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主な意味インジウムリン

機械工学英和和英辞典での「InP」の意味

INP (inert nitrogen protection)



「InP」を含む例文一覧

該当件数 : 575



例文

The InP substrate may be an n-InP or SI-InP substrate.例文帳に追加

InP基板はn−InPでもSI−InPでもよい。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, and a first p-InP clad layer 4 are stuck on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

n型InP基板1の上に、n−InPバッファ層2、InGaAsP活性層3、第1p−InPクラッド層4が積層されている。 - 特許庁

Hereupon, the upper end of the n-type InP current blocking layer 10 has the structure covered with the p-type InP buried layer 9 and the p-type InP current blocking layer 11.例文帳に追加

n型InP電流ブロック層10の上端部が、p型InP埋め込み層9およびp型InP電流ブロック層11により覆われた構造とする。 - 特許庁

InP SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

InP単結晶基板 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING InP SINGLE CRYSTAL AND InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

InP単結晶の製造方法及びInP単結晶 - 特許庁

By this structure, the n-type InP current blocking layer 10 can be prevented from contacting with n-type InP clad layers 7, 12.例文帳に追加

上記構造とすることにより、n型InP電流ブロック層10がn型InPクラッド層7、n型InPクラッド層12と接触することを防ぐことができる。 - 特許庁

例文

To enable to form an InP-based semiconductor element which is inherently lattice matched to an InP substrate on a GaAs substrate.例文帳に追加

本来InP基板に格子整合性を有するInP系半導体素子をGaAs基板に形成することができるようにする。 - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「InP」の意味

EDR日英対訳辞書での「InP」の意味

INP

読み方 アイエヌピー

price index

「InP」を含む例文一覧

該当件数 : 575



例文

MANUFACTURING METHOD OF InP SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

InP単結晶の製造方法 - 特許庁

When A and B are defined as an integer and INP is defined as an impulse noise protection value, the number of times of repeating the DMT symbols is calculated as N=A*INP+B.例文帳に追加

AとBを整数とし、INPをインパルス雑音保護値とした場合、DMT記号が繰り返される回数がN=A*INP+Bとして計算する。 - 特許庁

Furthermore, when INP is defined as an impulse noise protection value, the number of times of repeating the DMT symbols is calculated as N=INP+1.例文帳に追加

また、INPをインパルス雑音保護値とした場合、DMT記号が繰り返される回数がN=INP+1として計算する。 - 特許庁

A crystalline body of InP having an atomic composition ratio In/InP of In and P of ≥0.490 to <0.500 is used as raw material.例文帳に追加

InとPの原子組成比In/InPが0.490以上、0.500未満であるInPの結晶体を原料として用いるようにした。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING InP POLYCRYSTAL例文帳に追加

InP多結晶の製造方法 - 特許庁

The p-InP cover layer 108 is etched with the SiO2 film 109 as a mask (Fig.3 (b)).例文帳に追加

SiO_2膜109をマスクとして、p-InPカバー層108をエッチングする(図3(b))。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing an InP thin film at low temperature.例文帳に追加

InP薄膜を低温度で結晶成長させる方を提供する。 - 特許庁

例文

The first InP layer 13 is provided on an InP substrate 21.例文帳に追加

第1のInP層13は、InP基板21上に設けられている。 - 特許庁

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