low-temperature solid-phase growthとは 意味・読み方・使い方

Then, the impurities are activated and an amorphous portion is re-crystallized by a low-temperature solid phase epitaxial growth method.例文帳に追加

そして、低温固相エピタキシャル成長法により、不純物を活性化すると共にアモルファス部分を再結晶化する。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁