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ネルンストの近似式の英語
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該当件数 : 1件
標的イオンと包接化合物21との錯形成による包接化合物21表面の電位変化を電界効果型トランジスタ10のゲート電圧の変化として検出し、標的イオンをネルンスト式を用いて近似的に定量する。例文帳に追加
The potential change of the surface of the inclusion compound 21 due to the formation of the complex of the target ions and the inclusion compound 21 is detected as a change in the gate voltage of the field-effect transistor 10 and the target ions are approximately quantified using a Nernst equation. - 特許庁
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Nernst approximation formula
日英・英日専門用語
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