本発明の一実施形態による可変抵抗メモリー素子は、少なくとも１つの下部電極と、少なくとも１つの下部電極を露出するトレンチを含む第１絶縁膜と、前記トレンチの対向する側壁の上に各々位置する第１及び第２部分を含む可変抵抗物質膜と、を含み、前記可変抵抗物質膜の第１及び第２部分は、前記少なくとも１つの下部電極と電気的に連結される。例文帳に追加

The resistance variable memory device includes at least one bottom electrode, a first insulating layer containing a trench which exposes the at least one bottom electrode, and a resistance variable material layer including respective first and second portions located on opposite sidewalls of the trench, respectively, where the first and second portions of the resistance variable material layer are electrically connected to the at least one bottom electrode. - 特許庁