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「Altered Carbon」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3件
One or more surfaces of a silicon carbide article are altered so that at most 160 pieces of particles per 1 dm^2 can be generated on a semiconductor wafer during wafer processing by carrying out etching based on a fused salt group, laser abrasion, surface blast, coating, oxidization, polishing, machining, and processing based on super-critical carbon dioxide or their combination.例文帳に追加
炭化ケイ素物品を、ウェハ処理中に半導体ウェハ上に１ｄｍ２あたり１６０個以下の粒子を生じさせるように、該炭化ケイ素物品の１以上の表面を融解塩基によりエッチング、レーザアブレーション、表面ブラスト、コーティング、酸化、研磨、機械加工、超臨界二酸化炭素で処理またはそれらの組み合わせによって改変する。 - 特許庁
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