1パラメータ族の英語

ＩｎとＡｌを含有するIII−Ｖ族化合物半導体結晶において、ドーパントとして１×１０^17cm^-3以上の炭素を含有させ、Ｉｎの組成変動を１０％以内、成長方向の界面の凹凸の高低差を５ｎｍ以下、Ｓパラメータを０．５３５以下とする。例文帳に追加

In the III-V compound semiconductor crystal comprising In and Al, carbon of 1×10^17 cm^-3 or more is contained as a dopant, and the composition variation of In is made within 10%, the height difference of a recess and a projection of an interface in a growth direction is made 5 nm or less and an S parameter is made 0.535 or less. - 特許庁