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GaInAsとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ガイナス、ガイナス（ラテン語: Gainas、生年不詳 - 400年）は4世紀のゴート人で、東ローマ帝国の軍人。
「GaInAs」を含む例文一覧
該当件数 : 29件
LONG-WAVELENGTH GaInNAs/GaInAs OPTICAL DEVICE例文帳に追加
長波長のＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＩｎＡｓ光素子 - 特許庁
Quantum level of a conduction band exists above a conduction band edge of GaInAs layer 4.例文帳に追加
伝導帯の量子準位はGaInAs層4の伝導帯端よりも上側に存在する。 - 特許庁
On the GaInAs emitter layer 2 and GaInAs contact layer, Si is doped in a predetermined concentration.例文帳に追加
ＧａＩｎＡｓエミッタ層２及びＧａＩｎＡｓコンタクト層５には、Ｓｉを所定の濃度にドーピングする。 - 特許庁
An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加
GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁
To provide a long-wavelength band optical device of GaInNAs/GaInAs structure.例文帳に追加
ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＩｎＡｓ構造の長波長帯域の光素子を提供する。 - 特許庁
The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加
Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁
A compound semiconductor layer 6 is formed as the foundation layer of the conductive layer 7.例文帳に追加
化合物半導体層６は、二元系（InP、InAs）、三元系（AlInAs、AlInP、AlGaP、AlGaAs、GaInAs、GaInP）、四元系（AlInAsP、AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP、GaInAsP）、又は五元系（AlGaInAsP）からなる。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「GaInAs」の意味 |
Gainas
語源
語形変化
First declension, masculine Greek type with nominative singular in -ās.
| Case | Singular |
|---|---|
| nominative | Gainās |
| genitive | Gainae |
| dative | Gainae |
| accusative | Gainān |
| ablative | Gainā |
| vocative | Gainā |
「GaInAs」を含む例文一覧
該当件数 : 29件
A GaAs layer where triethylgallium is made to be a raw material is arranged directly below a GaInAs channel layer.例文帳に追加
ＧａＩｎＡｓチャネル層の直下に、トリエチルガリウムを原料とするＧａＡｓ層を配置する構成とする。 - 特許庁
The semiconductor light emitting element is made of a quantum well layer 1 which is configured by laminating sequentially GaInNAs layer 3 and GaInAs layer 4 and the activity layer consisting of GaAs barrier layers 2 and 6 which are laminated on the both sides of the quantum well layer 1.例文帳に追加
GaInNAs層3とGaInAs層4を順次積層して構成される量子井戸層1と量子井戸層1の両側に積層されたGaAs障壁層2および6からなる活性層を有する半導体発光素子を作製する。 - 特許庁
To solve such a problem that GaInNAs and GaInAs quantum well layers are degraded due to the segregation of In, and to provide a GaInNAs semiconductor laser with high performance by forming a high-quality quantum well active layer.例文帳に追加
本発明の目的は、Inの偏析を主要因とするGaInNAs、およびGaInAs量子井戸層の品質が低下の問題を解決し、高品質な量子井戸活性層を形成し、高性能なGaInNAs系半導体レーザを提供することにある。 - 特許庁
The p-AlInAs layer, p-InP layer, and p-GaInAs layer are formed in striped ridges of a 10 μm width.例文帳に追加
ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層、ｐ−ＩｎＰ層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層は、幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成されている。 - 特許庁
In an AlGaAs semiconductor laser which has a distorted quantum well structure of active layer, an Al-doped GaInAs active layer 4 is used as an active layer.例文帳に追加
歪み量子井戸構造の活性層を有するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザにおいて活性層としてＡｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４を用いる。 - 特許庁
An AlYGa1-YAs (0≤Y≤1) layer, in which ethyl Ga is set to be a raw material, is arranged between the superstructure buffer layer and a GaInAs-channel layer.例文帳に追加
また、超格子構造緩衝層とＧａＩｎＡｓチャネル層との中間に、エチルＧａを原料としたＡｌ_YＧａ_1-YＡｓ（０≦Ｙ≦１）層を配置する。 - 特許庁
To provide an absorption-type distributed feedback semiconductor laser device which is provided with an absorption layer, in place of a GaInAs layer, and can be operated stably with proper spectral characteristics.例文帳に追加
ＧａＩｎＡｓ層に代わる吸収層を備え、良好なスペクトル特性で安定して動作する、吸収型の分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁
A p-InP clad layer and high dope GaInAs contact layer are successively laminated on the p-InP buried layer and the carrier block layers applied to both sides of the p-InP buried layer.例文帳に追加
ｐ−ＩｎＰ埋め込み層及びその両側のキャリアブロック層上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層及び高ドープＧａＩｎＡｓコンタクト層が、順次、積層されている。 - 特許庁
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