複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルをその中に形成するためのフィン状構造を持ち、フィン状構造がＳＯＩ型構造の少なくとも１つの活性半導体層から、ＳＯＩ型構造の埋込み絶縁体上に形成されてなる理想的な複数ゲート電界効果トランジスタ構造と、その製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an ideal Multiple Gate Field Effect transistor structure with a fin-like structure for forming therein a transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure, the fin-like structure being formed from at least one active semiconductor layer of a SOI type structure on a buried insulator of the SOI type structure, and to provide a method for fablicating same. - 特許庁

該方法は、少なくとも１つの活性半導体層、埋込み絶縁体、およびキャリア基板を含むＳＯＩ型基板を用意するステップと、複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルのための領域を形成するフィン状構造を、半導体層から前記絶縁体層上に形成するステップとを含む。例文帳に追加

The method for fablicating the Multiple Gate Field Effect transistor structure includes the steps of preparing the SOI type substrate having at least one active semiconductor layer, the buried insulator and a carrier substrate, and forming from the semiconductor layer the fin-like structure on the insulator layer, the fin-like structure forming a region for the transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure. - 特許庁