active pattern light sourceとは 意味・読み方・使い方

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁

To provide an active ray sensitive or radiation sensitive resin composition for forming a pattern having excellent roughness characteristics and dry etching resistance when an ArF excimer laser, an electron beam, an X-ray, an EUV and the like are used as an exposure light source, and also to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ等を露光光源とする場合に、ラフネス特性及びドライエッチング耐性に優れたパターンを形成することが可能な感活性光線性または感放射線性樹脂樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

A light-shielding film having oxidation resistance properties is further provided after forming an active layer pattern in a manufacturing process of a bottom gate top contact type field effect transistor and after forming source/drain electrode patterns in a manufacturing process of a bottom gate bottom contact type field effect transistor.例文帳に追加

ボトムゲート型トップコンタクト型の電界効果トランジスタの製造工程においては活性層パターン形成後に、またボトムゲート型ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタの製造工程においてはソース／ドレイン電極パターン形成後に、耐酸性を有する遮光膜を一層設ける。 - 特許庁