intrinsic conductionとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF ESTIMATING INTRINSIC THERMAL RESISTANCE VALUE OF SLURRY MATERIAL, BASED ON HEAT CONDUCTION CHARACTERISTIC OF CONSTITUENT PARTICLE例文帳に追加

構成粒子の熱伝導特性に基づくスラリー材の固有熱抵抗値推定方法 - 特許庁

In this thin-film cold cathode, when a voltage is placed between a thin-film electrode 4 and a back electrode 5 so as to positively polarize the thin-film electrode 4, electrons in a conduction band of an n-type Si- semiconductor substrate 1 are injected into a conduction band of an intrinsic semiconductor 3.例文帳に追加

薄膜電極４と裏面電極５の間に薄膜電極４を正極性とするような電圧を印加すると、ｎ型Si半導体基板１の伝導帯の電子は、真性半導体３の伝導帯に注入される。 - 特許庁

When a control circuit 24 is kept on standby, the Schottky diode 22 handles a reverse current that appears in a synchronous rectifier, so that intrinsic body diode effects of the vertical conduction MOSFET 21 are removed.例文帳に追加

制御回路２４の「待機」状態のときに同期型整流装置に見られる逆方向電流をショットキーダイオード２２が扱うので、垂直導通ＭＯＳＦＥＴ２１の固有ボデーダイオード効果を除去する。 - 特許庁

In the semiconductor component, many crystal semiconductor particles 3 of predetermined conductive types are provided in the porous shape which is connected in three dimensions through predetermined conduction type or intrinsic semiconductor 4 on one main surface of a conductive substrate 1.例文帳に追加

半導体部品は、導電性基板１の一主面に、多数個の所定の導電型の結晶半導体粒子３が、所定の導電型または真性の半導体４を介して立体的に連結された多孔質体状に設けられている。 - 特許庁

To provide a conductive roller in which the generation of photoreceptor contamination and deterioration in current-conduction durability are suppressed, and variation in the intrinsic volume resistivity of a conductive elastic layer is suppressed, and to provide a method for producing a conductive roller capable of stably obtaining the same.例文帳に追加

感光体汚染や通電耐久性の悪化の発生が抑えられ、導電性弾性層の体積固有抵抗のバラツキが抑えられた導電性ローラと、これを安定して得ることのできる導電性ローラ製造方法を提供する。 - 特許庁

An amorphous silicon-based photoelectric conversion device comprises a conductivity type layer formed of an amorphous silicon-based semiconductor, a buffer layer containing a microcrystalline silicon phase, a photoelectric conversion layer formed of a substantially intrinsic amorphous silicon-based semiconductor and a reverse conduction type layer formed of a non-single-crystal silicon-based semiconductor which are arranged from a light incident side in this order.例文帳に追加

光入射側から順に、非晶質シリコン系半導体からなる一導電型層と、微結晶シリコン相を含むバッファ層と、実質的に真性の非晶質シリコン系半導体からなる光電変換層と、非単結晶シリコン系半導体からなる逆導電型層とが、配置されてなる非晶質シリコン系光電変換装置によって、解決する。 - 特許庁