trimethyl galliumとは 意味・読み方・使い方

At time t3 when the substrate temperature becomes sufficiently stable, trimethyl gallium and ammonium are supplied to the growth furnace to grow an i-GaN film.例文帳に追加

基板温度が十分に安定した時刻ｔ３でトリメチルガリウム及びアンモニアを成長炉に供給して、ｉ−ＧａＮ膜を成長する。 - 特許庁

In a growth method of a nitride semiconductor thin film, TMG (trimethyl gallium) or TEG (triethyl gallium) is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth process) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting, wherein a supply amount of the TMG or TEG is larger than that in the first growth process.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

In forming a GaN thin film in the MOCVD method using ammonia and trimethyl gallium as materials, film formation is carried out with organic aluminum materials entrained.例文帳に追加

アンモニアとトリメチルガリウムを原料としてＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ薄膜を成膜する際、有機アルミニウム材料を同伴させて成膜する。 - 特許庁

In addition, the temperature of the surface treatment is set to be equal to or higher than that of the following GaN growth, and the trimethyl gallium feeding rate is lower than that of the growth procedure.例文帳に追加

また、表面処理温度は、後に形成されるＧａＮの成長時の温度以上に設定され、トリメチルガリウム供給量は、その成長時の供給量よりも低い。 - 特許庁

A catalyst layer composed of Ni or Pt is formed on a gallium oxide single crystal substrate, and then, gallium nitride nanowires each in the form of a wire having a diameter of 5-200 nm and a length of 5-50 μm are formed by reacting trimethyl gallium and ammonia on the catalytic layer in a temperature range of 850-1,000°C by a CVD method.例文帳に追加

酸化ガリウム単結晶基板上に、ＮｉまたはＰｔからなる触媒層を形成し、前記触媒層上でトリメチルガリウムおよびアンモニアをＣＶＤ法により８５０〜１０００℃の温度範囲で反応させ、径が５ｎｍ〜２００ｎｍ、長さが５μｍ〜５０μｍのワイヤ状の形態をした窒化ガリウムナノワイヤを形成する。 - 特許庁

After the supply of the trimethyl gallium and trimethyl aluminum is stopped at time t7 to stop the film deposition, the supply of the ammonium and hydrogen to the growth furnace is promptly stopped and nitrogen begins to be supplied to change an atmosphere of ammonium and hydrogen into an atmosphere of nitrogen in a chamber of the growth furnace.例文帳に追加

時刻ｔ７でトリメチルガリウム及びトリメチルアルミニウムの供給を停止して成膜を停止した後に、速やかに、成長炉へアンモニア及び水素の供給を停止すると共に窒素の供給を開始して、成長炉のチャンバ中においてアンモニア及び水素の雰囲気を窒素の雰囲気に変更する。 - 特許庁

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

Then, while the substrate temperature of 1,050°C is held at 1,050°C and the internal pressure in the furnace is held at 30 kPa as they are, a trimethyl gallium, an ammonia and a silane are introduced, and an n-type GaN buffer layer 3, having a thickness of 1 μm, is grown on the substrate 1.例文帳に追加

その後、摂氏１０５０度の基板温度を摂氏１０５０度、炉内圧力を３０キロパスカルに保持したまま、トリメチルガリウム、アンモニア、シランを導入して、厚さ1マイクロメートルの型ＧａＮバッフア層３を基板１に成長する。 - 特許庁