graded-junction transistorとは 意味・読み方・使い方

This GaN hetero-junction field effect transistor is provided with an Al_XGa_1-XN first graded layer 104 and an Al_XGa_1-XN second graded layer 105 which are successively formed on a channel layer 103.例文帳に追加

このＧａＮヘテロ接合電界効果トランジスタは、チャネル層１０３上に順次形成されたＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第１グレーデッド層１０４とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第２グレーデッド層１０５を備えた。 - 特許庁

A sub-collector layer 9, an n-GaAs collector layer 3, a p-GaAs base layer 4, an n-InGaP or n-AlGaAs emitter layer 5, an n-GaAs emitter cap layer 6, an n-InGaAs graded emitter cap layer 7 and an n-InGaAs emitter cap layer 8 are sequentially formed on a GaAs substrate 1 to constitute a hetero-junction bipolar transistor.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に、サブコレクタ層９、ｎ−ＧａＡｓコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰ又はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層５、ｎ−ＧａＡｓエミッタキャップ層６、ｎ−ＩｎＧａＡｓグレーデッドエミッタキャップ層７、及びｎ−ＩｎＧａＡｓエミッタキャップ層８が順次形成してヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁