半重合の英語

半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法例文帳に追加

PREPARATION PROCESS OF COPOLYMER FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY - 特許庁

熱重合性及び放射性重合性接着シート並びにそれを用いた半導体装置例文帳に追加

THERMALLY POLYMERIZABLE AND RADIATION-POLYMERIZABLE ADHESIVE SHEET AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED BY USING THE SAME - 特許庁

半結晶性重合体および脂肪相中の重合体粒子分散体を含む化粧品用組成物例文帳に追加

COSMETIC COMPOSITION CONTAINING SEMI-CRYSTALLINE POLYMER AND POLYMER PARTICLE DISPERSION IN FATTY PHASE - 特許庁

重合体、膜形成用組成物、絶縁膜、半導体装置および重合体の製造方法例文帳に追加

POLYMER, FILM-FORMING COMPOSITION, INSULATING FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER - 特許庁

半導体リソグラフィー用共重合体、組成物並びに該共重合体の製造方法例文帳に追加

COPOLYMER AND COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME COPOLYMER - 特許庁

ポジ型リソグラフィー用共重合体、該共重合体の製造のための重合開始剤及び半導体リソグラフィー用組成物例文帳に追加

COPOLYMER FOR POSITIVE LITHOGRAPHY, POLYMERIZATION INITIATOR FOR PRODUCING THE COPOLYMER AND COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR LITHOGRAPHY - 特許庁

共重合高分子膜の作製方法、前記形成方法で作製される共重合高分子膜、共重合高分子膜を利用する半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR PREPARING COPOLYMER FILM, COPOLYMER FILM PREPARED BY THE SAME METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING THE SAME POLYMER FILM - 特許庁

重合開始剤としては１０時間半減期温度３０〜６０℃の重合開始剤Ａと６０〜８０℃の重合開始剤Ｂとを併用し、重合開始剤ＡとＢの１０時間半減期温度の差は１５℃以上である。例文帳に追加

As the polymerization initiator, a polymerization initiator A having a 10-hr half-life temperature of 30-60°C and a polymerization initiator B having a 10-hr half-life temperature of 60-80°C are jointly used, where the difference in the 10-hr half-life temperature between the polymerization initiators A and B is at least 15°C. - 特許庁