「GaInAs」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.例文帳に追加

Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁

A compound semiconductor layer 6 is formed as the foundation layer of the conductive layer 7.例文帳に追加

化合物半導体層６は、二元系（InP、InAs）、三元系（AlInAs、AlInP、AlGaP、AlGaAs、GaInAs、GaInP）、四元系（AlInAsP、AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP、GaInAsP）、又は五元系（AlGaInAsP）からなる。 - 特許庁

A GaAs layer where triethylgallium is made to be a raw material is arranged directly below a GaInAs channel layer.例文帳に追加

ＧａＩｎＡｓチャネル層の直下に、トリエチルガリウムを原料とするＧａＡｓ層を配置する構成とする。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element is made of a quantum well layer 1 which is configured by laminating sequentially GaInNAs layer 3 and GaInAs layer 4 and the activity layer consisting of GaAs barrier layers 2 and 6 which are laminated on the both sides of the quantum well layer 1.例文帳に追加

GaInNAs層3とGaInAs層4を順次積層して構成される量子井戸層1と量子井戸層1の両側に積層されたGaAs障壁層2および6からなる活性層を有する半導体発光素子を作製する。 - 特許庁

To solve such a problem that GaInNAs and GaInAs quantum well layers are degraded due to the segregation of In, and to provide a GaInNAs semiconductor laser with high performance by forming a high-quality quantum well active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、Inの偏析を主要因とするGaInNAs、およびGaInAs量子井戸層の品質が低下の問題を解決し、高品質な量子井戸活性層を形成し、高性能なGaInNAs系半導体レーザを提供することにある。 - 特許庁

The p-AlInAs layer, p-InP layer, and p-GaInAs layer are formed in striped ridges of a 10 μm width.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層、ｐ−ＩｎＰ層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓ層は、幅１０μｍのストライプ状リッジとして形成されている。 - 特許庁

In an AlGaAs semiconductor laser which has a distorted quantum well structure of active layer, an Al-doped GaInAs active layer 4 is used as an active layer.例文帳に追加

歪み量子井戸構造の活性層を有するＡｌＧａＡｓ系半導体レーザにおいて活性層としてＡｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４を用いる。 - 特許庁

An AlYGa1-YAs (0≤Y≤1) layer, in which ethyl Ga is set to be a raw material, is arranged between the superstructure buffer layer and a GaInAs-channel layer.例文帳に追加

また、超格子構造緩衝層とＧａＩｎＡｓチャネル層との中間に、エチルＧａを原料としたＡｌ_YＧａ_1-YＡｓ（０≦Ｙ≦１）層を配置する。 - 特許庁

To provide an absorption-type distributed feedback semiconductor laser device which is provided with an absorption layer, in place of a GaInAs layer, and can be operated stably with proper spectral characteristics.例文帳に追加

ＧａＩｎＡｓ層に代わる吸収層を備え、良好なスペクトル特性で安定して動作する、吸収型の分布帰還型半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

A p-InP clad layer and high dope GaInAs contact layer are successively laminated on the p-InP buried layer and the carrier block layers applied to both sides of the p-InP buried layer.例文帳に追加

ｐ−ＩｎＰ埋め込み層及びその両側のキャリアブロック層上には、ｐ−ＩｎＰクラッド層及び高ドープＧａＩｎＡｓコンタクト層が、順次、積層されている。 - 特許庁

A GaxIn1-xP composition-graded electron supplying layer in which the gallium compositional ratio is reduced from the function interface with a GaInAs channel layer toward the junction interface with a GaAs contact layer is formed.例文帳に追加

ＧａＩｎＡｓチャネル層の接合界面からＧａＡｓコンタクト層との接合界面に向けて、ガリウム組成比を減少させたＧａ_XＩｎ_1-XＰ組成勾配付電子供給層を形成する。 - 特許庁

Of the laminated structure, the upper layer part of n-InP clad layer, an active layer, the lower-part p-InP clad layer, the AlInAs layer, the upper-part p-InP clad layer, and the p-GaInAs contact layer are formed as a stripe-like ridge 33.例文帳に追加

積層構造のうち、ｎ−ＩｎＰクラッド層の上層部、活性層、下部ｐ−ＩｎＰクラッド層、ＡｌＩｎＡｓ層、上部ｐ−ＩｎＰクラッド層、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層は、ストライプ状リッジ３３として形成されている。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２、アンドープＧａＩｎＡｓ光吸収層３、アンドープＩｎＰ拡散バッファ層４、およびｐ型ＩｎＰ窓層５からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

After that, Sb is supplied as the surfactant during the growth of a GaInAs mixed crystal or a GaInNAs mixed crystal, and the quantum well layer 105 which is composed of GaInAsSb or GaInNAsSb is grown up on a substrate.例文帳に追加

その後、ＧａＩｎＡｓ混晶またはＧａＩｎＮＡｓ混晶の成長中にＳｂをサーファクタントとして供給して、基板上にＧａＩｎＡｓＳｂまたはＧａＩｎＮＡｓＳｂからなる量子井戸層１０５を成長させる。 - 特許庁

A laminate structure of InP buffer layer 14, an active layer 16, a InP spacer layer 18 in the thickness of 200 nm, a GaInAs diffraction grating 20, and a InP clad layer 22 embedding the diffraction grating is provided on a InP substrate 12.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１２上に、ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、膜厚２００ｎｍのＩｎＰスペーサ層１８、のＧａＩｎＡｓ回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだＩｎＰクラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

This light modulator 10 has a laminated structure on an n-InP substrate 12, consisting of an n-InP layer 14, an MQW 16 of an AlGaInAs group, a GaIn AsP layer 18, a p-InP layer 20, a p-AlInAs layer 22, a p-InP layer 24, and a p-GaInAs layer 26.例文帳に追加

本光変調器１０は、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰ層１４、ＡｌＧａＩｎＡｓ系ＭＱＷ１６、ＧａＩｎＡｓＰ層１８、ｐ−ＩｎＰ層２０、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｐ−ＩｎＰ層２４、及び、ｐ−ＧａＩｎＡｓ層２６からなる積層構造を備える。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

A gain combination DFB laser 20 is a laser of oscillation wavelength of about 1,550 nm, and comprises, on an n-InP substrate 1, an n-InP buffer layer 2, active layer 3, p-InP spacer layer 4, p-InP upper-part clad layer 6, and p-GaInAs contact layer 7.例文帳に追加

本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。 - 特許庁

The field effect transistor has an electron running layer consisting of InP or GaInAs, a spacer layer consisting of AlInAs, and an electron supply layer consisting of AlInAs.例文帳に追加

ＩｎＰ又はＧａＩｎＡｓから成る電子走行層、ＡｌＩｎＡｓから成るスペーサー層、及びＡｌＩｎＡｓから成る電子供給層を有する電界効果トランジスタにおいて、スペーサー層に炭素（Ｃ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）などのアクセプターが含まれていることを特徴とする電界効果トランジスタである。 - 特許庁

The optical device is provided with a quantum well structured GaInNAs active layer that generates light, and GaInAs barrier layers vapor-deposited vertically, over and under the active layer having conduction band kinetic energy and lower valence band kinetic energy higher than that of the active layer, and it has an superior long-wavelength luminescence characteristic of 1.3 ums or longer.例文帳に追加

量子ウェル構造を有して光を生成するＧａＩｎＮＡｓ活性層と、活性層の上下部に蒸着されて前記活性層より高い伝導帯のエネルギーと低い価電子帯エネルギーとを有するＧａＩｎＡｓ障壁層とを備え、１．３μｍ以上の長波長帯域の優秀な発光特性を有する。 - 特許庁

The photodetector 41 is possessed of a laminated structure composed of an N-AlInAs layer 22 of thickness 100 nm, an N-InP clad layer 23, an MQW active layer 24, a P-InP clad layer 25, a P-AlInAs layer 26 of thickness 50 nm, a P-type InP clad layer 27, and a P-GaInAs contact layer 28.例文帳に追加

受光素子は、ｎ−ＩｎＰ基板上に、膜厚１００ｎｍのｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層２３、ＭＱＷ活性層２４、ｐ−ＩｎＰクラッド層２５、膜厚５０ｎｍのｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２６、ｐ−ＩｎＰクラッド層２７、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２８の積層構造を有する。 - 特許庁

A semiconductor laser element 20 is provided with a laminated structure consisting of an n-type InP clad layer 22, an SCH-MQW active layer 23, a p-type first InP clad layer 24, an AlInAs layer 25, a p-type second InP clad layer 26 and a p-type GaInAs contact layer 27, which are formed in order on an n-type InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第一のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ＡｌＩｎＡｓ層２５、第二のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

This element has a laminated structure consisting of n-InP substrate 21, and n-InP clad layer 22, SCH-MQW active layer 23, first p-In clad layer 24, p-AlInAs/AlGaInAs layer 25, second p-InP clad layer 26, and p-GaInAs contact layer 27 sequentially formed on the n-InP substrate 21.例文帳に追加

本半導体レーザ素子２０は、ｎ−ＩｎＰ基板２１と、ｎ−ＩｎＰ基板２１上に順次形成された、ｎ−ＩｎＰクラッド層２２、ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層２３、第１のｐ−ＩｎＰクラッド層２４、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ／ｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ層２５、第２のｐ−ＩｎＰクラッド層２６、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２７からなる積層構造を備えている。 - 特許庁

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer.例文帳に追加

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。 - 特許庁