蓄積倍増の英語

転送構造は、フォトダイオードに隣接する第１の転送ゲート（ＴＲ１）、蓄積ノードに隣接する第２の転送ゲート（ＴＲ２）、および第１と第２の転送ゲートの間に位置する電子増倍増幅構造（ＡＭＰ）を含んでいる。例文帳に追加

The transfer structure comprises a first transfer gate (TR1) adjacent to the photodiode, a second transfer gate (TR2) adjacent to the storage node, and an electron-multiplication amplifying structure (AMP) located between the first and second transfer gates. - 特許庁

各画素は少なくとも１つのフォトダイオードＰＨＤ、電荷蓄積ノード１８、電子増倍増幅構造ＡＭＰ、フォトダイオードから増幅構造に電子を移動させる手段ＴＲ１、増倍後に増幅構造から蓄積ノードに電子を移動させる手段ＴＲ２、蓄積ノードの電位を再初期化するためのトランジスタＲＳを備える。例文帳に追加

Each pixel includes at least one photodiode PHD, a charge storage node 18, an electron multiplication amplification structure AMP, means TR1 for transferring electrons from the photodiode to the amplification structure, means TR2 for transferring electrons from the amplification structure to the storage node after multiplication, and a transistor RS for reinitializing the potential of the storage node. - 特許庁