graded junctionとは意味・読み方・使い方

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意味・対訳傾斜接合

JST科学技術用語日英対訳辞書での「graded junction」の意味

graded junction

傾斜接合

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「graded junction」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10件

例文

RADIATION-HARD MOSFET WITH GRADED-BODY DIODE JUNCTION AND REDUCED ON RESISTANCE例文帳に追加

傾斜ボディーダイオード接合を備え抵抗を低減させた放射線耐久型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

LIGHT EMITTING DEVICE WITH SILICON OXIDE EMBEDDED WITH GRADED JUNCTION SILICON NANOCRYSTAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

傾斜接合シリコンナノ結晶を有するシリコン酸化物を備えた発光装置およびその製造方法 - 特許庁

ION IMPLANTING METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GRADED JUNCTION FORMING METHOD USING THIS例文帳に追加

半導体素子の製造のためのイオン注入方法及びこれを用いた傾斜型接合形成方法 - 特許庁

The photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element can be enhanced by such a graded-junction.例文帳に追加

このような傾斜接合によって、光電変換素子の光電変換効率を向上させることができる。 - 特許庁

A photoelectric conversion element having an ideal p/n junction interface profile, i.e., graded-junction structure, can be manufactured by employing such a micelle electrolysis method.例文帳に追加

このようなミセル電解法を採用することによって、理想的なp/n接合界面プロファイル、すなわち、傾斜接合の構造を有する光電変換素子を製造できる。 - 特許庁

This GaN hetero-junction field effect transistor is provided with an Al_XGa_1-XN first graded layer 104 and an Al_XGa_1-XN second graded layer 105 which are successively formed on a channel layer 103.例文帳に追加

このＧａＮヘテロ接合電界効果トランジスタは、チャネル層１０３上に順次形成されたＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第１グレーデッド層１０４とＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ第２グレーデッド層１０５を備えた。 - 特許庁

例文

An deep P-channel implant and diffusion are formed in an early stage before the main channel is formed to produce a graded body diode junction.例文帳に追加

メインチャネルを、傾斜ボディーダイオード接合を作成するために形成する前に、初期段階でおよび深いＰ^—チャネル注入および拡散を形成する。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「graded junction」の意味

graded junction

傾斜接合

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「graded junction」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10件

例文

A GaxIn1-xP composition-graded electron supplying layer in which the gallium compositional ratio is reduced from the function interface with a GaInAs channel layer toward the junction interface with a GaAs contact layer is formed.例文帳に追加

ＧａＩｎＡｓチャネル層の接合界面からＧａＡｓコンタクト層との接合界面に向けて、ガリウム組成比を減少させたＧａ_XＩｎ_1-XＰ組成勾配付電子供給層を形成する。 - 特許庁

Subsequently, Be ions are implanted in an annular region along the outer circumference of a light receiving region and activated by heat treatment to form a graded junction as a p-type peripheral region 9 for preventing edge breakdown.例文帳に追加

次に、受光領域の外周に沿った環状領域にＢｅをイオン注入して、熱処理により活性化させ傾斜型接合を形成して、エッジブレークダウンを防ぐためのｐ型周辺領域９とする。 - 特許庁

例文

A sub-collector layer 9, an n-GaAs collector layer 3, a p-GaAs base layer 4, an n-InGaP or n-AlGaAs emitter layer 5, an n-GaAs emitter cap layer 6, an n-InGaAs graded emitter cap layer 7 and an n-InGaAs emitter cap layer 8 are sequentially formed on a GaAs substrate 1 to constitute a hetero-junction bipolar transistor.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上に、サブコレクタ層９、ｎ−ＧａＡｓコレクタ層３、ｐ−ＧａＡｓベース層４、ｎ−ＩｎＧａＰ又はｎ−ＡｌＧａＡｓエミッタ層５、ｎ−ＧａＡｓエミッタキャップ層６、ｎ−ＩｎＧａＡｓグレーデッドエミッタキャップ層７、及びｎ−ＩｎＧａＡｓエミッタキャップ層８が順次形成してヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁

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