carbon nanotube field-effect transistorとは 意味・読み方・使い方

BIOSENSOR BASED ON CARBON NANOTUBE-FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD OF THE SAME例文帳に追加

炭素ナノチューブ−電界効果トランジスタベースのバイオセンサー及びその製造方法 - 特許庁

UNIPOLAR CARBON NANOTUBE CONTAINING CARRIER-TRAPPING MATERIAL AND UNIPOLAR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

キャリアトラッピング物質を含む単極性炭素ナノチューブ及び単極性電界効果トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBE DISPERSION POLYMER例文帳に追加

カーボンナノチューブ分散ポリマーを用いた電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND BIOSENSOR DEVICE例文帳に追加

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの製造方法およびバイオセンサ装置 - 特許庁

To improve the yield in the manufacturing of the channel of a carbon nanotube field-effect transistor.例文帳に追加

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタのチャネル作製の歩留まりを向上させること。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a carbon nanotube structure which clears the fluctuation of current-voltage characteristics of a carbon nanotube FET (field-effect transistor) and the carbon nanotube FET consisting of the structure.例文帳に追加

カーボンナノチューブFETの電流—電圧特性の変動を解消するカーボンナノチューブ構造体の製造方法及びその構造体からなるカーボンナノチューブFETを提供すること。 - 特許庁

A carbon nanotube CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) 1 is composed of an N-type carbon nanotube FET (field-effect transistor) 2 (hereinafter called as an N-type CN-FET 2) and a P-type carbon nanotube FET 3 (hereinafter called as a P-type CN-FET 3).例文帳に追加

カーボンナノチューブＣＭＯＳ１は、Ｎ型カーボンナノチューブＦＥＴ２（以下、Ｎ型ＣＮ−ＦＥＴ２という）とＰ型カーボンナノチューブＦＥＴ３（以下、Ｐ型ＣＮ−ＦＥＴ３という）とから構成される。 - 特許庁

In the biosensor, a carbon nanotube is connected with a channel section of a field effect transistor or a single-electron type transistor.例文帳に追加

電界効果型トランジスタあるいは単一電子型トランジスタのチャネル部にカーボンナノチューブを接続したことを特徴とする。 - 特許庁