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digit emitterとは 意味・読み方・使い方
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In the semiconductor device 1 for which many unit elements of the T-IGBT of N channel are formed in parallel on a semiconductor substrate, a p^+ region 3 where an impurity concentration is higher than a base p^- region 58 is formed between the digit part 2-2 of an emitter n^+ region 2 formed in a ladder shape and the base p^- region 58.例文帳に追加
ＮチャネルのＴ−ＩＧＢＴの単位素子が半導体基板上に多数並列に形成される半導体装置１において、梯子型に形成されるエミッタｎ^+領域２の桁部分２−２とベースｐ^-領域５８との間に、ベースｐ^-領域５８よりも不純物濃度が高いｐ^+領域３を形成する。 - 特許庁
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