MOS gateとは 意味・読み方・使い方

The sources of the load MOS M51 to M53 are connected to a common GND line 4 and the gates are connected to the gate of an input MOS M50 and also to a voltage input terminal 5.例文帳に追加

負荷MOS M51〜M53のソースは共通のGNDライン４に、ゲートは入力MOS M50のゲートに接続されると共に電圧入力端子５に接続される。 - 特許庁

In the amplifier circuit 10, the ground, a MOS transistor NN10, a MOS transistor NN11, a resistance load RA10 and a power supply voltage VDD are serially connected in the order, the bias circuit 12 supplies a bias voltage VR1 to the gate of the MOS transistor NN10 and supplies a second bias voltage VR2 to the gate of the MOS transistor NN11.例文帳に追加

増幅回路10では、接地と、MOSトランジスタNN10と、MOSトランジスタNN11と、抵抗性負荷RA10と、電源電圧VDDがこの順に直列接続され、バイアス回路12はMOSトランジスタNN10のゲートにバイアス電圧VR1が供給し、MOSトランジスタNN11のゲートに第２のバイアス電圧VR2が供給する。 - 特許庁

MOS GATE DEVICE WITH BURIED GATE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

埋め込みゲートを有するＭＯＳゲート装置およびその製造方法 - 特許庁

GATE ELECTRODE FOR MOS TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのゲート電極及びその製造方法 - 特許庁

POWER MOS TRANSISTOR HAVING TRENCH GATE例文帳に追加

トレンチゲートを有するパワーＭＯＳトランジスタ - 特許庁

OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT OF MOS GATE ELEMENT例文帳に追加

ＭＯＳゲート素子の過電圧保護回路 - 特許庁

MOS TRANSISTOR WITH MESH-TYPE GATE ELECTRODE例文帳に追加

メッシュ型のゲート電極を有するＭＯＳトランジスタ - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MOS GATE TYPE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳゲート型炭化珪素半導体装置の製造方法 - 特許庁