電界効果の英語

電界効果デバイス用高速複合ｐチャネルＳｉ／ＳｉＧｅヘテロ構造例文帳に追加

Si/SiGe HETEROSTRUCTURE FOR HIGH-SPEED COMPOSITE P-CHANNEL FIELD EFFECT DEVICE - 特許庁

ＰチャネルパワーＭＩＳ電界効果トランジスタおよびスイッチング回路例文帳に追加

P-CHANNEL POWER MIS FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING CIRCUIT - 特許庁

フッ素化チャネルを有するＰ型有機電界効果トランジスタ例文帳に追加

P-TYPE ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING FLUORINATED CHANNEL - 特許庁

超微細チャネル電界効果トランジスター及びその製造方法例文帳に追加

ULTRA-SHORT CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME - 特許庁

ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having an n-channel field effect transistor and a p-channel field effect transistor, in which both of the n-channel field effect transistor and the p-channel field effect transistor have excellent drain current property. - 特許庁

高いチャネル移動度を有する電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor having high channel mobility. - 特許庁

縦チャネル型絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法例文帳に追加

FABRICATION OF VERTICAL CHANNEL INSULATED GATE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

Ｐチャネル電界効果トランジスタＰ１の駆動能力は、Ｎチャネル電界効果トランジスタＮ２の駆動能力より大きく、Ｎチャネル電界効果トランジスタＮ１の駆動能力はＰチャネル電界効果トランジスタＰ２の駆動能力より大きく設定される。例文帳に追加

The drive capability of the P-channel field effect transistor P1 is set higher than the drive capability of the N-channel field effect transistor N2, and the drive capability of the N-channel field effect transistor N1 is set higher than the drive capability of the P-channel field effect transistor P2. - 特許庁